本發(fā)明涉及封裝領(lǐng)域，尤其涉及晶圓級(jí)影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)：

隨著影像傳感器的尺寸越來(lái)越小，焊點(diǎn)數(shù)目不斷增多，焊點(diǎn)間距越來(lái)越窄，相應(yīng)地，對(duì)影像傳感器封裝提出了更高的要求。

傳統(tǒng)的影像傳感器封裝方法通常是采用引線(xiàn)鍵合進(jìn)行封裝，但隨著集成電路的飛速發(fā)展，較長(zhǎng)的引線(xiàn)使得封裝尺寸無(wú)法達(dá)到理想的要求，因此，晶圓級(jí)封裝(wlp)逐漸取代引線(xiàn)鍵合封裝成為一種較為常用的封裝方法。晶圓級(jí)封裝(wlp)技術(shù)是對(duì)整片晶圓進(jìn)行封裝測(cè)試后再切割得到單個(gè)成品芯片的技術(shù)，封裝后的芯片尺寸與裸片完全一致，順應(yīng)了市場(chǎng)對(duì)微電子產(chǎn)品日益輕、小、短、薄化和低價(jià)化要求。

利用現(xiàn)有的晶圓級(jí)封裝技術(shù)對(duì)影像傳感器進(jìn)行封裝時(shí)，為了在封裝過(guò)程中保護(hù)影像傳感器的感光區(qū)不受損傷及污染，通常需要在感光區(qū)位置形成一個(gè)封裝蓋從而保護(hù)其感光區(qū)。

圖1示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的影像傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，包括透明基材1、影像傳感芯片2、封閉框3和基板4。透明基材第二表面的周邊有金屬重布線(xiàn)區(qū)域和焊盤(pán)網(wǎng)絡(luò)13，影像傳感器芯片主動(dòng)面上的焊盤(pán)24和凸點(diǎn)25與透明基材上的部分焊盤(pán)形成電連接，基板的第一表面上有電路布線(xiàn)和接墊網(wǎng)絡(luò)13，封閉框圍合在影像傳感器芯片外圍，封閉框兩端分別與透明基材和基板接觸，內(nèi)置于封閉框的導(dǎo)電件分別與透明基材的焊盤(pán)及基板的接墊電連接，在封閉框3外圍設(shè)置有封膠5。

