本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種顯示基板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

oled(organiclight-emittingdiode，有機(jī)發(fā)光二極管)器件具有低能耗、對(duì)比度高、視角廣等諸多優(yōu)點(diǎn)，是目前受到廣泛關(guān)注的一種顯示器件。oled器件采用有機(jī)發(fā)光材料制作有機(jī)發(fā)光層，當(dāng)有電子和空穴在有機(jī)發(fā)光層中結(jié)合時(shí)，有機(jī)發(fā)光層發(fā)光，從而實(shí)現(xiàn)oled器件的顯示功能。

其中，頂發(fā)射oled器件包括透明陰極、有機(jī)功能層、高反射率陽(yáng)極三部分。高反射率陽(yáng)極可以提高oled器件的發(fā)光效率，但是顯示裝置周圍的環(huán)境光照射在oled器件上時(shí)也會(huì)被高反射率陽(yáng)極反射回去，環(huán)境光越強(qiáng)，高反射率陽(yáng)極反射回去的光也越強(qiáng)，oled器件的顯示對(duì)比度下降，嚴(yán)重影響用戶的體驗(yàn)。

在頂發(fā)射oled器件上設(shè)置濾光膜可以吸收部分環(huán)境光，但是與濾光膜相對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)的光并不會(huì)被吸收，這部分波長(zhǎng)的光仍會(huì)透過(guò)濾光膜被高反射率陽(yáng)極反射，當(dāng)環(huán)境光較強(qiáng)時(shí)，顯示對(duì)比度依然會(huì)下降地比較嚴(yán)重。

為了保證屏幕的對(duì)比度，可以將透明陰極設(shè)置為對(duì)環(huán)境光吸收率比較高的黑色陰極，但光吸收率比較高的陰極在吸收環(huán)境光的同時(shí)也會(huì)吸收oled器件發(fā)出來(lái)的光，從而造成oled器件的發(fā)光效率嚴(yán)重下降。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種顯示基板及顯示裝置，能夠在保證oled器件的發(fā)光效率的同時(shí)，保證顯示裝置的顯示對(duì)比度。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下：

一方面，提供一種顯示基板，包括依次位于襯底基板上的第一電極結(jié)構(gòu)、有機(jī)發(fā)光層和第二電極結(jié)構(gòu)，所述顯示基板還包括：位于所述顯示基板出光側(cè)的濾光膜，其中，所述第一電極結(jié)構(gòu)或所述第二電極結(jié)構(gòu)的光吸收率大于第一閾值。

進(jìn)一步地，在位于所述顯示基板出光側(cè)的第二電極結(jié)構(gòu)的光吸收率大于第一閾值時(shí)，從靠近所述有機(jī)發(fā)光層到遠(yuǎn)離所述有機(jī)發(fā)光層的方向上，所述第二電極結(jié)構(gòu)依次包括：

第二透明電極薄膜；

位相差層，所述位相差層的厚度為可見光的半波長(zhǎng)的奇數(shù)倍；

光吸收層，所述光吸收層的光反射率低于第二閾值且對(duì)所述有機(jī)發(fā)光層發(fā)出光的光吸收率小于第三閾值。

進(jìn)一步地，所述顯示基板包括綠色像素區(qū)域、紅色像素區(qū)域和藍(lán)色像素區(qū)域，在所述綠色像素區(qū)域，所述顯示基板還包括位于所述光吸收層遠(yuǎn)離所述有機(jī)發(fā)光層的一側(cè)的反射吸收薄膜，所述反射吸收薄膜能夠與所述第二透明電極薄膜之間形成微腔，且所述反射吸收薄膜的反射率小于第四閾值，對(duì)環(huán)境光的光吸收率大于第五閾值。

進(jìn)一步地，所述第二電極結(jié)構(gòu)還包括位于所述顯示基板出光側(cè)的用于提高所述顯示基板的出光效率的光輔助層。

進(jìn)一步地，在位于所述顯示基板非出光側(cè)的第一電極結(jié)構(gòu)的光吸收率大于第一閾值時(shí)，從靠近所述有機(jī)發(fā)光層到遠(yuǎn)離所述有機(jī)發(fā)光層的方向上，所述第一電極結(jié)構(gòu)依次包括：

