本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示面板。

背景技術(shù)：

隨著薄膜晶體管(thinfilmtransistor，簡稱tft)液晶顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，具備功耗低、分辨率高、反應(yīng)速度快以及開口率高等特點(diǎn)的低溫多晶硅ltps技術(shù)的tft顯示裝置逐漸成為主流，已被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備，如液晶電視、智能手機(jī)、平板電腦以及數(shù)字電子設(shè)備中。

目前，薄膜晶體管包括：有源層、柵電極和源漏電極等元件，而背光源對有源層的照射會使光生載流子增加，造成閾值電壓偏移，尤其是背光源中的藍(lán)光波段，因此，現(xiàn)有技術(shù)中為了防止tft的有源層被背光源照射，在基板上與有源層的溝道區(qū)域?qū)?yīng)的位置上設(shè)置了遮光層。

傳統(tǒng)工藝中一般采用鉬等金屬作為遮光層，雖然能夠遮擋背光源，但是層間光源會由金屬制成的遮光層反射到有源層的溝道區(qū)域，從而對有源層造成不良影響，導(dǎo)致薄膜晶體管質(zhì)量下降。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示面板，能夠減少光源對有源層的不良影響，提高薄膜晶體管的質(zhì)量。

為了達(dá)到本發(fā)明目的，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管，包括：遮光層；其中，所述遮光層包括用于防止背光源進(jìn)入有源層溝道區(qū)域的第一層和用于防止層間光源進(jìn)入有源層溝道區(qū)域的第二層。

進(jìn)一步地，有源層設(shè)置在所述第二層的一側(cè)，所述第一層設(shè)置在所述第二層的另一側(cè)，第一層與第二層形成遮光圖案，所述遮光圖案在基板上的正投影大于或等于有源層的溝道區(qū)域在基板上的正投影。

進(jìn)一步地，所述第一層的材料為金屬，所述第二層的材料為氧化硅。

進(jìn)一步地，所述第一層和第二層的材料均為包括金屬和氧化硅的復(fù)合物。

進(jìn)一步地，從遮光層的遠(yuǎn)離有源層的一側(cè)到遮光層的靠近有源層的一側(cè)的方向上，所述遮光層中的金屬的含量逐漸降低，所述遮光層中的氧化硅的含量逐漸增高。

進(jìn)一步地，所述第一層遠(yuǎn)離有源層一側(cè)的反射率為0.84-0.9，所述第二層靠近有源層一側(cè)的反射率為0.07-0.11。

另外，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板，包括薄膜晶體管。

另外，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示面板，包括陣列基板。

另外，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種薄膜晶體管制作方法，包括：

在基板上形成遮光層，其中，遮光層包括用于防止背光源進(jìn)入有源層溝道區(qū)域的第一層和用于防止層間光源進(jìn)入有源層溝道區(qū)域的第二層；

在形成有遮光層的基板上形成有源層。

進(jìn)一步地，所述在基板上形成遮光層，具體包括：

在基板上采用電子束蒸鍍工藝，或者高真空化學(xué)氣象沉積工藝形成第一薄膜和第二薄膜；

通過構(gòu)圖工藝形成包括第一層和第二層的遮光層。

本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示面板，該薄膜晶體管包括：遮光層，其中，遮光層包括用于防止背光源進(jìn)入有源層溝道區(qū)域的第一層和用于防止層間光源進(jìn)入有源層溝道區(qū)域的第二層，本發(fā)明設(shè)置該遮光層不僅能夠防止背光源進(jìn)入有源層溝道區(qū)域，而且還能夠防止層間光源進(jìn)入有源層溝道區(qū)域，減少了光源對有源層的不良影響，提高薄膜晶體管的質(zhì)量。

附圖說明

附圖用來提供對本發(fā)明技術(shù)方案的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本申請的實(shí)施例一起用于解釋本發(fā)明的技術(shù)方案，并不構(gòu)成對本發(fā)明技術(shù)方案的限制。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的遮光層成分的含量變化曲線；

圖3為第一層和第二層的反射率隨著入射光的波長的變化曲線；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管制作方法的流程圖；

圖5(a)為本發(fā)明實(shí)施例二提供的薄膜晶體管制作方法示意圖一；

圖5(b)為本發(fā)明實(shí)施例二提供的薄膜晶體管制作方法示意圖二；

圖5(c)為本發(fā)明實(shí)施例二提供的薄膜晶體管制作方法示意圖三；

圖5(d)為本發(fā)明實(shí)施例二提供的薄膜晶體管制作方法示意圖四；

圖5(e)為本發(fā)明實(shí)施例二提供的薄膜晶體管制作方法示意圖五；

圖5(f)為本發(fā)明實(shí)施例二提供的薄膜晶體管制作方法示意圖六；

圖5(g)為本發(fā)明實(shí)施例二提供的薄膜晶體管制作方法示意圖七；

圖5(h)為本發(fā)明實(shí)施例二提供的薄膜晶體管制作方法示意圖八。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下文中將結(jié)合附圖對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互任意組合。

