本發(fā)明屬于薄膜晶體管技術(shù)領(lǐng)域，具體地講，涉及一種金屬氧化物薄膜晶體管及其制作方法、顯示面板。

背景技術(shù)：

目前，在現(xiàn)有的顯示面板中，諸如液晶顯示面板或者oled顯示面板中，通常利用薄膜晶體管(tft)來作為控制開關(guān)。其中，薄膜晶體管通常都采用非晶硅(a-si)薄膜晶體管。

然而，眾所周知，非晶硅(a-si)薄膜晶體管的電子遷移率較低。與非晶硅薄膜晶體管相比，金屬氧化物薄膜晶體管的遷移率較高，且可應(yīng)用于透明顯示技術(shù)，故具有較高的研究開發(fā)價值。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管及其制作方法、顯示面板。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種金屬氧化物薄膜晶體管，其包括：基板；金屬氧化物半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述基板上，所述金屬氧化物半導(dǎo)體層包括半導(dǎo)體本體層以及分別位于所述半導(dǎo)體本體層兩端的源極接觸層和漏極接觸層；柵極絕緣層，設(shè)置于所述半導(dǎo)體本體層上；柵極，設(shè)置于所述柵極絕緣層上；第一鈍化層，設(shè)置于所述柵極、所述源極接觸層和所述漏極接觸層上，所述第一鈍化層中具有第一過孔和第二過孔，所述第一過孔暴露出所述源極接觸層，所述第二過孔暴露出所述漏極接觸層；源極和漏極，設(shè)置于所述第一鈍化層上，所述源極填充所述第一過孔，以與所述源極接觸層接觸，所述漏極填充所述第二過孔，以與所述漏極接觸層接觸。

可選地，所述半導(dǎo)體本體層由非晶的銦鎵鋅氧化物制成，所述源極接觸層和所述漏極接觸層由氫摻雜的銦鎵鋅氧化物制成。

可選地，所述金屬氧化物薄膜晶體管還包括：第二鈍化層，設(shè)置于所述柵極、所述源極接觸層、所述漏極接觸層上，所述第一鈍化層設(shè)置于所述第二鈍化層上。

可選地，所述第一鈍化層由硅的氧化物制成，所述第二鈍化層由硅的氮化物制成，所述第二鈍化層的厚度為5nm～50nm。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種顯示面板，其包括上述的金屬氧化物薄膜晶體管。

可選地，所述顯示面板為液晶顯示面板或者oled顯示面板。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，又提供了一種金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，其包括步驟：提供一基板；在所述基板上制作形成金屬氧化物半導(dǎo)體層；在所述金屬氧化物半導(dǎo)體層上制作形成柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上制作形成柵極；對所述柵極和所述柵極絕緣層進行圖案化處理，以將所述柵極和所述柵極絕緣層的兩端去除，從而將所述金屬氧化物半導(dǎo)體層的兩端暴露出；對暴露出的所述金屬氧化物半導(dǎo)體層的兩端進行離子注入，以分別形成源極接觸層和漏極接觸層；在所述柵極、所述源極接觸層和所述漏極接觸層上制作形成第一鈍化層；在所述第一鈍化層中制作形成第一過孔和第二過孔，所述第一過孔暴露出所述源極接觸層，所述第二過孔暴露出所述漏極接觸層；在所述第一鈍化層上制作形成源極和漏極，所述源極填充所述第一過孔，以與所述源極接觸層接觸，所述漏極填充所述第二過孔，以與所述漏極接觸層接觸。

可選地，在步驟“對暴露出的所述金屬氧化物半導(dǎo)體層的兩端進行離子注入，以分別形成源極接觸層和漏極接觸層”之后，且在步驟“在所述柵極、所述源極接觸層和所述漏極接觸層上制作形成第一鈍化層”之前，所述制作方法還包括步驟：在所述柵極、所述源極接觸層和所述漏極接觸層上制作形成第二鈍化層；在步驟“在所述第一鈍化層中制作形成第一過孔和第二過孔，所述第一過孔暴露出所述源極接觸層，所述第二過孔暴露出所述漏極接觸層”中，所述第一過孔和所述第二過孔分別貫通所述第二鈍化層。