第一透明電極薄膜；

位相差層，所述位相差層的厚度為可見光的半波長(zhǎng)的奇數(shù)倍；

反射薄膜，所述反射薄膜的光反射率大于第六閾值。

進(jìn)一步地，所述第一電極結(jié)構(gòu)還包括：

位于所述第一透明電極薄膜和所述位相差層之間的光吸收層，所述光吸收層的光反射率低于第二閾值且光吸收率小于第三閾值，所述光吸收層與所述位相差層之間界面上的反射光與透過(guò)所述位相差層被所述反射薄膜反射回來(lái)的光在所述光吸收層發(fā)生干涉。

進(jìn)一步地，所述位相差層采用alq3、moo3、lif或mgf2制成。

進(jìn)一步地，所述光吸收層采用alq3摻雜ag制成。

進(jìn)一步地，所述反射吸收薄膜采用al、cr或agmg制成。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的顯示基板。

本發(fā)明的實(shí)施例具有以下有益效果：

上述方案中，將具有較強(qiáng)光吸收率的電極結(jié)構(gòu)與濾光膜相結(jié)合，環(huán)境光在經(jīng)過(guò)濾光膜后大部分會(huì)被吸收，然后再通過(guò)電極結(jié)構(gòu)對(duì)環(huán)境光進(jìn)一步吸收，由于濾光膜已經(jīng)吸收大部分的環(huán)境光，因此，電極結(jié)構(gòu)的光吸收率不必設(shè)置的太高就可以使得顯示基板對(duì)環(huán)境光的反射率達(dá)到要求，從而可以保證oled器件的發(fā)光效率幾乎不會(huì)下降。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明一實(shí)施例紅色子像素和藍(lán)色子像素的陰極結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明一實(shí)施例綠色子像素的陰極結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例紅色子像素和藍(lán)色子像素的陰極結(jié)構(gòu)對(duì)光的吸收率曲線示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例紅色子像素和藍(lán)色子像素的陰極結(jié)構(gòu)對(duì)光的透過(guò)率曲線示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例綠色子像素的陰極結(jié)構(gòu)對(duì)光的吸收率曲線示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例綠色子像素的陰極結(jié)構(gòu)對(duì)光的透過(guò)率曲線示意圖；

圖8為本發(fā)明一實(shí)施例紅色子像素和藍(lán)色子像素的陰極結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明一實(shí)施例綠色子像素的陰極結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本發(fā)明另一實(shí)施例陽(yáng)極結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為本發(fā)明另一實(shí)施例陽(yáng)極結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記

1基板2有機(jī)功能層3陰極結(jié)構(gòu)4薄膜封裝層

5濾光膜6透明陰極薄膜7位相差層8光吸收層

9反射吸收薄膜10光輔助層11陽(yáng)極結(jié)構(gòu)

12反射薄膜13透明陽(yáng)極薄膜

s1為藍(lán)色子像素和紅色子像素的陰極結(jié)構(gòu)對(duì)顯示基板發(fā)出光的光吸收率曲線

s2為紅色子像素的陰極結(jié)構(gòu)對(duì)環(huán)境光的光吸收率曲線

s3為藍(lán)色子像素的陰極結(jié)構(gòu)對(duì)環(huán)境光的光吸收率曲線

s4為藍(lán)色子像素和紅色子像素的陰極結(jié)構(gòu)對(duì)顯示基板發(fā)出光的光透過(guò)率曲線

s5為綠色子像素的陰極結(jié)構(gòu)對(duì)環(huán)境光的光吸收率曲線

s6為綠色子像素的陰極結(jié)構(gòu)對(duì)顯示基板發(fā)出光的光吸收率曲線

s7為綠色子像素的陰極結(jié)構(gòu)對(duì)顯示基板發(fā)出光的光透過(guò)率曲線

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的實(shí)施例要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

本發(fā)明的實(shí)施例針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中oled器件的發(fā)光效率不高的問(wèn)題，提供一種oled顯示器件及顯示裝置，能夠在保證oled器件的發(fā)光效率的同時(shí)，保證顯示裝置的顯示對(duì)比度。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示基板，包括依次位于襯底基板上的第一電極結(jié)構(gòu)、有機(jī)發(fā)光層和第二電極結(jié)構(gòu)，所述顯示基板還包括：位于所述顯示基板出光側(cè)的濾光膜，其中，所述第一電極結(jié)構(gòu)或所述第二電極結(jié)構(gòu)的光吸收率大于第一閾值。

