本發(fā)明涉及半導體生產(chǎn)技術領域，特別是涉及一種半導體模塊模組儲錫裝片裝置及方法。

背景技術：

半導體模塊模組是在硅板上結合多種電子元器件實現(xiàn)某種特定功能的電路模塊，它是電子設備中最重要的部分，承擔著運算和存儲的功能。其應用范圍覆蓋了軍工、民用的幾乎所有的電子設備。

現(xiàn)有技術中，半導體模塊模組的生產(chǎn)工藝需要經(jīng)過裝片、打線、儲錫以及電鍍等工序，在對產(chǎn)品進行裝片、打線工序后需要在引出的四個端子上儲錫，但是，此種工藝方式儲錫后極有可能造成電鍍層外形變色、助焊劑污染及其清洗不凈，儲錫處理溫度引起對已封裝的芯片造成侵害、影響電性能等問題。

因此市場上亟需一種半導體模塊模組儲錫裝片裝置及方法，以解決現(xiàn)有技術中存在的上述問題，避免產(chǎn)品的電鍍層外形變色同時保證已封裝芯片不被侵害。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種半導體模塊模組儲錫裝片裝置及方法，以解決上述現(xiàn)有技術存在的問題，避免產(chǎn)品的電鍍層外形變色同時保證已封裝芯片不被侵害。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了如下方案：本發(fā)明提供一種半導體模塊模組儲錫裝片裝置，包括：

上料組件、下料組件以及加熱軌道，所述加熱軌道設置于所述上料組件以及所述下料組件之間；

用于移動半導體模塊模組的搬運組件，所述搬運組件設置于所述加熱軌道的上方且靠近所述上料組件的一側；

儲錫組件，所述儲錫組件的一側與所述搬運組件相鄰；

點錫組件，所述點錫組件的一側與所述儲錫組件的另一側相鄰；

整形組件，所述整形組件的一側與所述點錫組件的另一側相鄰；

裝片組件，所述裝片組件的一側與所述整形組件的另一側相鄰；

晶圓組件，所述晶圓組件設置于所述加熱軌道的下方且與所述裝片組件相對。

優(yōu)選地，還包括攝像組件，所述攝像組件設置于所述裝片組件的正上方。

優(yōu)選地，所述加熱軌道上沿裝片組件至下料組件段的軌道溫度低于沿上料組件至裝片組件段的軌道溫度。

優(yōu)選地，所述晶圓組件的中部設置有立柱，所述立柱頂部設置有用于放置晶圓的凹槽。

優(yōu)選地，所述搬運組件通過螺桿傳遞動力。

本發(fā)明還提供一種應用半導體模塊模組儲錫裝片裝置制造半導體模塊模組的方法，包括：

步驟一，供料準備，將疊加在一起的裸銅框架通過上料組件送至加熱軌道上，通過搬運組件將裸銅框架從左向右進行搬運，同時通過加熱軌道對裸銅框架進行加熱；

步驟二，儲錫點錫加工，當裸銅框架搬運至儲錫組件下方時，儲錫頭在加熱的裸銅框架上點錫或者畫錫，達到在裸銅框架上儲錫功能，在移動至點錫組件下方時，點錫組件對裸銅框架進行點錫，以后在整形組件的作用下對焊錫進行整形；

步驟三，晶圓裝片，在裸銅框架移動至裝片組件下方時，利用真空將放在晶圓組件上的晶圓吸附并安裝至裸銅框架上，完成裝片；

步驟四，下料，裸銅框架被搬運至下料組件，完成下料。

優(yōu)選地，所述步驟三還包括，在裝片組件拾取晶圓之前，通過攝像組件拍照確認晶圓的位置。

優(yōu)選地，在所述步驟三以及步驟四之間還包括，完成裝片后，將裸銅框架降溫至常溫狀態(tài)。

優(yōu)選地，所述步驟二采用的錫絲為無助焊劑錫絲。

本發(fā)明相對于現(xiàn)有技術，產(chǎn)生了以下技術效果：

通過將儲錫組件以及裝片組件共同設置于半導體模塊模組儲錫裝片裝置上，節(jié)約了裝置成本。利用制造半導體模塊模組的方法，在裸銅框架上完成儲錫點錫加工后再進行晶圓裝片工序，將現(xiàn)有技術中的儲錫技術在模組芯片組裝時就將后續(xù)模組的外引線端所需的儲錫工序直接整合進來。通過上述設計，不僅減少了工序，縮短了工藝鏈，而且避免了電鍍層外形變色，避免了后續(xù)儲錫溫度對已封裝芯片的侵害以及影響電性的問題。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明半導體模塊模組儲錫裝片裝置的結構示意圖；

