本發(fā)明涉及電子材料技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種互連工藝。

背景技術(shù)：

大功率電力電子器件或半導(dǎo)體器件需在高溫下具有良好的轉(zhuǎn)換特性和工作能力，除了器件中各組件自身的性能外，組件的封裝同樣影響電力電子器件或半導(dǎo)體器件的性能和長期可靠性。電力電子器件或半導(dǎo)體器件為電子互連件/電子組裝產(chǎn)品，即包括依次接觸的基板-互連材料-芯片，其是通過互連工藝將芯片與基板之間借助于互連材料進(jìn)行連接封裝；隨著功率半導(dǎo)體器件小型化、低功耗、高溫高壓的發(fā)展趨勢，對互連工藝也提出了更苛刻的性能需求：(1)保證芯片與基板可靠的機(jī)械連接；(2)具有較高的電導(dǎo)率以實現(xiàn)芯片與基板之間的電信號傳輸；(3)具有較高的熱導(dǎo)率以使熱量能夠有效地從功率芯片傳導(dǎo)到封裝結(jié)構(gòu)，提高功率芯片的散熱效果；(4)能夠匹配芯片與基板之間熱膨脹系數(shù)的差異，有效減小連接處應(yīng)力；(5)極端工作環(huán)境下具有互連穩(wěn)定性和可靠性。

傳統(tǒng)大功率器件互連工藝中，通常需要在高溫高壓下利用互連材料將芯片與基板的封裝互連。然而，隨著電子產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域和范圍的擴(kuò)大，對互連工藝也提出了越來越高的要求，逐漸傾向于向低溫低壓互連發(fā)展。一方面，互連溫度高，對互連設(shè)備、電子元件及基板材料的耐熱性能會提出嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，對于一些耐熱性差的電子器件，在高互連溫度下容易造成器件損傷；而且，對于一些特殊的電子產(chǎn)品如太陽能薄膜、led、lcd、溫控元件等必須在低溫下互連；另一方面，互連溫度高還不利于節(jié)能減排，而電子元器件互連封裝又是現(xiàn)代主體行業(yè)，高溫互連勢必對能源環(huán)境造成不小的問題。因此，如何降低互連工藝的溫度和壓力已成為本領(lǐng)域關(guān)注的熱點之一。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種互連工藝，本發(fā)明的互連方法能夠?qū)崿F(xiàn)在低溫?zé)o壓下條件下進(jìn)行電子元器件或大功率半導(dǎo)體器件的互連。