在附圖的流程圖示出的步驟可以在諸如一組計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中執(zhí)行。并且，雖然在流程圖中示出了邏輯順序，但是在某些情況下，可以以不同于此處的順序執(zhí)行所示出或描述的步驟。

為了清晰起見，在用于描述本發(fā)明的實(shí)施例的附圖中，層或微結(jié)構(gòu)的厚度和尺寸被放大?？梢岳斫?，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被稱作位于另一元件“上”或“下”時，該元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中間元件。

實(shí)施例一

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管包括：遮光層，遮光層包括用于防止背光源進(jìn)入有源層溝道區(qū)域的第一層21和用于防止層間光源進(jìn)入有源層溝道區(qū)域的第二層22。

其中，本發(fā)明實(shí)施例中的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)為頂柵結(jié)構(gòu)，如圖1所示的薄膜晶體管還包括：基板1、緩沖層3、有源層4、柵絕緣層5、柵電極6、層間絕緣層7、源漏電極8以及鈍化層9。

在本發(fā)明實(shí)施例中，有源層4設(shè)置在第二層22的一側(cè)，第一層21設(shè)置在第二層22的另一側(cè)，第一層21與第二層22形成遮光圖案，需要說明的是，為了遮光層能夠盡可能多的阻擋背光源的光射到有源層的溝道區(qū)域上，遮光圖案在基板上的正投影大于或等于有源層的溝道區(qū)域在基板上的正投影。

在本實(shí)施例中，遮光層厚度為50-150納米，優(yōu)選地，遮光層的厚度為100納米，需要了解的是，只要第一層21的厚度和第二層22的厚度總和等于遮光層的厚度，本發(fā)明并不限定第一層21和第二層22的厚度，具體根據(jù)實(shí)際需求確定。

具體的，作為一種實(shí)現(xiàn)方式，第一層21的材料可以為金屬，第二層22的材料可以為氧化硅，其中，金屬可以為包括：鉬、金、銅、鋁或合金，本發(fā)明對此并不限制。需要說明的是，第一層的金屬的反射率較高，則由背光源射向有源層溝道區(qū)域的光線會被反射回去，無法進(jìn)入有源層溝道區(qū)域，而第二層的氧化硅的反射率較低，則由層間光源射向氧化硅的光線不會被反射到有源層溝道區(qū)域。

作為另外一種實(shí)現(xiàn)方式，第一層21和第二層22的材料均為包括金屬和氧化硅的復(fù)合物，其中，金屬可以為包括：鉬、金、銅、鋁或合金，本發(fā)明對此并不限制。

需要說明的是，從遮光層的遠(yuǎn)離有源層的一側(cè)到遮光層的靠近有源層的一側(cè)的方向上，遮光層中的金屬的含量逐漸降低，遮光層中的氧化硅的含量逐漸增高。具體的，第一層的鋁的含量比第二層的鋁的含量高，第二層的氧化硅的含量比第一層的氧化硅的含量高，圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的遮光層成分的含量變化曲線，具體的，圖2是以遮光層的厚度為100納米，金屬為鋁為例進(jìn)行說明。

圖3為第一層和第二層的反射率隨著入射光的波長的變化曲線，如圖3所示，第一層的反射率隨著入射光波長的增大而減少，第二層的反射率隨著入射光波長的增大而增大，其中，第一層21遠(yuǎn)離有源層一側(cè)的反射率為0.84-0.9，第二層22靠近有源層一側(cè)的反射率為0.07-0.11，需要說明的是，需要說明的是，第一層的包括的金屬含量較多，由于金屬的反射率較高，因此由背光源射向有源層溝道區(qū)域的光線會被反射回去，無法進(jìn)入有源層溝道區(qū)域，而第二層的氧化硅的含量較多，由于氧化硅的反射率較低，因此由層間光源射向氧化硅的光線不會被反射到有源層溝道區(qū)域。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括：遮光層，其中，遮光層包括用于防止背光源進(jìn)入有源層溝道區(qū)域的第一層和用于防止層間光源進(jìn)入有源層溝道區(qū)域的第二層，本發(fā)明設(shè)置的該遮光層不僅能夠防止背光源進(jìn)入有源層溝道區(qū)域，而且還能夠防止層間光源進(jìn)入有源層溝道區(qū)域，減少了光源對有源層的不良影響，提高薄膜晶體管的質(zhì)量。

