本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池制造的技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種太陽(yáng)能電池返工片的處理方法。

背景技術(shù)：

在光伏電池生產(chǎn)過(guò)程中，會(huì)產(chǎn)生很多臟片需要返制絨，而返制絨目前最大的難題是亮面片問(wèn)題。返制絨后會(huì)導(dǎo)致晶界晶格更加明顯，在鍍膜及印刷燒結(jié)后會(huì)形成亮面片，進(jìn)而導(dǎo)致色差明顯。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種太陽(yáng)能電池返工片的處理方法，其無(wú)需二次制絨、節(jié)省酸用量，且無(wú)需返工片的前置鍍膜工藝、減少色差，解決了返工片的亮面問(wèn)題。

一種太陽(yáng)能電池返工片的處理方法，其特征在于：將鍍膜的臟片洗去膜，之后將洗去膜的硅片用爐前清洗工藝再清洗一次去掉硅片表面的臟污以及金屬離子，之后將清洗后的硅片置于擴(kuò)散爐管內(nèi)進(jìn)行熱氧化工藝，通過(guò)熱氧化工藝增加擴(kuò)散氮及小氧保證片子方阻基本不變，且形成10nm±2nm的氧化層，之后將熱氧化后的硅片進(jìn)行濕法刻蝕工藝及正常鍍膜工藝鍍膜；鍍膜出來(lái)后，將電池片經(jīng)過(guò)正常印刷圖，檢測(cè)，制成電池片。

其進(jìn)一步特征在于：

將鍍膜的臟片通過(guò)50％的hf酸洗去si3n4膜；

所述爐前清洗工藝具體為將洗去膜的硅片順次通過(guò)鏈?zhǔn)街平q機(jī)所對(duì)應(yīng)的清洗槽、堿洗槽、酸洗槽，其中清洗槽、堿洗槽、酸洗槽中的溶液均單獨(dú)配置，清洗槽內(nèi)配置有10±0.5％的hf、堿洗槽內(nèi)配置有5.5±0.5％naoh、酸洗槽內(nèi)配置有5±0.5％的hf和3±0.5％的hcl；

所述爐前清洗工藝具體也可以為將洗去膜的硅片順次通過(guò)爐前清洗槽所對(duì)應(yīng)的第一hf槽、第二hf槽、hcl槽，其中第一hf槽內(nèi)配置有5±2％的hf、第二hf槽內(nèi)配置有8±2％的hf、hcl槽配置有10±5％的hcl；

所述熱氧化工藝需要分八步具體進(jìn)行，八步中硅片均置于擴(kuò)散爐管內(nèi)，具體每步的工藝參數(shù)如下表：

其中，擴(kuò)散氮及小氧為通過(guò)額外接口通入，且單步時(shí)間內(nèi)通入，過(guò)了步驟就立馬變成0；

所述濕法刻蝕工藝用于去除氧化層、氧化層中的臟污；

所述濕法刻蝕工藝具體為將熱氧化后的硅片順次通過(guò)刻蝕槽、堿槽、酸槽進(jìn)行處理，去除硅片表面的氧化層、同時(shí)去除氧化層中的臟污；

所述刻蝕槽內(nèi)溶液的配比hf∶hno3∶h2o＝3∶35∶5，所述堿槽內(nèi)的溶液配比naoh∶h2o＝1∶10，所述酸槽內(nèi)的溶液配比hf∶h2o＝1∶3；

所述刻蝕槽內(nèi)溶液的含量為30l的hf、350l的hno3、50l的h2o，所述堿槽內(nèi)溶液的含量為5l的naoh、50l的h2o。所述酸槽內(nèi)溶液的含量為50l的hf、150l的h2o。

采用本發(fā)明后，通過(guò)將臟片洗去鍍膜，然后用爐前清洗工藝再清洗一次去掉硅片表面的臟污以及金屬離子，之后將清洗后的硅片置于擴(kuò)散爐管內(nèi)進(jìn)行熱氧化工藝，通過(guò)熱氧化工藝增加擴(kuò)散氮及小氧保證片子方阻基本不變，且形成10nm左右的氧化層，之后將熱氧化后的硅片進(jìn)行濕法刻蝕工藝及正常鍍膜工藝鍍膜；鍍膜出來(lái)后，將電池片經(jīng)過(guò)正常印刷圖，檢測(cè)，制成電池片，其不需要經(jīng)過(guò)二次制絨，將返工片通過(guò)熱氧化方法去除臟污，并正常流程下傳，最終仍然作為a類片包裝，熱氧化的方案能最少的影響絨面結(jié)構(gòu)及反射率，在擴(kuò)散端使用熱氧化工藝在硅片表面生成一層10nm左右sio2層，大部分臟污都包含在其中，因此在濕刻機(jī)臺(tái)的去psg槽隨著sio2一起去除，此方法由于對(duì)絨面基本無(wú)影響，因此不會(huì)有亮面片問(wèn)題，而且熱氧化有鈍化效果能更小程度的影響效率；綜上，其無(wú)需二次制絨、節(jié)省酸用量，且無(wú)需返工片的前置鍍膜工藝、減少色差，解決了返工片的亮面問(wèn)題。