本發(fā)明提供了一種互連工藝，包括：

將互連材料印刷至基板上，靜置，再將芯片蓋于所述互連材料表面，于100～200℃下燒結(jié)，得到互連器件；

所述互連材料包括咪唑類化合物包覆納米銅顆粒粉體和分散液；

所述咪唑類化合物包覆納米銅顆粒粉體中，包覆在納米銅顆粒表面的咪唑類化合物選自苯并三氮唑、烷基咪唑、苯并咪唑、烷基苯并咪唑和烷基苯基咪唑中的一種或幾種。

優(yōu)選的，所述分散液選自乙醇、異丙醇、乙二醇、一縮二乙二醇、乙二醇甲醚和乙二醇丁醚中的一種或幾種。

優(yōu)選的，所述咪唑類化合物包覆納米銅顆粒粉體占互連材料的質(zhì)量比為50％～99％；

所述咪唑類化合物包覆納米銅顆粒粉體中，納米銅顆粒的粒徑為10～50nm。

優(yōu)選的，所述靜置的時間為20～200min。

優(yōu)選的，所述燒結(jié)的氣氛為氫氣與氮氣的混合氣氛、氫氣與氬氣的混合氣氛、氮氣氣氛或氬氣氣氛；

所述燒結(jié)的時間為10～120min。

優(yōu)選的，所述互連材料通過以下方式獲得：

a)將微溶性銅源、保護(hù)劑、絡(luò)合劑、還原劑和溶劑混合，于50～150℃下反應(yīng)，形成咪唑類化合物包覆納米銅顆粒粉體；

所述微溶性銅源選自氫氧化銅、乙酰丙酮酸銅、堿式碳酸銅、油酸銅、和草酸銅中的一種或幾種；

所述絡(luò)合劑選自苯并三氮唑、烷基咪唑、苯并咪唑、烷基苯并咪唑和烷基苯基咪唑中的一種或幾種；

b)漿所述咪唑包覆納米銅顆粒粉體與分散液混合，超聲分散及真空脫泡處理，得到納米銅膏互連材料。

優(yōu)選的，所述步驟a)中，所述溶劑選自乙醇、乙二醇、一縮二乙二醇、二縮二乙二醇、一縮二丙二醇和丙三醇中的一種或幾種；

所述微溶性銅源在溶劑中的濃度為0.001～1mol/l；

所述保護(hù)劑選自聚乙二醇、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、十六烷基三甲基溴化銨、十二烷基硫酸鈉和乙二胺四乙酸鈉中的一種或幾種；

所述還原劑選自l-抗壞血酸、檸檬酸、硼氫化鈉、硼氫化鉀、次磷酸鈉和水合肼中的一種或幾種。

優(yōu)選的，所述步驟a)中，保護(hù)劑與微溶性銅源的摩爾比為1：(1～15)；

絡(luò)合劑與微溶性銅源的摩爾比為1：(1～15)；

還原劑與微溶性銅源的摩爾比為1：(1～10)。

優(yōu)選的，所述步驟a)包括：

a1)將微溶性銅源、保護(hù)劑、絡(luò)合劑、還原劑和溶劑混合，于50～150℃下反應(yīng)，得到反應(yīng)液；

所述反應(yīng)的時間為10min～3h；

a2)將所述反應(yīng)液離心洗滌和干燥，形成咪唑類化合物包覆納米銅顆粒粉體。

優(yōu)選的，所述步驟b)中，所述超聲分散的功率為400～600w，時間為10～30min；

所述真空脫泡處理的攪拌速度為1000～5000r/min，時間為1～10min，真空度為-80～-120kpa。

本發(fā)明提供了一種互連工藝，包括：將互連材料印刷至基板上，靜置，再將芯片蓋于所述互連材料表面，于100～200℃下燒結(jié)，得到互連器件；所述互連材料包括咪唑類化合物包覆納米銅顆粒粉體和分散液；所述咪唑類化合物包覆納米銅顆粒粉體中，包覆在納米銅顆粒表面的咪唑類化合物選自苯并三氮唑、烷基咪唑、苯并咪唑、烷基苯并咪唑和烷基苯基咪唑中的一種或幾種。本發(fā)明的互連方法能夠在低溫?zé)o壓下條件下將芯片與基板互連，完成電子元器件或大功率半導(dǎo)體器件的連接封裝，能夠較好的應(yīng)用于高端電子器件的制造和半導(dǎo)體封裝等領(lǐng)域。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例1中互連工藝的流程示意圖。