可選地，在步驟“在所述基板上制作形成金屬氧化物半導(dǎo)體層”中，利用非晶的銦鎵鋅氧化物在所述基板上制作形成金屬氧化物半導(dǎo)體層。

可選地，在步驟“在所述柵極、所述源極接觸層和所述漏極接觸層上制作形成第一鈍化層”中，利用硅的氧化物在所述柵極、所述源極接觸層和所述漏極接觸層上制作形成第一鈍化層；在步驟“在所述柵極、所述源極接觸層和所述漏極接觸層上制作形成第二鈍化層”中，利用硅的氮化物在所述柵極、所述源極接觸層和所述漏極接觸層上制作形成第二鈍化層，所述第二鈍化層的厚度為5nm～50nm。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供了一種金屬氧化物薄膜晶體管，其具有較高的電子遷移率，并且具有該金屬氧化物薄膜晶體管的顯示面板具有高可靠性、高亮度、低功耗等優(yōu)點。

附圖說明

通過結(jié)合附圖進行的以下描述，本發(fā)明的實施例的上述和其它方面、特點和優(yōu)點將變得更加清楚，附圖中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的金屬氧化物薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a至圖2j是根據(jù)本發(fā)明的實施例的金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法的流程圖。

具體實施方式

以下，將參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的實施例。然而，可以以許多不同的形式來實施本發(fā)明，并且本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為限制于這里闡述的具體實施例。相反，提供這些實施例是為了解釋本發(fā)明的原理及其實際應(yīng)用，從而使本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明的各種實施例和適合于特定預(yù)期應(yīng)用的各種修改。

在附圖中，為了清楚器件，夸大了層和區(qū)域的厚度。相同的標(biāo)號在整個說明書和附圖中表示相同的元器件。

將理解的是，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板的元件被稱作“在”另一元件“上”時，該元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中間元件?？蛇x擇地，當(dāng)元件被稱作“直接在”另一元件“上”時，不存在中間元件。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的金屬氧化物薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。

參照圖1，根據(jù)本發(fā)明的實施例的金屬氧化物薄膜晶體管包括基板100、金屬氧化物半導(dǎo)體層200、柵極絕緣層300、柵極400、第一鈍化層500、第二鈍化層600、源極700和漏極800。

具體而言，基板100可例如是玻璃基板或者樹脂基板。

金屬氧化物半導(dǎo)體層200設(shè)置于基板100上。金屬氧化物半導(dǎo)體層200包括半導(dǎo)體本體層210以及分別位于半導(dǎo)體本體層210兩端的源極接觸層220和漏極接觸層230。在本實施例中，優(yōu)選地，半導(dǎo)體本體層210由非晶的銦鎵鋅氧化物制成，而源極接觸層220和漏極接觸層230由氫摻雜的非晶的銦鎵鋅氧化物制成，但本發(fā)明并不限制于此。

柵極絕緣層300設(shè)置于半導(dǎo)體本體層210上。這里，柵極絕緣層300可例如是在半導(dǎo)體本體層210上形成的sinx/siox結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明并不限制于此，例如柵極絕緣層300也可以是單層的sinx結(jié)構(gòu)或siox結(jié)構(gòu)。

柵極400設(shè)置于柵極絕緣層500上。柵極400可例如是鉬鋁鉬(moalmo)結(jié)構(gòu)或鈦鋁鈦(tialti)結(jié)構(gòu)，也可以是單層的鉬結(jié)構(gòu)或者單層的鋁結(jié)構(gòu)。

第二鈍化層600設(shè)置于柵極400、源極接觸層220和漏極接觸層230上。在本實施例中，優(yōu)選地，第二鈍化層600可以由硅的氮化物(諸如sinx)形成，且其厚度為5nm～50nm，但本發(fā)明并不限制于此。作為本發(fā)明的另一實施方式，第二鈍化層600可以不存在。

第一鈍化層500設(shè)置于第二鈍化層600上。在本實施例中，優(yōu)選地，第一鈍化層500由硅的氧化物(諸如siox)形成，但本發(fā)明并不限制于此。當(dāng)?shù)诙g化層600不存在時，第一鈍化層500直接設(shè)置于柵極400、源極接觸層220和漏極接觸層230上。

