技術特征：

技術總結(jié)
本發(fā)明提供一種橫向高壓器件，包括介質(zhì)槽區(qū)域，介質(zhì)槽區(qū)域包括下部分的介質(zhì)槽區(qū)和上部分的低K介質(zhì)槽，還包括介質(zhì)層、體場板、多晶硅柵、柵下氧化層、介質(zhì)層、漏極接觸電極、第一N型重摻雜區(qū)、第二N型重摻雜區(qū)、源極金屬、P型重摻雜區(qū)，P阱區(qū)，介質(zhì)槽區(qū)域的兩側(cè)和底部分別設有第一、第二、第三N型摻雜條構(gòu)成的導電通路，導電通路的兩側(cè)分別有P型摻雜區(qū)，導電通路的底部為P型襯底；本發(fā)明通過在漂移區(qū)內(nèi)引入介質(zhì)槽區(qū)域，保持器件耐壓的同時降低了器件表面面積，有效降低器件比導通電阻；在介質(zhì)槽區(qū)上設低K介質(zhì)槽，不同介電常數(shù)介質(zhì)相交會引入新的電場峰值，進一步提高器件擊穿電壓。

技術研發(fā)人員：喬明;余洋;章文通;王正康;詹珍雅;張波
受保護的技術使用者：電子科技大學
技術研發(fā)日：2017.06.26
技術公布日：2017.09.22