具體實施方式

本發(fā)明提供了一種互連工藝，包括：

將互連材料印刷至基板上，靜置，再將芯片蓋于所述互連材料表面，于100～200℃下燒結(jié)，得到互連器件；

所述互連材料包括咪唑類化合物包覆納米銅顆粒粉體和分散液；

所述咪唑類化合物包覆納米銅顆粒粉體中，包覆在納米銅顆粒表面的咪唑類化合物選自苯并三氮唑、烷基咪唑、苯并咪唑、烷基苯并咪唑和烷基苯基咪唑中的一種或幾種。

本發(fā)明提供的互連方法能夠在低溫?zé)o壓下條件下將芯片與基板互連，完成電子元器件或大功率半導(dǎo)體器件的連接封裝。

按照本發(fā)明，首先提供互連材料。本發(fā)明中，所述互連材料包括咪唑類化合物包覆納米銅顆粒粉體和分散液。其中，所述咪唑類化合物包覆納米銅顆粒粉體中，核心部分是納米銅顆粒，納米銅顆粒表面包覆了咪唑類化合物有機(jī)層。本發(fā)明中，所述納米銅顆粒的粒徑優(yōu)選為100nm以下，更優(yōu)選為10～50nm。本發(fā)明中，包覆在納米銅顆粒表面的咪唑類化合物選自苯并三氮唑、烷基咪唑、苯并咪唑、烷基苯并咪唑和烷基苯基咪唑中的一種或幾種。采用所述咪唑類化合物能夠與納米銅顆粒結(jié)合，達(dá)到良好的分散性和抗氧化性；另外，在燒結(jié)制備互連器件時，能夠在適宜的低溫下燒結(jié)除去，達(dá)到優(yōu)異的抗氧化效果，提高燒結(jié)后的電熱互連性能。

上述咪唑類化合物包覆納米銅顆粒粉體與所述分散液混合，形成納米銅膏互連材料。本發(fā)明中，所述分散液優(yōu)選為揮發(fā)溫度或分解溫度低于200℃的化合物，更優(yōu)選為揮發(fā)溫度或分解溫度低于150℃的化合物，進(jìn)一步優(yōu)選為乙醇、異丙醇、乙二醇、一縮二乙二醇、乙二醇甲醚和乙二醇丁醚中的一種或幾種。本發(fā)明對所述分散液的來源沒有特殊限制，為一般市售品即可。

本發(fā)明提供的互連材料中，咪唑類化合物包覆納米銅顆粒粉體占整體膏體互連材料的質(zhì)量比優(yōu)選為50％～99％，更優(yōu)選為60％～99％。

本發(fā)明中，所述互連材料優(yōu)選通過以下方式獲得：

a)將微溶性銅源、保護(hù)劑、絡(luò)合劑、還原劑和溶劑混合，于50～150℃下反應(yīng)，形成咪唑類化合物包覆納米銅顆粒粉體；

所述微溶性銅源選自氫氧化銅、乙酰丙酮酸銅、堿式碳酸銅、油酸銅和草酸銅中的一種或幾種；

所述絡(luò)合劑選自苯并三氮唑、烷基咪唑、苯并咪唑、烷基苯并咪唑和烷基苯基咪唑中的一種或幾種；

b)將所述咪唑類化合物包覆納米銅顆粒粉體與分散液混合，超聲分散及真空脫泡處理，得到納米銅膏互連材料。

按照本發(fā)明，先將微溶性銅源、保護(hù)劑、絡(luò)合劑、還原劑和溶劑混合，于50～150℃下反應(yīng)，形成咪唑類化合物包覆納米銅顆粒粉體。

本發(fā)明中，所述微溶性銅源優(yōu)選選自氫氧化銅、乙酰丙酮酸銅、堿式碳酸銅、油酸銅和草酸銅中的一種或幾種。本發(fā)明對所述微溶性銅源的來源沒有特殊限制，為一般市售品即可。

本發(fā)明中，所述保護(hù)劑優(yōu)選為聚乙二醇、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、十六烷基三甲基溴化銨、十二烷基硫酸鈉和乙二胺四乙酸鈉中的一種或幾種。本發(fā)明對所述保護(hù)劑的來源沒有特殊限制，為一般市售品即可。本發(fā)明中，所述保護(hù)劑與上述微溶性銅源的摩爾比優(yōu)選為1：(1～15)。

本發(fā)明中，所述絡(luò)合劑優(yōu)選選自苯并三氮唑(即bta)、烷基咪唑(即ia)、苯并咪唑(即bia)、烷基苯并咪唑(即sba)和烷基苯基咪唑(即api)中的一種或幾種。本發(fā)明對所述絡(luò)合劑的來源沒有特殊限制，為一般市售品即可。本發(fā)明中，所述絡(luò)合劑與上述微溶性銅源的摩爾比優(yōu)選為1：(1～15)。