然而，現(xiàn)有的影像傳感芯片封裝通常需要在玻璃上制備聚合物圍堰，形成一定高度并用于密封。但是聚合物圍堰會(huì)有較多顆粒污染，膠密封效果差。

因此，需要一種基于非聚合物圍堰的影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種封裝結(jié)構(gòu)，包括：透明基材，所述透明基材具有第一表面及與第一表面相對(duì)的第二表面，所述第二表面的周邊形成有金屬重布線(xiàn)區(qū)域，所述金屬重布線(xiàn)區(qū)域包括介質(zhì)層和在其內(nèi)部或表面形成的金屬布線(xiàn)，所述金屬布線(xiàn)上設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)第一金屬互連結(jié)構(gòu)以及一個(gè)或多個(gè)第二金屬互連結(jié)構(gòu)；芯片，所述芯片包括正面和背面，所述芯片的正面具有一個(gè)或多個(gè)凸點(diǎn)、功能區(qū)以及在所述凸點(diǎn)與功能區(qū)之間形成電連接的電路，所述芯片的正面面對(duì)所述透明基材的第二表面，所述芯片的正面的一個(gè)或多個(gè)凸點(diǎn)分別與所述透明基材上的對(duì)應(yīng)的第一金屬互連結(jié)構(gòu)電連接；密封蓋，所述密封蓋包括第一面和及與第一面相對(duì)的第二面，所述密封蓋的第一面面對(duì)所述透明基材的第二表面，在所述密封蓋的第一面中具有用于容納所述芯片的密封槽，所述芯片的背面附連到所述密封槽的槽底，所述密封蓋還包括設(shè)置在所述密封槽的側(cè)壁上從所述第一面延伸到所述第二面的一個(gè)或多個(gè)通孔，所述通孔內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)電件，所述導(dǎo)電件與所述密封蓋的第一面上的一個(gè)或多個(gè)第一焊盤(pán)電連接，并且所述導(dǎo)電件與所述密封蓋的第二面上的一個(gè)或多個(gè)第二焊盤(pán)電連接，所述一個(gè)或多個(gè)第一焊盤(pán)分別與所述透明基材上的對(duì)應(yīng)的第二金屬互連結(jié)構(gòu)電連接；以及密封圈，所述密封圈夾在所述密封蓋的第一面和所述透明基材的第二面之間，并且使得由密封槽與透明基材形成的空間密封。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，封裝結(jié)構(gòu)還包括形成在所述透明基材的第一表面和/或第二表面上的增透膜或防反射膜。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述通孔內(nèi)的導(dǎo)電件為實(shí)心導(dǎo)電件或涂覆在通孔內(nèi)壁的導(dǎo)電層。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，密封圈由一層或多層金屬層形成，所述密封圈的材料選自：銅、鈦、銀、金、錫及其合金。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在所述密封蓋的第二面上具有重布線(xiàn)層、設(shè)置在重布線(xiàn)層上的所述一個(gè)或多個(gè)第一焊盤(pán)、和/或所述第一焊盤(pán)上的焊料凸起。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在所述密封蓋的第一面上具有重布線(xiàn)層、設(shè)置在重布線(xiàn)層上的所述一個(gè)或多個(gè)第二焊盤(pán)、和/或所述第二焊盤(pán)上的焊料凸起。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供一種封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：在襯底的第一面上形成密封槽和孔洞作為密封蓋；在所述孔洞內(nèi)形成導(dǎo)電件并在所述襯底的第一面上形成一個(gè)或多個(gè)第一焊盤(pán)；在所述襯底的第一面上形成包圍所述密封槽的第一密封層；將芯片的背面附連到密封槽的槽底，其中所述芯片包括正面和背面，所述芯片的正面具有一個(gè)或多個(gè)凸點(diǎn)、功能區(qū)以及在所述凸點(diǎn)與功能區(qū)之間形成電連接的電路；在透明基材的一表面的周邊形成金屬重布線(xiàn)區(qū)域，所述金屬重布線(xiàn)區(qū)域包括介質(zhì)層和在其內(nèi)部或表面形成的金屬布線(xiàn)，并在所述金屬布線(xiàn)上設(shè)置一個(gè)或多個(gè)第一金屬互連結(jié)構(gòu)以及一個(gè)或多個(gè)第二金屬互連結(jié)構(gòu)，所述芯片的正面的一個(gè)或多個(gè)凸點(diǎn)分別與所述第一金屬互連結(jié)構(gòu)中的一個(gè)相對(duì)應(yīng)，且所述一個(gè)或多個(gè)第一焊盤(pán)分別與所述第二金屬互連結(jié)構(gòu)中的一個(gè)相對(duì)應(yīng)；在透明基材的所述表面上形成與所述第一密封層對(duì)應(yīng)的第二密封層；將所述透明基材與所述密封蓋及所述芯片對(duì)位并鍵合，使得所述芯片的正面的一個(gè)或多個(gè)凸點(diǎn)分別與對(duì)應(yīng)的第一金屬互連結(jié)構(gòu)形成電連接，所述一個(gè)或多個(gè)第一焊盤(pán)分別與對(duì)應(yīng)的第二金屬互連結(jié)構(gòu)形成電連接，且所述第一密封層與所述第二密封層接合形成密封結(jié)構(gòu)；在所述密封蓋的第二面形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，所述襯底選自：半導(dǎo)體襯底、金屬襯底、聚合物襯底或玻璃襯底。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，該方法還包括在所述孔洞內(nèi)形成導(dǎo)電件之前在所述襯底的表面、所述密封槽的表面以及所述孔洞的側(cè)壁上形成絕緣層。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，將芯片的背面附連到密封槽的槽底包括通過(guò)粘合層將芯片的背面粘合到槽底。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，在所述密封蓋的第二面形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括：對(duì)所述密封蓋的第二表面進(jìn)行減薄，以便露出所述孔洞內(nèi)的導(dǎo)電件；在所述第二表面上形成絕緣層；在所述絕緣層上鉆孔，露出所述孔洞內(nèi)的導(dǎo)電件；以及形成重布線(xiàn)結(jié)構(gòu)和凸點(diǎn)。

