本發(fā)明屬于雷達電子設備技術領域，具體地講涉及一種用于雷達的合成器結構。

背景技術：

隨著電子技術的日益發(fā)展，高度集成已必然成為發(fā)展趨勢。對于復雜的雷達系統(tǒng)，系統(tǒng)內部包含了眾多的模塊結構，而為了得到高度集成的模塊結構就需要對雷達模塊進行結構集成、屏蔽方面進行設計，從而達到降低雷達的生產成本，提高結構運行可靠性的目的。目前，合成器結構的使用越來越普遍，如何增強合成器的集成性和屏蔽性、提高合成器結構運行的可靠性，是目前急待解決的問題。

技術實現(xiàn)要素：

根據現(xiàn)有技術中存在的問題，本發(fā)明提供了一種用于雷達的合成器結構，該合成器結構具有多接口、高集成和強屏蔽的特點，提高了合成器結構運行的可靠性。

本發(fā)明采用以下技術方案：

一種用于雷達的合成器結構，包括盒體、導體、蓋板、連接器；所述盒體與蓋板固定連接，構成一個腔體；所述導體位于所述腔體內，所述連接器位于腔體外，且連接器與導體相連。

優(yōu)選的，由盒體與蓋板構成的腔體為長方體腔體；所述連接器包括一個輸出連接器和八個輸入連接器，其均通過法蘭固定在延腔體長度方向的盒體側壁上。

進一步優(yōu)選的，所述導體為四層滿二叉樹結構，其包括一個合成腿和八個分支腿，滿二叉樹根結點所在的合成腿與穿過盒體側壁的輸出連接器的探針之間通過錫焊相連，滿二叉樹八個葉子節(jié)點所在的八個分支腿分別與穿過盒體側壁的輸入連接器的探針之間通過錫焊相連；所述導體為扁平狀，其合成腿與八個分支腿均處于一個平面上。

更進一步優(yōu)選的，所述盒體的內側底部設有多個隔塊，所述隔塊位于滿二叉樹每層左子樹與右子樹所在的分支的中間、滿二叉樹第一層左子樹的左側和滿二叉樹第一層右子樹的右側，所述隔塊的高度與盒體的高度相同。

更進一步優(yōu)選的，所述導體通過多個由支撐架與支撐帽組成的組合件架在所述盒體與蓋板之間，所述支撐架由均為圓柱體的底座和貫穿件組成，底座與貫穿件的軸線處于一條直線上且貫穿件的底面直徑小于底座的底面直徑，所述支撐帽為管柱狀，其與支撐架的貫穿件套合；所述導體上設有多個沉孔，沉孔的小孔直徑介于貫穿件的底面直徑和底座的底面直徑之間，沉孔的大孔直徑大于支撐帽的外徑；所述盒體的內側底部設有多個盲孔，所述支撐架的底座卡接在盲孔內，支撐架的貫穿件通過沉孔貫穿導體并與支撐帽套合，所述支撐帽的底部卡接在沉孔的大孔內，其頂部支撐在蓋板的內壁上。

更進一步優(yōu)選的，所述盒體的側壁頂端設有多個凸塊，所述蓋板與凸塊相應位置上設有多個槽口，所述蓋板通過凸塊和槽口的嵌套配合卡接在盒體的頂端；所述盒體的側壁頂端和隔塊上設有多個螺紋孔，所述蓋板與螺紋孔相應的位置上設有多個通孔，所述蓋板通過螺釘固定在盒體和隔塊的頂端。

更進一步優(yōu)選的，所述盒體的四角均設有固定孔；所述盒體的外側底部設有多個凹槽。

更進一步優(yōu)選的，所述蓋板頂部的每個連接器的相應位置上設有絲網漏印標識。

更進一步優(yōu)選的，所述盒體和蓋板均采用鋁合金材料，其表面均經導電氧化處理；所述導體采用銅合金材料，其表面經鍍銀處理。

本發(fā)明的有益效果在于：

1)本發(fā)明包括盒體、導體、蓋板、連接器，所述導體位于由盒體與蓋板構成的腔體內，所述連接器位于腔體外，連接器與導體相連接。盒體、蓋板和連接器共同形成一個密閉的空間，滿足了電子設備電磁兼容性的設計要求；同時，導體為四層滿二叉樹結構，具有體積小、集成度高的優(yōu)點，滿足了電子設備模塊化設計要求；從而，該合成器結構增強了合成器的集成性和屏蔽性，提高了合成器結構運行的可靠性。