具體地，在第一電極結(jié)構(gòu)為陽(yáng)極時(shí)，第二電極結(jié)構(gòu)為陰極時(shí)，所述第一電極結(jié)構(gòu)對(duì)環(huán)境光的光吸收率需要大于40％，即在第一電極結(jié)構(gòu)的光吸收率大于第一閾值時(shí)，第一閾值為40％；或所述第二電極結(jié)構(gòu)對(duì)光的吸收率需要大于45％，而對(duì)oled發(fā)出光的光吸收率需要小于30％，即在第二電極結(jié)構(gòu)的光吸收率大于第一閾值時(shí)，第一閾值為45％。

本實(shí)施例中，將具有較強(qiáng)光吸收率的電極結(jié)構(gòu)與濾光膜相結(jié)合，環(huán)境光在經(jīng)過(guò)濾光膜后大部分會(huì)被吸收，然后再通過(guò)電極結(jié)構(gòu)對(duì)環(huán)境光進(jìn)一步吸收，由于濾光膜已經(jīng)吸收大部分的環(huán)境光，因此，電極結(jié)構(gòu)的光吸收率不必設(shè)置的太高就可以使得顯示基板對(duì)環(huán)境光的反射率達(dá)到要求，從而可以保證oled器件的發(fā)光效率幾乎不會(huì)下降。

由于濾光膜和電極結(jié)構(gòu)都可以做到很薄，因此比較容易實(shí)現(xiàn)柔性顯示。第一電極結(jié)構(gòu)和第二電極結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)均比較簡(jiǎn)單，可以只由數(shù)層很薄的薄膜構(gòu)成，在工藝上很容易實(shí)現(xiàn)；另外濾光膜技術(shù)在顯示行業(yè)已經(jīng)非常成熟，因此實(shí)現(xiàn)成本很低。

進(jìn)一步地，在位于所述顯示基板出光側(cè)的第二電極結(jié)構(gòu)的光吸收率大于第一閾值時(shí)，從靠近所述有機(jī)發(fā)光層到遠(yuǎn)離所述有機(jī)發(fā)光層的方向上，所述第二電極結(jié)構(gòu)依次包括：

第二透明電極薄膜；

位相差層，所述位相差層的厚度為可見光的半波長(zhǎng)的奇數(shù)倍，所述位相差層可以采用alq3、moo3、lif或mgf2等材料制成；

光吸收層，所述光吸收層的光反射率低于第二閾值且光吸收率小于第三閾值，第二閾值可以為30％，第三閾值可以為15％。環(huán)境光在位相差層的上下表面反射，當(dāng)位相差層的光學(xué)厚度為光的半波長(zhǎng)λ/2的奇數(shù)倍時(shí)，兩束反射光發(fā)生干涉相消，反射光會(huì)被光吸收層最大限度地吸收。光吸收層的光吸收率高雖然可以吸收大量的環(huán)境光，但是又會(huì)吸收有機(jī)發(fā)光層發(fā)出的光造成oled的出光效率低下，因此光吸收層的光吸收率不能太高，具體地，光吸收層的光吸收率為5％-15％，光反射率為5％-30％，可以采用alq3摻雜ag的薄膜等反射率較低光吸收系數(shù)不高的薄膜作為光吸收層，光吸收層的厚度可以為10納米到200納米。

進(jìn)一步地，所述顯示基板包括綠色像素區(qū)域、紅色像素區(qū)域和藍(lán)色像素區(qū)域，在所述綠色像素區(qū)域，所述顯示基板還包括位于所述光吸收層遠(yuǎn)離所述有機(jī)發(fā)光層的一側(cè)的反射吸收薄膜，所述反射吸收薄膜能夠與所述第二透明電極薄膜之間形成微腔，且所述反射吸收薄膜的反射率小于第四閾值，第四閾值可以為20％，光吸收率大于第五閾值，第五閾值可以為1.5％。因?yàn)楣馕諏訉?duì)綠光的吸收較少，因此，在綠色像素區(qū)域還增加設(shè)置了反射吸收薄膜，反射吸收薄膜與電極薄膜之間形成弱的微腔，使光吸收增加，具體地，反射吸收薄膜的反射率為2％-20％，光吸收率為1.5％-15％，可以采用光吸收系數(shù)較高的薄的金屬材料比如al、cr、agmg等作為反射吸收薄膜，反射吸收薄膜的厚度可以為1納米到30納米。