本發(fā)明的一些實(shí)施例將影像傳感芯片密封在載片內(nèi)并通過(guò)金屬密封圈進(jìn)行密封，芯片應(yīng)力小，可靠性好，密封效果好。由于本發(fā)明的實(shí)施例避免使用聚合物圍堰，因此顆粒污染少，良率高。

附圖說(shuō)明

為了進(jìn)一步闡明本發(fā)明的各實(shí)施例的以上和其它優(yōu)點(diǎn)和特征，將參考附圖來(lái)呈現(xiàn)本發(fā)明的各實(shí)施例的更具體的描述。可以理解，這些附圖只描繪本發(fā)明的典型實(shí)施例，因此將不被認(rèn)為是對(duì)其范圍的限制。在附圖中，為了清楚明了，相同或相應(yīng)的部件將用相同或類(lèi)似的標(biāo)記表示。

圖1示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的影像傳感器的封裝結(jié)構(gòu)。

圖2示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的晶圓級(jí)影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)200的橫截面示意圖。

圖3示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的密封圈的俯視圖。

圖4a至圖4i示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例形成晶圓級(jí)影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)的過(guò)程的剖面示意圖。

圖5示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例形成晶圓級(jí)影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)的流程圖。

具體實(shí)施方式

在以下的描述中，參考各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行描述。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到可在沒(méi)有一個(gè)或多個(gè)特定細(xì)節(jié)的情況下或者與其它替換和/或附加方法、材料或組件一起實(shí)施各實(shí)施例。在其它情形中，未示出或未詳細(xì)描述公知的結(jié)構(gòu)、材料或操作以免使本發(fā)明的各實(shí)施例的諸方面晦澀。類(lèi)似地，為了解釋的目的，闡述了特定數(shù)量、材料和配置，以便提供對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例的全面理解。然而，本發(fā)明可在沒(méi)有特定細(xì)節(jié)的情況下實(shí)施。此外，應(yīng)理解附圖中示出的各實(shí)施例是說(shuō)明性表示且不一定按比例繪制。

在本說(shuō)明書(shū)中，對(duì)“一個(gè)實(shí)施例”或“該實(shí)施例”的引用意味著結(jié)合該實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性被包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。在本說(shuō)明書(shū)各處中出現(xiàn)的短語(yǔ)“在一個(gè)實(shí)施例中”并不一定全部指代同一實(shí)施例。

需要說(shuō)明的是，本發(fā)明的實(shí)施例以特定順序?qū)に嚥襟E進(jìn)行描述，然而這只是為了方便區(qū)分各步驟，而并不是限定各步驟的先后順序，在本發(fā)明的不同實(shí)施例中，可根據(jù)工藝的調(diào)節(jié)來(lái)調(diào)整各步驟的先后順序。

為了解決現(xiàn)有技術(shù)的影像傳感器的封裝結(jié)構(gòu)中，聚合物圍堰顆粒污染較多，膠密封效果差的問(wèn)題，本發(fā)明提出將影像傳感芯片密封在載片內(nèi)并通過(guò)金屬密封圈進(jìn)行密封，芯片應(yīng)力小，可靠性好，密封效果好。由于本發(fā)明的實(shí)施例避免使用聚合物圍堰，因此顆粒污染少，良率高。

圖2示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的晶圓級(jí)影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)200的橫截面示意圖。如圖2所示，影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)200包括透明基材210、影像傳感器芯片220、密封蓋230和密封圈240。