2)本發(fā)明盒體的內側底部設有多個隔塊，且隔塊位于滿二叉樹每層左子樹與右子樹所在的分支的中間，隔塊的設置起到了使連接器之間相互隔離的作用，增強了合成器的屏蔽性，同時隔塊上設有多個螺紋孔，使蓋板通過螺釘固定在隔塊上，增強了蓋板的固定性。

3)本發(fā)明的導體通過多個由支撐架與支撐帽組成的組合件架在所述盒體與蓋板之間，且支撐架的底座卡接在盲孔內，支撐架的貫穿件通過沉孔的小孔貫穿導體并與支撐帽套合，支撐帽的底部卡接在沉孔的大孔內，頂部支撐在蓋板的內壁上，使導體能夠穩(wěn)定的架在盒體和蓋板之間，增強了合成器的屏蔽性和穩(wěn)定性。

4)本發(fā)明的蓋板通過凸塊和槽口卡接在盒體的頂端，且蓋板通過螺釘與盒體固定，使蓋板和盒體的連接具有穩(wěn)定性強、密封性好的優(yōu)點，同時也便于安裝和拆卸。

5)本發(fā)明的盒體的四角均設有固定孔，便于合成器的安裝和固定；盒體的外側底部設有多個凹槽，降低了合成器的重量，提高了便攜性。

6)本發(fā)明盒體和蓋板均采用鋁合金材料，且其表面均經導電氧化處理；導體采用銅合金材料，且其表面經鍍銀處理，提高了合成器的導電性和耐腐蝕性，延長了合成器的使用壽命，滿足了合成器電磁兼容性的要求。

7)本發(fā)明蓋板頂部的每個連接器的相應位置上設有絲網漏印標識，能夠直接明了的區(qū)分各連接器，為接線工作提供了便利。

附圖說明

圖1為本發(fā)明合成器結構的結構爆炸示意圖。

圖2為本發(fā)明合成器結構的俯視圖。

圖3為本發(fā)明合成器結構的前視圖。

圖4為本發(fā)明合成器結構的左視圖。

圖5為本發(fā)明合成器結構的仰視圖

圖6為本發(fā)明合成器去除蓋板后的俯視圖。

附圖標記：10-盒體，11-凸塊，12-螺紋孔，13-固定孔，14-凹槽，

20-導體，21-合成腿，22-分支腿，30-蓋板，31-槽口，40-連接器，

41-輸出連接器，42-輸入連接器，50-隔塊，61-支撐架，62-支撐帽。

具體實施方式

下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

如圖1、圖2、圖3、圖4、圖6所示，一種用于雷達的合成器結構，包括盒體10、導體20、蓋板30、連接器40；所述盒體10與蓋板30固定連接，構成一個腔體；所述導體20位于所述腔體內，所述連接器40位于腔體外，且連接器40與導體20相連；由盒體10與蓋板30構成的腔體為長方體腔體；所述連接器40包括一個輸出連接器41和八個輸入連接器42，其均通過法蘭固定在延腔體長度方向的盒體10側壁上。

需要指出的是，本實施例中輸入連接器的個數(shù)為八個，但不僅僅限于八個。

其中，延腔體長度方向的盒體10的兩邊側壁上各設有四個輸入連接器42，一個輸出連接器41位于一邊側壁上。

所述導體20為四層滿二叉樹結構，其包括一個合成腿21和八個分支腿22，滿二叉樹根結點所在的合成腿21與穿過盒體10側壁的輸出連接器41的探針之間通過錫焊相連，滿二叉樹八個葉子節(jié)點所在的八個分支腿22分別與穿過盒體10側壁的輸入連接器42的探針之間通過錫焊相連；所述導體20為扁平狀，其合成腿21與八個分支腿22均處于一個平面上；所述盒體10的內側底部設有多個隔塊50，所述隔塊50位于滿二叉樹每層左子樹與右子樹所在的分支的中間、滿二叉樹第一層左子樹的左側和滿二叉樹第一層右子樹的右側，所述隔塊50的高度與盒體10的高度相同。

所述導體20通過多個由支撐架61與支撐帽62組成的組合件架在所述盒體10與蓋板30之間，所述支撐架61由均為圓柱體的底座和貫穿件組成，底座與貫穿件的軸線處于一條直線上且貫穿件的底面直徑小于底座的底面直徑，所述支撐帽62為管柱狀，其與支撐架61的貫穿件套合；所述導體20上設有多個沉孔，沉孔的小孔直徑介于貫穿件的底面直徑和底座的底面直徑之間，沉孔的大孔直徑大于支撐帽62的外徑；所述盒體10的內側底部設有多個盲孔，所述支撐架61的底座卡接在盲孔內，支撐架61的貫穿件通過沉孔貫穿導體20并與支撐帽62套合，所述支撐帽62的底部卡接在沉孔的大孔內，其頂部支撐在蓋板30的內壁上。