實(shí)施例二：

基于前述實(shí)施例的發(fā)明構(gòu)思，圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管制作方法的流程圖，如圖4所示，本發(fā)明實(shí)施例中提供的薄膜晶體管制作方法，具體包括以下步驟：

步驟100、在基板上形成遮光層，其中，遮光層包括用于防止背光源進(jìn)入有源層溝道區(qū)域的第一層和用于防止層間光源進(jìn)入有源層溝道區(qū)域的第二層。

其中，基板為玻璃基板，在形成遮光層之間可以對基板進(jìn)行預(yù)清洗。

在本發(fā)明實(shí)施例中，第一層與第二層形成遮光圖案，需要說明的是，為了遮光層能夠盡可能多的阻擋背光源的光射到有源層的溝道區(qū)域上，遮光圖案在基板上的正投影大于或等于有源層的溝道區(qū)域在基板上的正投影。

在本實(shí)施例中，遮光層厚度為50-150納米，優(yōu)選地，遮光層的厚度為100納米，需要了解的是，只要第一層的厚度和第二層的厚度總和等于遮光層的厚度，本發(fā)明并不限定第一層和第二層的厚度，具體根據(jù)實(shí)際需求確定。

具體的，作為一種實(shí)現(xiàn)方式，第一層的材料為金屬，第二層的材料為氧化硅，其中，金屬可以為包括：鉬、金、銅、鋁或合金，本發(fā)明對此并不限制。需要說明的是，由于金屬的反射率較高，則由背光源射向有源層溝道區(qū)域光被反射回去，無法進(jìn)入有源層溝道區(qū)域，而由于氧化硅的反射率較低，則由層間光源射向氧化硅的光不能被反射到有源層溝道區(qū)域。需要了解的是，在該種實(shí)現(xiàn)方式中，步驟100、具體包括，依次在基板上采用電子束蒸鍍工藝，或者高真空化學(xué)氣象沉積工藝形成第一薄膜和第二薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成第一層和第二層的遮光層。

作為另外一種實(shí)現(xiàn)方式，第一層和第二層的材料均為包括金屬和氧化硅的復(fù)合物，其中，金屬可以為包括：鉬、金、銅、鋁或合金，本發(fā)明對此并不限制。需要說明的是，沿著厚度增加方向，遮光層的金屬的含量逐漸降低，氧化硅的含量逐漸增高，步驟100、具體包括，在基板上采用電子束蒸鍍工藝，或者高真空化學(xué)氣象沉積工藝形成第一薄膜和第二薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成第一層和第二層的遮光層。

步驟200、在形成有遮光層的基板上形成有源層。

具體的，有源層設(shè)置在第二層的一側(cè)，第一層設(shè)置在第二層的另一側(cè)。

本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管制作方法，具體包括：在基板上形成遮光層，其中，遮光層包括用于防止背光源進(jìn)入有源層溝道區(qū)域的第一層和用于防止層間光源進(jìn)入有源層溝道區(qū)域的第二層，在形成有遮光層的基板上形成有源層，通過形成有包括用于防止背光源進(jìn)入有源層溝道區(qū)域的第一層和用于防止層間光源進(jìn)入有源層溝道區(qū)域的第二層的遮光層，本發(fā)明不僅能夠防止背光源進(jìn)入有源層溝道區(qū)域，而且還能夠防止層間光源進(jìn)入有源層溝道區(qū)域，減少了光源對有源層的不良影響，提高薄膜晶體管的質(zhì)量。

下面結(jié)合圖5(a)-圖5(h)，進(jìn)一步地具體描述本發(fā)明實(shí)施例二提供的薄膜晶體管制作方法。

步驟301、在基板1上依次形成第一薄膜210和第二薄膜220，具體如圖5(a)所示。

其中，基板1為玻璃基板。具體通過電子束蒸鍍工藝，或者高真空化學(xué)氣象沉積工藝形成第一薄膜和第二薄膜。

其中，第一薄膜的材料為金屬，第二薄膜的材料為氧化硅，或者第一薄膜和第二薄膜的材料均為包括金屬和氧化硅的復(fù)合物，具體的，金屬包括鉬、金、銅、鋁或合金，需要了解的是，形成遮光層的金屬材料也可根據(jù)具體需求進(jìn)行不同選擇，本發(fā)明并不以此為限。