本發(fā)明中，所述還原劑優(yōu)選選自l-抗壞血酸、檸檬酸、硼氫化鈉、硼氫化鉀、次磷酸鈉和水合肼中的一種或幾種。本發(fā)明對所述還原劑的來源沒有特殊限制，為一般市售品即可。本發(fā)明中，所述還原劑與上述微溶性銅源的摩爾比優(yōu)選為1：(1～10)。

本發(fā)明中，所述溶劑優(yōu)選為乙醇、乙二醇、一縮二乙二醇、二縮二乙二醇、一縮二丙二醇和丙三醇中的一種或幾種。本發(fā)明對所述溶劑的來源沒有特殊限制，為一般市售品即可。本發(fā)明中，所述溶劑用量優(yōu)選為使微溶性銅源在溶劑中的濃度為0.001～1mol/l。

本發(fā)明中，將微溶性銅源、保護(hù)劑、絡(luò)合劑、還原劑與溶劑混合的方式?jīng)]有特殊限制，能夠?qū)⒏鹘M分混合均勻即可，如可以利用攪拌的方式進(jìn)行混合。本發(fā)明中，將混合均勻的原料液在50～150℃下反應(yīng)，進(jìn)而形成咪唑類化合物包覆納米銅顆粒粉體。本發(fā)明中，所述反應(yīng)的時間優(yōu)選為10min～3h。

本發(fā)明中，所述咪唑類化合物包覆納米銅顆粒中，核心部分是納米銅顆粒，納米銅顆粒表面包覆了咪唑類化合物有機(jī)層；其中，所述納米銅顆粒的粒徑優(yōu)選為100nm以下，更優(yōu)選為10～50nm。包覆在納米銅顆粒表面的咪唑類化合物為苯并三氮唑、烷基咪唑、苯并咪唑、烷基苯并咪唑和烷基苯基咪唑中的一種或幾種。

本發(fā)明中，具體的，將混合均勻的原料液在50～150℃下反應(yīng)后，優(yōu)先形成反應(yīng)液，將反應(yīng)液進(jìn)行離心洗滌和干燥后，得到咪唑類化合物包覆納米銅顆粒粉體。

本發(fā)明中，在進(jìn)行離心洗滌前，優(yōu)選先將反應(yīng)液冷卻至室溫。將冷卻至室溫的反應(yīng)液進(jìn)行離心洗滌時，優(yōu)選在5000～10000r/min的離心條件下進(jìn)行離心洗滌；所述離心洗滌所用的洗滌劑優(yōu)選為去離子水、無水乙醇和丙酮中的一種或幾種。所述離心洗滌的次數(shù)沒有特殊限制，能夠?qū)⒎磻?yīng)液中的咪唑類化合物包覆納米銅顆粒粉體洗滌干凈即可，優(yōu)選離心洗滌5次以上。

在離心洗滌后，將所得沉淀物進(jìn)行干燥；所述干燥優(yōu)選為真空干燥，如可以在-101kpa的真空度下室溫干燥6h；在所述干燥后，得到咪唑類化合物包覆納米銅顆粒粉體。

按照本發(fā)明，在得到咪唑類化合物包覆納米銅顆粒粉體后，將所述咪唑類化合物包覆納米銅顆粒粉體與分散液混合，超聲分散及真空脫泡處理，得到納米銅膏互連材料。

本發(fā)明中，在得到咪唑類化合物包覆納米銅顆粒粉體后，優(yōu)選先對其研磨；所述研磨的條件沒有特殊限制，能夠?qū)⒎垠w研磨分散即可。

在進(jìn)行研磨后，將咪唑類化合物包覆納米銅顆粒粉體與分散液混合。本發(fā)明中，所述分散液優(yōu)選為揮發(fā)溫度或分解溫度低于200℃的化合物，更優(yōu)選為揮發(fā)溫度或分解溫度低于150℃的化合物，進(jìn)一步優(yōu)選為乙醇、異丙醇、乙二醇、一縮二乙二醇、乙二醇甲醚和乙二醇丁醚中的一種或幾種。