所述盒體10的側壁頂端設有多個凸塊11，所述蓋板30與凸塊11相應位置上設有多個槽口31，所述蓋板30通過凸塊11和槽口31的嵌套配合卡接在盒體10的頂端；所述盒體10的側壁頂端和隔塊50上設有多個螺紋孔12，所述蓋板30與螺紋孔12相應的位置上設有多個通孔，所述蓋板30通過螺釘固定在盒體10和隔塊50的頂端；所述盒體10的四角均設有固定孔13。

如圖5所示，所述盒體10的外側底部設有多個凹槽14。

如圖2所示，所述蓋板30頂部的每個連接器40的相應位置上設有絲網漏印標識。

所述盒體10和蓋板30均采用鋁合金材料，其表面均經導電氧化處理；所述導體20采用銅合金材料，其表面經鍍銀處理。

為了達到最大功效，本發(fā)明在使用前安裝時需要注意得是：導體20需保持平整，不可有彎曲變形；安裝時測量支撐架61的高度是否一致，選擇高度一致性好的支撐帽62進行安裝。支撐架61要與盒體底部的盲孔緊密卡接，保證支撐架61不會位移。

導體20安裝時，導體20上的焊錫需處理平整光滑，杜絕毛刺，盒體10內部需用高壓氣槍吹，保證無焊錫渣和其他異物；安裝好導體20后測量導體20與盒體10底部高度是否一致，導體20是否變形；檢查完畢后，蓋上蓋板，通過螺釘固定。

本發(fā)明在工作時，八路小功率信號通過射頻分別接入到八個輸入連接器41，并通過導體20進行合成，導體的二叉樹結構完成了八路小功率信號的合成，合成后的大功率信號通過射頻由輸出連接器42輸出，從而實現(xiàn)了八路小功率信號合成為一路大功率信號。

合成器的技術指標是體現(xiàn)合成器的工作性能優(yōu)劣的重要標準，合成器的技術指標具體如下：

1)中心頻率：2800mhz

2)工作帶寬：±100mhz(2.7—2.9ghz)

3)帶內損耗：≤10db

4)端口駐波比：≤1.3

5)幅相一致性：小于等于±4°

對本發(fā)明合成器結構進行測試后，得到的測試數(shù)據如表1所示。

表1：

目前，采用微帶板結構形式的合成器應用比較廣泛，其測試數(shù)據如表2所示。

表2：

技術指標中，插損il≤0.5db，是指幅度值相對于理想幅度值的偏差≤0.5db，本發(fā)明實施例的合成器結構為八合一合成器，根據公式可求得理想幅度值為：

因此，插損il≤0.5db，即幅度值≤9.5db；幅度值越小，表明合成器性能越好。

如表1和表2所示，本發(fā)明合成器結構的幅度值范圍為9.02～9.29db，采用微帶板結構形式的合成器的幅度值范圍為9.29～9.49db，可得，本發(fā)明合成器結構的幅度值小于采用微帶板結構形式的合成器的幅度值；本發(fā)明合成器結構的幅度一致性為≤±0.27，相位一致性為≤±1.9，采用微帶板結構形式的合成器的幅度一致性為≤±0.29，相位一致性為≤±1.95，可得，本發(fā)明合成器結構的幅度一致性和幅度一致性均優(yōu)于采用微帶板結構形式的合成器。

因此，將本發(fā)明合成器結構的測試數(shù)據與采用微帶板結構形式的合成器的測試數(shù)據進行對比，并依據合成器技術指標可得，本發(fā)明合成器結構的工作性能優(yōu)于采用微帶板結構形式的合成器。

綜上所述，本發(fā)明通過盒體、蓋板和連接器共同形成一個密閉的腔體空間，所述導體位于腔體內，且盒體的內側底部設有多個位于滿二叉樹每層左子樹與右子樹所在的分支的中間的隔塊，使連接器之間一定程度上相互隔離，滿足了電子設備電磁兼容性的設計要求；同時，導體為四層滿二叉樹結構，具有體積小、集成度高的優(yōu)點，滿足了電子設備模塊化設計要求；該合成器結構增強了合成器的集成性和屏蔽性，提高了合成器結構運行的可靠性。