進(jìn)一步地，如圖2所示，透明基材210包括第一表面211及與第一表面相對(duì)的第二表面212。在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，可在第一表面211和/或第二表面212上形成增透膜或防反射膜，從而增加光穿透率及減少光線(xiàn)反射以防止強(qiáng)光照射使影像出現(xiàn)白霧、鬼影。第二表面212的周邊形成有金屬重布線(xiàn)區(qū)域213。金屬重布線(xiàn)區(qū)域213包括介質(zhì)層和在其內(nèi)部或表面形成的金屬布線(xiàn)(圖中未示出)，金屬布線(xiàn)上設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)第一金屬互連結(jié)構(gòu)214以及一個(gè)或多個(gè)第二金屬互連結(jié)構(gòu)215。第一金屬互連結(jié)構(gòu)和第二金屬互連結(jié)構(gòu)215可以是焊盤(pán)、焊球、凸起或其它用于形成電連接的結(jié)構(gòu)。第一金屬互連結(jié)構(gòu)214與影像傳感器芯片220形成電連接。第二金屬互連結(jié)構(gòu)215與密封蓋230上的金屬布線(xiàn)形成電連接。

影像傳感器芯片220包括第一表面221和第二表面222，影像傳感器芯片220的第一表面221內(nèi)形成有一個(gè)或多個(gè)凸點(diǎn)223、影像傳感區(qū)224以及在凸點(diǎn)223與影像傳感區(qū)224之間形成電連接的電路(圖中未示出)。影像傳感區(qū)224內(nèi)形成有影像傳感器單元和與影像傳感器單元相連接的關(guān)聯(lián)電路，利用所述影像傳感器單元將外界光線(xiàn)接收并轉(zhuǎn)換成電學(xué)信號(hào)，并將電學(xué)信號(hào)利用凸點(diǎn)223、第一金屬互連結(jié)構(gòu)214、金屬重布線(xiàn)213、第二金屬互連結(jié)構(gòu)215和密封蓋230上的導(dǎo)電線(xiàn)路傳送給其他電路。

在本實(shí)施例中，為了便于布線(xiàn)，影像傳感區(qū)224位于芯片的中間位置，凸點(diǎn)223位于芯片的邊緣位置。在其他實(shí)施例中，凸點(diǎn)和影像傳感區(qū)的位置也可以根據(jù)布線(xiàn)要求靈活調(diào)整。

密封蓋230包括第一面231和第二面232。在密封蓋230的第一面231中具有用于容納影像傳感器芯片220的從第一面231凹陷的密封槽233，密封槽233的大小根據(jù)影像傳感器芯片220確定。影像傳感器芯片220的第二表面222附連到密封槽233的槽底。在本發(fā)明的實(shí)施例中，影像傳感器芯片220可通過(guò)粘結(jié)層234粘結(jié)到密封槽233的槽底。密封槽233的側(cè)壁上設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)通孔235。通孔235內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)電件236，導(dǎo)電件可以為實(shí)心導(dǎo)電件或?yàn)橥扛苍谕變?nèi)壁的導(dǎo)電層。導(dǎo)電件236電連接密封蓋230第一面231上的一個(gè)或多個(gè)焊盤(pán)237a與第二面232上的一個(gè)或多個(gè)焊盤(pán)237b。在密封蓋230的第一面上可具有重布線(xiàn)層和設(shè)置在重布線(xiàn)層上的焊盤(pán)和焊球。在密封蓋230的第二面上具有重布線(xiàn)層(圖中未示出)，和設(shè)置在重布線(xiàn)層上的焊盤(pán)和焊球238，用于形成與外部電路連接的金屬互連結(jié)構(gòu)。密封蓋230可以由以下材料形成：半導(dǎo)體襯底，例如，硅襯底、硅鍺襯底、碳化硅襯底等；金屬襯底；聚合物襯底；玻璃襯底等。在密封蓋230第一面231上的一個(gè)或多個(gè)焊盤(pán)237a與透明基材210上的第二金屬互連結(jié)構(gòu)215形成電連接。影像傳感器芯片220的電信號(hào)通過(guò)其上凸點(diǎn)223傳遞到第一金屬互連結(jié)構(gòu)214，再經(jīng)透明基材210上的重布線(xiàn)層213傳送到第二金屬互連結(jié)構(gòu)215，經(jīng)過(guò)密封蓋230第一面231上的焊盤(pán)237a傳送到通孔235中的導(dǎo)電件236，進(jìn)而傳送到密封蓋230第二面232上的重布線(xiàn)層和焊球238，通過(guò)第二面232上的焊球238實(shí)現(xiàn)與外部電路的信息交換。