具體實(shí)施方式

一種太陽(yáng)能電池返工片的處理方法：將鍍膜的臟片洗去膜，之后將洗去膜的硅片用爐前清洗工藝再清洗一次去掉硅片表面的臟污以及金屬離子，之后將清洗后的硅片置于擴(kuò)散爐管內(nèi)進(jìn)行熱氧化工藝，通過(guò)熱氧化工藝增加擴(kuò)散氮及小氧保證片子方阻基本不變，且形成10nm±2nm的氧化層，之后將熱氧化后的硅片進(jìn)行濕法刻蝕工藝及正常鍍膜工藝鍍膜；鍍膜出來(lái)后，將電池片經(jīng)過(guò)正常印刷圖，檢測(cè)，制成電池片。

將鍍膜的臟片通過(guò)50％的hf酸洗去si3n4膜；

爐前清洗工藝包括兩種方法，第一種具體為將洗去膜的硅片順次通過(guò)鏈?zhǔn)街平q機(jī)所對(duì)應(yīng)的清洗槽、堿洗槽、酸洗槽，其中清洗槽、堿洗槽、酸洗槽中的溶液均單獨(dú)配置，清洗槽內(nèi)配置有10±0.5％的hf、堿洗槽內(nèi)配置有5.5±0.5％naoh、酸洗槽內(nèi)配置有5±0.5％的hf和3±0.5％的hcl，該工藝不需要增加機(jī)臺(tái)，直接過(guò)鏈?zhǔn)街平q機(jī)即可、其可大大增加清洗效率；

第二種具體為將洗去膜的硅片順次通過(guò)爐前清洗槽所對(duì)應(yīng)的第一hf槽、第二hf槽、hcl槽，其中第一hf槽內(nèi)配置有5±2％的hf、第二hf槽內(nèi)配置有8±2％的hf、hcl槽配置有10±5％的hcl；

將通過(guò)上述兩種爐前清洗工藝所獲得的清洗后的硅片于擴(kuò)散爐管內(nèi)進(jìn)行熱氧化工藝，熱氧化工藝需要分八步具體進(jìn)行，八步中硅片均置于擴(kuò)散爐管內(nèi)，具體每步的工藝參數(shù)如下表：

其中，擴(kuò)散氮及小氧為通過(guò)額外接口通入，且單步時(shí)間內(nèi)通入，過(guò)了步驟就立馬變成0；

濕法刻蝕工藝用于去除氧化層、氧化層中的臟污；濕法刻蝕工藝具體為將熱氧化后的硅片順次通過(guò)刻蝕槽、堿槽、酸槽進(jìn)行處理，去除硅片表面的氧化層、同時(shí)去除氧化層中的臟污；

刻蝕槽內(nèi)溶液的配比hf∶hno3∶h2o＝3∶35∶5，堿槽內(nèi)的溶液配比naoh∶h2o＝1∶10，酸槽內(nèi)的溶液配比hf∶h2o＝1∶3；

刻蝕槽內(nèi)溶液的具體含量為30l的hf、350l的hno3、50l的h2o，堿槽內(nèi)溶液的具體含量為5l的naoh、50l的h2o。酸槽內(nèi)溶液的具體含量為50l的hf、150l的h2o。

采用本發(fā)明的方法后，其通過(guò)和現(xiàn)有技術(shù)的處理返工片的參數(shù)對(duì)比如下：

熱氧化處理的返工片幾乎沒(méi)有亮面，確保成片不會(huì)產(chǎn)生色差，保證了電池返工片處理后的成片質(zhì)量。

以上對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，但內(nèi)容僅為本發(fā)明創(chuàng)造的較佳實(shí)施例，不能被認(rèn)為用于限定本發(fā)明創(chuàng)造的實(shí)施范圍。凡依本發(fā)明創(chuàng)造申請(qǐng)范圍所作的均等變化與改進(jìn)等，均應(yīng)仍歸屬于本專利涵蓋范圍之內(nèi)。