本發(fā)明中，在進(jìn)行超聲分散時，優(yōu)選在400～600w的功率下進(jìn)行；所述超聲分散的時間優(yōu)選為10～30min。

本發(fā)明中，在進(jìn)行真空脫泡處理時，可以在真空脫泡攪拌機(jī)中進(jìn)行；所述真空脫泡的攪拌速度優(yōu)選為1000～5000r/min；所述真空脫泡處理的時間優(yōu)選為1～10min；所述真空脫泡處理優(yōu)選在-80～-120kpa的真空度下進(jìn)行。

本發(fā)明中，在所述超聲分散和真空脫泡處理后，得到納米銅膏互連材料。其中，咪唑類化合物包覆納米銅顆粒粉體占整體膏體互連材料的質(zhì)量比優(yōu)選為50％～99％，更優(yōu)選為60％～99％。

現(xiàn)有技術(shù)中的市售微納銅粉在應(yīng)用時抗氧化性差、且易團(tuán)聚成大尺寸顆粒；而按照本發(fā)明的制備方法制得的互連材料為納米銅膏互連材料，包含咪唑包覆銅顆粒粉體，所得膏體材料抗氧化性好，且互連材料膏體中咪唑包覆銅顆粒粉體分散均勻，不會團(tuán)聚成大尺寸顆粒，而是為單分散性良好的納米尺度顆粒，使所得納米銅膏互連材料分散性好，能夠較好的應(yīng)用于高端電子器件的制造和半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域。而且，采用市售微納銅粉進(jìn)行互連時，可使用性較差，對互連工藝中溫度和壓力要求較高，而采用本發(fā)明提供的互連材料，能夠?qū)崿F(xiàn)在低溫且無需額外加壓條件下進(jìn)行互連，滿足本領(lǐng)域?qū)Φ蜏氐蛪夯ミB的需求。

按照本發(fā)明，提供互連材料后，將互連材料印刷至基板上。本發(fā)明中，所采用的基板優(yōu)選為鍍銅基板，將互連材料印刷至基板的鍍銅層表面。本發(fā)明中，所述印刷的方式優(yōu)選為絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷、平版印刷或凹版印刷。

按照本發(fā)明，將互連材料印刷到基板后，靜置一定時間，使納米銅膏互連材料中的有機(jī)包覆層在燒結(jié)之前進(jìn)行一定程度的揮發(fā)，并大大提高納米銅膏互連材料燒結(jié)組織的致密度。本發(fā)明中，所述靜置的時間優(yōu)選為20～200min。

按照本發(fā)明，靜置后，將芯片蓋于所述互連材料表面。本發(fā)明中，在將芯片蓋于所述互連材料表面時，可將芯片一側(cè)傾斜緩緩蓋在互連材料表面，以防止芯片與互連材料之間產(chǎn)生氣泡。本發(fā)明中，所述芯片優(yōu)選為鍍銅芯片，在蓋芯片時，優(yōu)選將鍍銅層一面與互連材料接觸。

按照本發(fā)明，蓋設(shè)完芯片后，將所得試樣在100～200℃下燒結(jié)，得到互連器件。本發(fā)明中，所述燒結(jié)的氣氛優(yōu)選為氫氣與氮氣的混合氣氛、氫氣與氬氣的混合氣氛、氮氣氣氛或氬氣氣氛；燒結(jié)氣氛為混合氣氛時，混合氣氛中兩種氣體的比例沒有特殊限制，對于氫氣與氮氣的混合氣氛，氫氣的體積含量優(yōu)選為5％～10％；氫氣與氬氣的混合氣氛中，氫氣的體積含量優(yōu)選為5％～10％。采用上述互連材料，在所述氣氛下進(jìn)行低溫?zé)Y(jié)，能夠成功得到功率半導(dǎo)體互連器件。本發(fā)明中，所述燒結(jié)的時間優(yōu)選為10～120min。所述燒結(jié)無需施加外壓，在常壓下進(jìn)行即可。