在密封蓋230和透明基材210之間具有密封圈240。密封圈240使得由密封槽233與透明基材210形成的空間密封，由此將影像傳感芯片密封在密閉空間中。密封圈240可設(shè)置在密封蓋230和透明基材210在最外圍。圖3示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的密封圈230的俯視圖。在本發(fā)明的實(shí)施例中，密封圈240的材料可以是金屬，例如，銅、鈦、銀、金、錫；合金，例如，錫銀合金、錫銀銅合金、銅鈦合金等等。密封圈240還可包括層疊的多層金屬層。密封圈240起固定密封作用，并防止水汽、顆粒等外部因素對(duì)影像傳感器芯片的影響。

下面結(jié)合圖4a至圖4i和圖5描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例形成晶圓級(jí)影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)的過(guò)程。圖4a至圖4i示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例形成晶圓級(jí)影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)的過(guò)程的剖面示意圖。圖5示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例形成晶圓級(jí)影像傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)的流程圖。

在步驟501，在襯底上制備密封蓋結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，用于制備密封蓋的襯底可選自：半導(dǎo)體襯底，例如，硅襯底、硅鍺襯底、碳化硅襯底等；金屬襯底；聚合物襯底；玻璃襯底等。首先，如圖4a所示，在襯底401的第一表面上形成密封槽402和孔洞403?？锥?03可以是貫穿襯底401的通孔或具有特定深度的盲孔。在本發(fā)明的實(shí)施例中，可通過(guò)干法或濕法刻蝕的方法來(lái)形成密封槽402和孔洞403。如圖4b所示，在襯底401的表面、密封槽402的表面以及孔洞的側(cè)壁上形成絕緣層404，絕緣層404的材料可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或高k介質(zhì)材料，該絕緣層404可用于在導(dǎo)電層和襯底401之間進(jìn)行電隔離。如果襯底401是絕緣襯底，則沒(méi)有必要形成絕緣層404。

在步驟502，如圖4c所示，在襯底401的第一面形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，并襯底401的第一面上形成包圍密封槽402的第一密封層407。在本發(fā)明的實(shí)施例中，在孔洞403內(nèi)形成導(dǎo)電件405并在端口形成焊盤(pán)406，導(dǎo)電件可以為實(shí)心導(dǎo)電件或?yàn)橥扛苍谕變?nèi)壁的導(dǎo)電層。還可根據(jù)實(shí)際的電路布線(xiàn)要求，在襯底401的第一面上形成布線(xiàn)層。在圖4c所示的實(shí)施例中，第一密封層407包圍密封槽402以及焊盤(pán)406。然而，本發(fā)明的范圍不限于此，例如，第一密封層407可緊鄰密封槽，金屬互連結(jié)構(gòu)位于第一密封層407的外部。第一密封層407的材料可以與導(dǎo)電件405及焊盤(pán)406材料相同，也可以是不同的材料。

在步驟503，將芯片正裝在密封槽中。如圖4d所示，影像傳感器芯片408包括第一表面409和第二表面410，影像傳感器芯片408的第一表面409內(nèi)包括影像傳感區(qū)以及一個(gè)或多個(gè)凸點(diǎn)411。在本發(fā)明的實(shí)施例中，可通過(guò)粘結(jié)層412影像傳感器芯片408粘結(jié)到密封槽的槽底的指定位置。