圖2為本發(fā)明半導體模塊模組儲錫裝片裝置局部的結構示意圖；

其中，1-上料組件、2-加熱軌道、3-晶圓組件、4-裝片組件、5-下料組件、6-攝像組件、7-整形組件、8-點錫組件、9-儲錫組件、10-搬運組件。

具體實施方式

下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明的目的是提供一種半導體模塊模組儲錫裝片裝置及方法，以解決現(xiàn)有技術存在的問題，避免產(chǎn)品的電鍍層外形變色同時保證已封裝芯片不被侵害。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖和具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細的說明。

參考圖1-2，本發(fā)明提供一種半導體模塊模組儲錫裝片裝置，包括：

上料組件1、下料組件5以及加熱軌道2，加熱軌道2設置于上料組件1以及下料組件5之間；

用于移動半導體模塊模組的搬運組件10，搬運組件10設置于加熱軌道2的上方且靠近上料組件1的一側；

儲錫組件9，儲錫組件9的一側與搬運組件10相鄰；

點錫組件8，點錫組件8的一側與儲錫組件9的另一側相鄰；

整形組件7，整形組件7的一側與點錫組件8的另一側相鄰；

裝片組件4，裝片組件4的一側與整形組件7的另一側相鄰；

晶圓組件3，晶圓組件3設置于加熱軌道2的下方且與裝片組件4相對。

此種結構將儲錫組件9及相關組件與裝片組件4整合在一臺設備上，在現(xiàn)有裝片機的基礎上利用加熱軌道2，將儲錫工藝的相關組件安裝在裝片組件4之前，減少了生產(chǎn)工序，降低了成本。同時，在生產(chǎn)過程中，縮短了工藝鏈，避免了電鍍層外形變色，降低了次品率。

為了保證裝片工藝的精確度，本發(fā)明還包括攝像組件6，攝像組件6設置于裝片組件4的正上方。在生產(chǎn)過程中，利用攝像組件6確認晶圓的位置，保證裝片組件4組件能夠準確定位晶圓，確保了裝片的精度。

為了提高生產(chǎn)效率，加熱軌道2上沿裝片組件4至下料組件5段的軌道溫度低于沿上料組件1至裝片組件4段的軌道溫度。通過上述結構，在上料組件1至裝片組件4段，加熱軌道2將芯片加熱，保證了儲錫工藝以及裝片工藝的順利完成。在裝片工藝完成以后，裝片組件4至下料組件5段的軌道開始降溫，是裸銅框架本身的溫度降到常溫狀態(tài)，在搬運組件10的作用下，裸銅框架被搬運至下料組件5，完成下料過程。

為了保證晶圓能夠被順利拾取并安裝，在晶圓組件3的中部設置有立柱，立柱頂部設置有用于放置晶圓的凹槽。在生產(chǎn)時，裝片組件4可以順利定位立柱的位置，并拾取晶圓進行裝片。

為了保證裸銅框架在搬運過程的運動穩(wěn)定，搬運組件10通過螺桿傳遞動力。

本發(fā)明還提供一種應用半導體模塊模組儲錫裝片裝置制造半導體模塊模組的方法，包括：

步驟一，供料準備，將疊加在一起的裸銅框架通過上料組件1送至加熱軌道2上，通過搬運組件10將裸銅框架從左向右進行搬運，同時通過加熱軌道2對裸銅框架進行加熱；

步驟二，儲錫點錫加工，當裸銅框架搬運至儲錫組件9下方時，儲錫頭在加熱的裸銅框架上點錫或者畫錫，達到在裸銅框架上儲錫功能，在移動至點錫組件8下方時，點錫組件8對裸銅框架進行點錫，以后在整形組件7的作用下對焊錫進行整形；在整形工藝中，將焊錫整形至方形；

步驟三，晶圓裝片，在裸銅框架移動至裝片組件4下方時，利用真空將放在晶圓組件3上的晶圓吸附并安裝至裸銅框架上，完成裝片；

步驟四，下料，裸銅框架被搬運至下料組件5，完成下料。

通過上述工藝方法，在裸銅框架上完成儲錫點錫加工后，再進行晶圓裝片工序，將現(xiàn)有技術中的儲錫技術在模組芯片組裝時就將后續(xù)模組的外引線端所需的儲錫工序直接整合進來，不僅減少了工序，縮短了工藝鏈，而且避免了電鍍層外層變色，避免了后續(xù)儲錫溫度對已封裝芯片的侵害以及影響電性的問題。

本發(fā)明的步驟三還包括，在裝片組件4拾取晶圓之前，攝像組件6拍照確認晶圓的位置。進而保證裝片的精度。

進一步的，步驟三以及步驟四之間還包括，完成裝片后，將裸銅框架降溫至常溫狀態(tài)，提高生產(chǎn)效率。

為了進一步提高工藝的成品率，步驟二采用的錫絲為無助焊劑錫絲。由于采用無助焊劑錫絲避免了助焊劑污染及其清洗不凈，也進一步避免了后續(xù)儲錫溫度對已封裝芯片的侵害、電性不利的問題。

本發(fā)明中應用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領域的一般技術人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實施方式及應用范圍上均會有改變之處。綜上所述，本說明書內容不應理解為對本發(fā)明的限制。