進(jìn)一步地，所述第二電極結(jié)構(gòu)還包括位于所述顯示基板出光側(cè)的用于提高所述顯示基板的出光效率的光輔助層，光輔助層能夠提高顯示基板的出光效率，光輔助層的厚度可以為10納米到200納米，用于調(diào)節(jié)第二電極結(jié)構(gòu)對(duì)環(huán)境光與oled所發(fā)光的吸收率和反射率，具體地，光輔助層可以采用znse、lif等無(wú)機(jī)或有機(jī)材料。

進(jìn)一步地，在位于所述顯示基板非出光側(cè)的第一電極結(jié)構(gòu)的光吸收率大于第一閾值時(shí)，從靠近所述有機(jī)發(fā)光層到遠(yuǎn)離所述有機(jī)發(fā)光層的方向上，所述第一電極結(jié)構(gòu)依次包括：

第一透明電極薄膜；

位相差層，所述位相差層的厚度為可見光的半波長(zhǎng)的奇數(shù)倍；

反射薄膜，所述反射薄膜的光反射率大于第六閾值，第六閾值可以為90％。具體地，反射薄膜的光反射率為90％-100％；

在第一透明電極薄膜與位相差層界面上的反射光與透過(guò)位相差層被反射薄膜反射回來(lái)的光形成干涉，最后被第一透明電極薄膜大量吸收。

進(jìn)一步地，所述第一電極結(jié)構(gòu)還包括：

位于所述第一透明電極薄膜和所述位相差層之間的光吸收層，所述光吸收層的光反射率低于第二閾值且光吸收率小于第三閾值，所述光吸收層與所述位相差層之間界面上的反射光與透過(guò)所述位相差層被所述反射薄膜反射回來(lái)的光在所述光吸收層發(fā)生干涉，在光吸收層與位相差層界面上的反射光與透過(guò)位相差層被反射薄膜反射回來(lái)的光形成干涉，最后被光吸收層大量吸收，光吸收層的光吸收率高雖然可以吸收大量的環(huán)境光，但是又會(huì)吸收有機(jī)發(fā)光層發(fā)出的光造成oled的出光效率低下，光吸收層的光吸收率不能太高，具體地，光吸收層的光吸收率為5％-15％，光反射率為5％-30％，可以采用alq3摻雜ag的薄膜等反射率較低光吸收系數(shù)不高的薄膜作為光吸收層，光吸收層的厚度可以為10納米到200納米。

本發(fā)明的技術(shù)方案具體有兩種實(shí)現(xiàn)方式，一種實(shí)現(xiàn)方式是將顯示基板的陽(yáng)極的光吸收率設(shè)計(jì)的比較高，另外一種實(shí)現(xiàn)方式是將顯示基板的陰極的光吸收率設(shè)計(jì)的比較高。下面結(jié)合附圖對(duì)這兩種實(shí)現(xiàn)方式進(jìn)行介紹，應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實(shí)施方式僅用于說(shuō)明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。

實(shí)施方式一

本實(shí)施方式是將位于顯示基板的出光側(cè)的陰極結(jié)構(gòu)的光吸收率設(shè)計(jì)的比較高，而陽(yáng)極結(jié)構(gòu)的光吸收率可以設(shè)計(jì)的比較低(需要低于10％)光反射率比較高(需要高于90％)。如圖1所示，本實(shí)施方式的顯示基板的制作方法包括以下步驟：將形成有陣列電路的基板1清洗干凈后，烘干。然后將基板1放入高真空的腔室中，蒸鍍陽(yáng)極結(jié)構(gòu)11，蒸鍍有機(jī)功能層2，蒸鍍完有機(jī)功能層2后，開始蒸鍍陰極結(jié)構(gòu)3。其中，圖2所示為紅色子像素和藍(lán)色子像素的陰極結(jié)構(gòu)的示意圖，圖3為綠色子像素的陰極結(jié)構(gòu)的示意圖。