本發(fā)明提供的互連工藝能夠在低溫?zé)o壓條件下實現(xiàn)大功率器件中芯片與基板的互連封裝，本發(fā)明采用特殊的納米銅膏互連材料，該互連材料中，咪唑包覆銅顆粒粉體表面特殊的有機(jī)保護(hù)層有利于提高納米銅顆粒的抗團(tuán)聚、抗氧化和助燒結(jié)性能，不僅有效防止納米銅顆粒被氧化，還可以起到清潔互連層表面的效果，大大提升了互連工藝的可靠性；在燒結(jié)過程中，咪唑有機(jī)層揮發(fā)或分解，還能達(dá)到免清洗焊料殘渣的效果?；ミB材料膏體中咪唑包覆銅顆粒粉體分散均勻，不會團(tuán)聚成大尺寸顆粒，而是為單分散性良好的納米尺度顆粒，使所得納米銅膏互連材料分散性好，進(jìn)一步提高互連工藝的可靠性。

為了進(jìn)一步理解本發(fā)明，下面結(jié)合實施例對本發(fā)明優(yōu)選實施方案進(jìn)行描述，但是應(yīng)當(dāng)理解，這些描述只是為進(jìn)一步說明本發(fā)明的特征和優(yōu)點，而不是對本發(fā)明權(quán)利要求的限制。

實施例1

1.1互連材料的制備

在丙三醇溶劑中加入微溶性銅源乙酰丙酮酸銅、保護(hù)劑乙二胺四乙酸鈉、絡(luò)合劑苯并三氮唑、還原劑次磷酸鈉，其中，銅源在溶劑中的濃度為0.2mol/l，保護(hù)劑與銅源的摩爾比為1∶10，絡(luò)合劑與銅源的摩爾比為1∶6，還原劑與銅源的摩爾比為1∶5；將上述原料液攪拌均勻后緩慢加熱到150℃，同時保持勻速攪拌150min后，形成反應(yīng)液；冷卻至室溫，在7000r/min下用丙酮離心洗滌5次，取沉淀物真空干燥，得到苯并三氮唑原位包覆的納米銅顆粒粉體，其中，納米銅顆粒的粒徑為50nm。將所得苯并三氮唑包覆的納米銅顆粒粉體研磨分散后，加入一定量的乙醇和乙二醇甲醚，在500w下超聲分散20min，之后在-101kpa的真空度下進(jìn)行真空脫泡處理，在3000r/min攪拌速度下真空脫泡處理5min，得到納米銅膏互連材料，其中，苯并三氮唑原位包覆的納米銅顆粒粉體占整體互連材料的質(zhì)量比為85％。

所得納米銅膏互連材料中，苯并三氮唑包覆的納米銅顆粒粉體中的銅顆粒的粒徑約為50nm，膏體分散性良好。所得納米銅膏互連材料在60天內(nèi)不被氧化，具有良好的抗氧化性。

1.2互連器件的制備

通過絲網(wǎng)印刷將上述納米銅膏互連材料承印于鍍銅基板上，靜置60min后，將鍍銅芯片一側(cè)傾斜緩緩蓋在互連材料表面；將所得試樣置于氫氣體積含量為5％的氫氣-氮氣混合氣氛中，于175℃下燒結(jié)保溫80min，得到功率半導(dǎo)體互連器件。上述互連工藝過程如圖1所示。