進一步地，第一鈍化層500和第二鈍化層600中具有第一過孔561和第二過孔562，第一過孔561暴露出源極接觸層220，第二過孔562暴露出漏極接觸層230。

源極700和漏極800設(shè)置于第一鈍化層500上，源極700填充第一過孔561，以與源極接觸層220接觸，源極700填充第二過孔562，以與所述漏極接觸層230接觸。源極700和漏極800可采用鉬鋁鉬(moalmo)結(jié)構(gòu)或鈦鋁鈦(tialti)結(jié)構(gòu)，也可以是單層的鉬結(jié)構(gòu)或者單層的鋁結(jié)構(gòu)

根據(jù)本發(fā)明的實施例的金屬氧化物薄膜晶體管可應(yīng)用于顯示面板中，諸如液晶顯示面板和oled顯示面板中。本發(fā)明的實施例的金屬氧化物薄膜晶體管具有較高的電子遷移率，并且具有該金屬氧化物薄膜晶體管的顯示面板具有高可靠性、高亮度、低功耗等優(yōu)點。

圖2a至圖2j是根據(jù)本發(fā)明的實施例的金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法的流程圖。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法包括：

步驟一：參照圖2a，提供一基板100。這里，基板100可例如為一絕緣且透明的玻璃基板或樹脂基板。

步驟二：參照圖2b，在基板100上制作形成金屬氧化物半導(dǎo)體層200。在本實施例中，優(yōu)選地，金屬氧化物半導(dǎo)體層200由非晶的銦鎵鋅氧化物制成，但本發(fā)明并不限制于此。

步驟三：參照圖2c，在金屬氧化物半導(dǎo)體層200上制作形成柵極絕緣層300。這里，柵極絕緣層300可例如是在半導(dǎo)體本體層210上形成的sinx/siox結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明并不限制于此，例如柵極絕緣層300也可以是單層的sinx結(jié)構(gòu)或siox結(jié)構(gòu)。

步驟四：參照圖2d，在柵極絕緣層300上制作形成柵極400。柵極400可例如是鉬鋁鉬(moalmo)結(jié)構(gòu)或鈦鋁鈦(tialti)結(jié)構(gòu)，也可以是單層的鉬結(jié)構(gòu)或者單層的鋁結(jié)構(gòu)。

步驟五：參照圖2e，對柵極400和柵極絕緣層300進行圖案化處理，以將柵極400和柵極絕緣層300的兩端去除，從而將金屬氧化物半導(dǎo)體層200的兩端暴露出；

步驟六：參照圖2f，對暴露出的金屬氧化物半導(dǎo)體層200的兩端進行離子注入，以分別形成源極接觸層220和漏極接觸層230。其中位于源極接觸層220和漏極接觸層230之間的半導(dǎo)體本體層210。此外，在該步驟中，利用氫離子進行離子注入，但本發(fā)明并不限制于此。

步驟七：參照圖2g，在柵極400、源極接觸層220和漏極接觸層230上制作形成第二鈍化層600。這里，第二鈍化層600可以由硅的氮化物(諸如sinx)形成，且其厚度為5nm～50nm，但本發(fā)明并不限制于此。作為本發(fā)明的另一實施方式，第二鈍化層600可以不存在，即該步驟可以被省略。

步驟八：參照圖2h，在第二鈍化層600上制作形成第一鈍化層500。這里，第一鈍化層500由硅的氧化物(諸如siox)形成，但本發(fā)明并不限制于此。當(dāng)步驟七被省略時，在柵極400、源極接觸層220和漏極接觸層230上直接制作形成第一鈍化層500。

步驟九：參照圖2i，在第一鈍化層500和第二鈍化層600中制作形成第一過孔561和第二過孔562，第一過孔561暴露出源極接觸層220，第二過孔562暴露出漏極接觸層230。

步驟十：參照圖2j，在第一鈍化層500上制作形成源極700和漏極800，源極700填充第一過孔561，以與源極接觸層220接觸，漏極800填充第二過孔562，以與漏極接觸層230接觸。

雖然已經(jīng)參照特定實施例示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解：在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可在此進行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。