在步驟504，如圖4e所示，在透明基材413上制備導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第二密封層。在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，可在透明基材的表面上形成增透膜或防反射膜，從而增加光穿透率及減少光線(xiàn)反射以防止強(qiáng)光照射使影像出現(xiàn)白霧、鬼影。透明基材413上的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)414包括介質(zhì)層和在其內(nèi)部或表面形成的金屬布線(xiàn)(圖中未示出)，金屬布線(xiàn)上設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)第一金屬互連結(jié)構(gòu)415以及一個(gè)或多個(gè)第二金屬互連結(jié)構(gòu)416。第一金屬互連結(jié)構(gòu)和第二金屬互連結(jié)構(gòu)可以是焊盤(pán)、焊球、凸起或其它用于形成電連接的結(jié)構(gòu)。第一金屬互連結(jié)構(gòu)415與影像傳感器芯片上的凸點(diǎn)411形成電連接。第二金屬互連結(jié)構(gòu)416與密封蓋401上的焊盤(pán)406形成電連接。透明基材413上的第二密封層417用于與密封蓋401第一表面上的第一密封層407鍵合形成密封結(jié)構(gòu)。因此，可根據(jù)密封蓋401第一表面上的焊盤(pán)和第一密封層的尺寸和位置，確定在透明基材上的導(dǎo)電線(xiàn)路、焊盤(pán)和第二密封層的尺寸和位置。在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，可任選地在透明基材的焊盤(pán)上形成焊球。

接下來(lái)，在步驟505，如圖4f所示，將透明基材413與密封蓋401及影像傳感器芯片408對(duì)位并鍵合。影像傳感器芯片408上的凸點(diǎn)411與透明基材413上的第一金屬互連結(jié)構(gòu)415對(duì)位連接并形成電連接。密封蓋401上的焊盤(pán)406與第二金屬互連結(jié)構(gòu)416對(duì)位連接并形成電連接。密封蓋401上的第一密封層407與透明基材413上的第二密封層接合并形成密封結(jié)構(gòu)。

在步驟506，在密封蓋401的第二表面418上形成重布線(xiàn)層、焊盤(pán)和/或焊球結(jié)構(gòu)。首先，如圖4g所示，對(duì)密封蓋401的第二表面418進(jìn)行減薄，以便露出通孔。接下來(lái)，在第二表面418上形成絕緣層419，如圖4h所示。接下來(lái)，在絕緣層419上鉆孔，露出通孔導(dǎo)電層。最后，形成重布線(xiàn)結(jié)構(gòu)和凸點(diǎn)，如圖4i所示。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，透明基材與影像傳感器芯片的結(jié)合，密封蓋與透明基材的結(jié)合以及第一密封層與第二密封層的結(jié)合可以同時(shí)進(jìn)行。在影像傳感器芯片主動(dòng)面上覆蓋透明基材可以降低后續(xù)制程中的微粒污染，提高制程良率，降低生產(chǎn)成本，密封蓋既能保護(hù)影像傳感器芯片，又能通過(guò)內(nèi)置導(dǎo)電件構(gòu)成導(dǎo)電通道。通過(guò)金屬密封圈進(jìn)行密封，芯片應(yīng)力小，可靠性好，密封效果好。

盡管上文描述了本發(fā)明的各實(shí)施例，但是，應(yīng)該理解，它們只是作為示例來(lái)呈現(xiàn)的，而不作為限制。對(duì)于相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的是，可以對(duì)其做出各種組合、變型和改變而不背離本發(fā)明的精神和范圍。因此，此處所公開(kāi)的本發(fā)明的寬度和范圍不應(yīng)被上述所公開(kāi)的示例性實(shí)施例所限制，而應(yīng)當(dāng)僅根據(jù)所附權(quán)利要求書(shū)及其等同替換來(lái)定義。