實施例2

1.1互連材料的制備

在一縮二乙二醇溶劑中加入微溶性銅源油酸銅、保護(hù)劑十二烷基硫酸鈉、絡(luò)合劑烷基苯并咪唑、還原劑l-抗壞血酸，其中，銅源在溶劑中的濃度為0.012mol/l，保護(hù)劑與銅源的摩爾比為1∶5，絡(luò)合劑與銅源的摩爾比為1∶5，還原劑與銅源的摩爾比為1∶3；將上述原料液攪拌均勻后緩慢加熱到90℃，同時保持勻速攪拌110min后，形成反應(yīng)液；冷卻至室溫，在7000r/min下用無水乙醇離心洗滌5次，取沉淀物真空干燥，得到烷基苯并咪唑原位包覆的納米銅顆粒粉體，其中，納米銅顆粒的粒徑為25nm。將所得烷基苯并咪唑包覆的納米銅顆粒粉體研磨分散后，加入乙二醇和乙二醇丁醚，在500w下超聲分散20min，之后在-101kpa的真空度下進(jìn)行真空脫泡處理，在3000r/min攪拌速度下真空脫泡處理5min，得到納米銅膏互連材料，其中，烷基苯并咪唑原位包覆的納米銅顆粒粉體占整體互連材料的質(zhì)量比為95％。

所得納米銅膏互連材料中，烷基苯并咪唑包覆的納米銅顆粒粉體中的銅顆粒的粒徑約為25nm，膏體分散性良好。所得納米銅膏互連材料在60天內(nèi)不被氧化，具有良好的抗氧化性。

1.2互連器件的制備

通過絲網(wǎng)印刷將上述納米銅膏互連材料承印于鍍銅基板上，靜置120min后，將鍍銅芯片一側(cè)傾斜緩緩蓋在互連材料表面；將所得試樣置于氫氣體積含量為10％的氫氣-氬氣混合氣氛中，于165℃下燒結(jié)保溫50min，得到功率半導(dǎo)體互連器件。

實施例3

1.1互連材料的制備

在二縮二乙二醇溶劑中加入微溶性銅源草酸銅、保護(hù)劑十二烷基硫酸鈉、絡(luò)合劑烷基苯并咪唑、還原劑l-抗壞血酸，其中，銅源在溶劑中的濃度為0.008mol/l，保護(hù)劑與銅源的摩爾比為1∶10，絡(luò)合劑與銅源的摩爾比為1∶6，還原劑與銅源的摩爾比為1∶4；將上述原料液攪拌均勻后緩慢加熱到100℃，同時保持勻速攪拌110min后，形成反應(yīng)液；冷卻至室溫，在9000r/min下用無水乙醇離心洗滌5次，取沉淀物真空干燥，得到烷基苯并咪唑原位包覆的納米銅顆粒粉體，其中，納米銅顆粒的粒徑為12nm。將所得烷基苯并咪唑包覆的納米銅顆粒粉體研磨分散后，加入異丙醇和乙二醇甲醚，在500w下超聲分散20min，之后在-101kpa的真空度下進(jìn)行真空脫泡處理，在3000r/min攪拌速度下真空脫泡處理5min，得到納米銅膏互連材料，其中，烷基苯并咪唑原位包覆的納米銅顆粒粉體占整體互連材料的質(zhì)量比為75％。

所得納米銅膏互連材料中，烷基苯并咪唑包覆的納米銅顆粒粉體中的銅顆粒的粒徑約為12nm，膏體分散性良好。所得納米銅膏互連材料在60天內(nèi)不被氧化，具有良好的抗氧化性。

1.2互連器件的制備

通過絲網(wǎng)印刷將上述納米銅膏互連材料承印于鍍銅基板上，靜置50min后，將鍍銅芯片一側(cè)傾斜緩緩蓋在互連材料表面；將所得試樣置于氫氣體積含量為10％的氫氣-氮氣混合氣氛中，于125℃下燒結(jié)保溫120min，得到功率半導(dǎo)體互連器件。

以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。