步驟302、通過構(gòu)圖工藝形成包括第一層21和第二層22的遮光層，具體如圖5(b)所示。

其中，構(gòu)圖工藝包括：光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝。

步驟303、在遮光層上沉積緩沖層3并覆蓋整個基板1，具體如圖5(c)所示。

具體的，采用cvd、蒸鍍或?yàn)R射方法沉積緩沖層，本發(fā)明實(shí)施例對此不作任何限定。其中，緩沖層3可以為結(jié)構(gòu)均勻致密的單層結(jié)構(gòu)的sinx或siox薄膜，sinx厚度為50-150nm，siox厚度為100-350nm，或者緩沖層可以為結(jié)構(gòu)均勻致密的雙層結(jié)構(gòu)sinx/siox薄膜，其中，sinx厚度為50-150nm，siox厚度為100-350nm，其中，雙層結(jié)構(gòu)的sinx/siox薄膜，上層為siox，下層為sinx。

步驟304、在緩沖層3上沉積非晶硅層，對非晶硅層進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火處理，使非晶硅層晶化為多晶硅層，通過包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝的構(gòu)圖工藝使多晶硅層形成有源層4，如圖5(d)所示。

其中，有源層4的溝道區(qū)域在基板上的正投影小于等于遮光層在基板上的正投影。

步驟305、在有源層4上形成柵絕緣層5并覆蓋整個基板，具體如圖5(e)所示。

具體的，柵絕緣層5與有源層4和基板1接觸。本發(fā)明實(shí)施例采用cvd、蒸鍍或?yàn)R射等方法在有源層上沉積柵絕緣層5，進(jìn)一步地，柵絕緣層可以為氧化硅層、氮化硅層或由氧化硅和氮化硅所組成的復(fù)合絕緣層等，本發(fā)明實(shí)施例對此不作任何限定。

步驟306、在柵絕緣層5上形成柵電極6，具體如圖5(f)所示。

具體的，在柵絕緣層上形成柵電極時，采用cvd、蒸鍍或?yàn)R射方法等沉積方法在柵絕緣層5上形成一金屬層，并通過包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝的構(gòu)圖工藝在柵極絕緣層上一次形成柵電極。

進(jìn)一步地，金屬層可以為金屬層、鎢層、鉻層或其他金屬及金屬化合物導(dǎo)電層等，本發(fā)明實(shí)施例對此不作任何限定。

步驟307、在柵電極6上形成層間絕緣層7并覆蓋整個基板，具體如圖5(g)所示。

具體的，可采用cvd、蒸鍍或?yàn)R射等方法在柵電極6上沉積層間絕緣層7，本發(fā)明實(shí)施例對此不作任何限定，其中，層間絕緣層7可以起到保護(hù)柵電極6、并隔離柵電極6和后續(xù)源漏電極的目的；其中，層間絕緣層7可由氧化硅、氮化硅等材料制備而成，本發(fā)明實(shí)施例對此不作任何限定。

步驟308、通過包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝的構(gòu)圖工藝，在層間絕緣層7及柵絕緣層5之內(nèi)形成貫通至有源層的源極過孔和漏極過孔，形成源漏電極8，源漏電極通過源極過孔、漏極過孔內(nèi)與有源層連接，具體可如圖5(h)所示。

具體的，在步驟308中，可在具備源極過孔以及漏極過孔的層間絕緣層7表面沉積一導(dǎo)電材料，并通過包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝的構(gòu)圖工藝來形成源漏電極。

其中，導(dǎo)電材料可以為金屬、鎢、鉻或其他金屬及金屬化合物等，本發(fā)明實(shí)施例對此不作任何限定。

步驟309、在源漏電極8上形成鈍化層9，具體可如圖1所示。

具體的，鈍化層9以起到保護(hù)源漏電極8、并隔離源漏電極8和后續(xù)像素電極的目的；其中，鈍化層9可由氧化硅、氮化硅等材料制備而成，本發(fā)明實(shí)施例對此不作任何限定。

實(shí)施例三：

基于前述實(shí)施例的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例三提供了一種陣列基板，包括薄膜晶體管。

其中，該薄膜晶體管為實(shí)施例一中描述的薄膜晶體管，其實(shí)現(xiàn)原理與實(shí)現(xiàn)效果類似，在此不再贅述。

實(shí)施例四：

基于前述實(shí)施例的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例四提供了一種顯示面板，包括陣列基板。

其中，該陣列基板為實(shí)施例三中描述的陣列基板，其實(shí)現(xiàn)原理與實(shí)現(xiàn)效果類似，在此不再贅述。

雖然本發(fā)明所揭露的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容僅為便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所揭露的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式及細(xì)節(jié)上進(jìn)行任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。