對(duì)于紅色子像素和藍(lán)色子像素的陰極結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)，如圖2所示，制作過(guò)程為先蒸鍍厚度為5納米到30納米的透明陰極薄膜6，例如半透明的agmg復(fù)合陰極薄膜、ag陰極薄膜等。然后使用掩模板在紅色子像素和藍(lán)色子像素上依次蒸鍍位相差層7和光吸收層8，其中，位相差層7采用alq3、moo3、lif或mgf2制成，光吸收層采用alq3摻雜ag制成。光在位相差層7的上下表面反射，當(dāng)位相差層的光學(xué)厚度為光的半波長(zhǎng)λ/2的奇數(shù)倍時(shí)，兩束反射光發(fā)生干涉相消，反射光會(huì)被光吸收層8最大限度地吸收。光吸收層8的厚度為10納米到200納米，光吸收層8的反射率不能太高，太高環(huán)境光就會(huì)被反射回去同時(shí)oled發(fā)射的光也會(huì)被反射然后被陰極結(jié)構(gòu)吸收，造成對(duì)環(huán)境光的反射高并且oled出光效率低下，光吸收層的吸收系數(shù)高雖然可以吸收大量的環(huán)境光，但是又會(huì)吸收oled發(fā)射的光造成oled的出光效率低下。因此alq3摻雜ag薄膜等反射率較低光吸收系數(shù)不高5％-30％的光反射率、吸收率為5％-15％的薄膜可以作為光吸收層8。

對(duì)于綠色子像素的陰極結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)，如圖3所示，具體過(guò)程為先蒸鍍厚度為5納米到30納米的透明陰極薄膜6，例如半透明的agmg復(fù)合陰極薄膜、ag陰極薄膜等。然后使用掩模板在綠色子像素上依次蒸鍍位相差層7、光吸收層8和反射吸收薄膜9。其中，位相差層7采用alq3、moo3、lif或mgf2制成，光吸收層采用alq3摻雜ag制成。光在位相差層7的上下表面反射，當(dāng)位相差層的光學(xué)厚度為光的半波長(zhǎng)λ/2的奇數(shù)倍時(shí)，兩束反射光發(fā)生干涉相消，反射光會(huì)被光吸收層8最大限度地吸收。光吸收層8的厚度為10納米到200納米，光吸收層8的反射率不能太高，太高環(huán)境光就會(huì)被反射回去同時(shí)oled發(fā)射的光也會(huì)被反射然后被陰極結(jié)構(gòu)吸收，造成對(duì)環(huán)境光的反射高并且oled出光效率低下，光吸收層的吸收系數(shù)高雖然可以吸收大量的環(huán)境光，但是又會(huì)吸收oled發(fā)射的光造成oled的出光效率低下。因此alq3摻雜ag薄膜等反射率較低光吸收系數(shù)不高的薄膜可以作為光吸收層8。反射吸收薄膜9的厚度為1納米到30納米，通過(guò)反射吸收薄膜9與透明陰極薄膜6之間形成弱的微腔，使光吸收增加。但是反射吸收薄膜9的反射率不能太高，其原因與光吸收層8一樣，因此一般采用光吸收系數(shù)較高的薄的金屬材料比如al、cr、agmg等。

