本發(fā)明涉及計算機領域，具體是一種鍵盤。

背景技術：

近年來，隨著科技的不斷發(fā)展，計算機已經(jīng)融入當今社會的各個方面和領域，計算機技術的應用和發(fā)展正在沖擊和改變著人們的思維方式的工作方式。隨著科學技術生產(chǎn)力的發(fā)展，各個領域?qū)τ谟嬎銠C技術和產(chǎn)品的要求在不斷提高，尤其是在國防軍隊，石油石化以及勘探電力等特殊環(huán)境下應用的專業(yè)化產(chǎn)品必然會成為計算機技術及產(chǎn)品發(fā)展的一種趨勢。

鍵盤作為計算機的一個獨立輸入設備，改為主要結(jié)構(gòu)多為abc塑料或pc材料，未進行電磁屏蔽處理，且鍵盤的按鍵序列矩陣排置，導致電磁輻射的方向相對集中，輻射強度約為1000v/m。目前，鍵盤所產(chǎn)生的電磁輻射和電磁泄漏已造成自然界人為電磁環(huán)境污染，威脅使用者身體健康和信息系統(tǒng)安全，隨著人類對信息安全和生存環(huán)境保護意識的增強，研制一種低輻射鍵盤組件勢在必行。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術問題是：如何解決鍵盤輻射的問題。

本發(fā)明所采用的技術方案是：一種低輻射鍵盤，包括用于實現(xiàn)鍵帽敲擊回彈復位的機械部分和電路板，機械部分包括硅膠粒、第一剪刀腳、鍵帽、第二剪刀腳和中板，在電路板和機械部分之間安裝厚度為0.2mm的銅板，在電路板下方安裝厚度為0.4mm的鐵板，在銅板對應按鍵的位置開直徑為5.5mm~6.5mm圓形開孔。

作為一種優(yōu)選方式：中板上對應任意兩鍵位之間有直徑為1mm的熱熔柱，銅板、電路板、鐵板對應中板的熱熔柱位置有直徑為1mm的熱熔柱孔，熱熔柱插入熱熔柱孔中。

作為一種優(yōu)選方式：電路板上的所有開孔周圍涂抹有防水膠。

作為一種優(yōu)選方式：在鍵盤外殼、銅板、鐵板的四周有固定孔，固定孔上安裝有螺釘。

本發(fā)明的有益效果是：具有低輻射、防水和輕便等特點，可以在在國防軍隊，石油石化以及勘測勘探等特殊環(huán)境下使用在不同的設備上。選用銅板、電路板和鐵板層疊安裝，具有良好的電磁屏蔽性能?？梢酝ㄟ^螺釘固定或膠粘的方式固定在垂直，水平以及傾斜的平面上，該連接結(jié)構(gòu)簡單合理且連接牢固。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的按鍵結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明的外觀示意圖；

圖3是本發(fā)明的銅板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明的鐵板結(jié)構(gòu)示意圖；

其中，1、熱熔柱孔，2、銅板，3、電路板，4、鐵板，5、硅膠粒，6、第一剪刀腳，7、鍵帽，8、第二剪刀腳，9、中板，10、固定孔，11、圓形開孔。

具體實施方式

如圖1-圖4所示，本發(fā)明是對現(xiàn)有的鍵盤的一種改進，主要目的是提高鍵盤的防輻射功能，本發(fā)明的改進主要有以下幾點。

在電路板的上方安裝厚度為0.2mm的銅板，在電路板的下方安裝厚度為0.4mm的鐵板，銅板具有良好的導電性。高頻時，銅箔良好的磁導率使得設備具有良好的電磁屏蔽性能，鐵板具有磁阻低的特性，低頻時，鐵板磁導率不被降低、自身磁阻低的特性使得設備具有良好的電磁屏蔽性能。

中板上對應任意兩鍵位之間有直徑為1mm的熱熔柱，銅板厚度為0.2mm，在鍵位中心處設計直徑5.5mm~6.5mm圓形開孔，硅膠粒通過圓形開孔與鍵帽直接接觸，在兩鍵位之間設計直徑約1mm的熱熔柱孔供中板熱熔柱貫穿限位。電路板為0.3mm厚的軟膜pcb板，對應中板的熱熔柱位置設計直徑約1mm的熱熔柱孔，并在孔周圍涂抹防水膠用于防水，防水等級滿足ip55，鐵板4厚度為0.4mm，對應位置設計直徑約1mm的熱熔柱孔對應中板的熱熔柱嵌入限位。硅膠粒穿過銅板的圓形開孔一端與鍵帽直接接觸，另一端與電路板直接接觸，鍵帽被第一剪刀腳和第二剪刀腳被緊緊卡在銅板上。

數(shù)據(jù)傳輸采用軟排線傳輸數(shù)據(jù)，使得線纜上的電磁輻射基本為0，可以使用在電磁輻射要求較為嚴格的場合。在鍵盤軟排線接插端子附著碳膜，碳膜長度小于8mm。

技術特征：

技術總結(jié)
本發(fā)明設計計算機領域，具體是一種鍵盤。一種低輻射鍵盤，包括用于實現(xiàn)鍵帽敲擊回彈復位的機械部分和電路板，機械部分包括硅膠粒、第一剪刀腳、鍵帽、第二剪刀腳和中板，在電路板和機械部分之間安裝厚度為0.2mm的銅板，在電路板下方安裝厚度為0.4mm的鐵板，在銅板對應按鍵的位置開直徑為5.5mm~6.5mm圓形開孔。本發(fā)明的有益效果是：具有低輻射、防水和輕便等特點，可以在國防軍隊，石油石化以及勘測勘探等特殊環(huán)境下使用在不同的設備上。

技術研發(fā)人員：郭子民;張馬莉;蔚繼平
受保護的技術使用者：太原斯利德電子技術有限公司
技術研發(fā)日：2017.06.22
技術公布日：2017.09.15