制作完陰極結(jié)構(gòu)后，制作薄膜封裝層4和濾光膜5。

對(duì)紅色子像素、藍(lán)色子像素和綠色子像素的陰極結(jié)構(gòu)的性能進(jìn)行模擬，模擬結(jié)果如圖4-圖7所示，圖4為紅色子像素和藍(lán)色子像素的陰極結(jié)構(gòu)對(duì)光的吸收率曲線示意圖，圖5為紅色子像素和藍(lán)色子像素的陰極結(jié)構(gòu)對(duì)光的透過(guò)率曲線示意圖，圖6為綠色子像素的陰極結(jié)構(gòu)對(duì)光的吸收率曲線示意圖，圖7為綠色子像素的陰極結(jié)構(gòu)對(duì)光的透過(guò)率曲線示意圖。其中，s1為藍(lán)色子像素和紅色子像素的陰極結(jié)構(gòu)對(duì)顯示基板發(fā)出光的光吸收率曲線，在460nm的藍(lán)光處對(duì)顯示基板發(fā)出光的吸收率為14.8％，在630nm的紅光處對(duì)顯示基板發(fā)出光的吸收率為22.1％。s2為紅色子像素的陰極結(jié)構(gòu)對(duì)環(huán)境光的光吸收率曲線，對(duì)630nm的環(huán)境深紅光的吸收率為52.3％，對(duì)620nm的環(huán)境紅光的吸收率為53.6％；s3為藍(lán)色子像素的陰極結(jié)構(gòu)對(duì)環(huán)境光的光吸收率曲線，對(duì)460nm處的環(huán)境藍(lán)光的吸收率達(dá)到63.9％。s4為藍(lán)色子像素和紅色子像素的陰極結(jié)構(gòu)對(duì)顯示基板發(fā)出光的光透過(guò)率曲線，對(duì)顯示基板發(fā)出的460nm的光的透過(guò)率達(dá)到61％，對(duì)顯示基板發(fā)出的620nm的紅光的透過(guò)率為69.5％，630nm的深紅光68.8％。s5為綠色子像素的陰極結(jié)構(gòu)對(duì)環(huán)境光的光吸收率曲線，對(duì)530nm的環(huán)境綠光吸收率達(dá)到47.2％。s6為綠色子像素的陰極結(jié)構(gòu)對(duì)顯示基板發(fā)出光的光吸收率曲線，在530nm處的吸收低至18.1％s7為綠色子像素的陰極結(jié)構(gòu)對(duì)顯示基板發(fā)出光的光透過(guò)率曲線，在530nm處最高可達(dá)到65.9％。

為了保證陰極結(jié)構(gòu)對(duì)oled發(fā)射光的吸收率低，因此陰極結(jié)構(gòu)對(duì)環(huán)境光的吸收率不會(huì)達(dá)到90％，但陰極結(jié)構(gòu)配合濾光膜的吸收可以使oled顯示基板的整體反射率達(dá)到要求。

進(jìn)一步地，如圖8和圖9所示，在蒸鍍完陰極結(jié)構(gòu)后，可在陰極結(jié)構(gòu)上面增加一層光輔助層10，光輔助層10的厚度為10納米到200納米，用于調(diào)節(jié)陰極結(jié)構(gòu)對(duì)環(huán)境光與oled所發(fā)射光的吸收率和反射率。

實(shí)施方式二

本實(shí)施方式是將位于顯示基板的非出光側(cè)的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)的光吸收率設(shè)計(jì)的比較高，而陰極的結(jié)構(gòu)的光吸收率設(shè)計(jì)的比較低(需要低于20％)光透過(guò)率設(shè)計(jì)的比較高(需要高于50％)。如圖1所示，本實(shí)施方式的顯示基板的制作方法包括以下步驟：將有電路的基板1清洗干凈后，烘干。然后將基板1放入高真空的腔室中，蒸鍍陽(yáng)極結(jié)構(gòu)11，蒸鍍有機(jī)功能層2，蒸鍍完有機(jī)功能層2后，開始蒸鍍陰極結(jié)構(gòu)3。

如圖10所示，在制作陽(yáng)極結(jié)構(gòu)11時(shí)，首先在基板1上制作一層反射薄膜12，然后蒸鍍一層厚度為光學(xué)厚度為光的半波長(zhǎng)λ/2的奇數(shù)倍的位相差層7，位相差層7的材料可選擇alq3等有機(jī)材料，也可以選擇lif、mgf2等無(wú)機(jī)材料。然后再蒸鍍一層厚度為10納米至40納米的透明陽(yáng)極薄膜13，al、cr、ag等可以作為透明陽(yáng)極薄膜13的材料，陽(yáng)極結(jié)構(gòu)11制作完成后，然后在上面開始依次蒸鍍有機(jī)功能層2，陰極結(jié)構(gòu)3。然后制作薄膜封裝層4和濾光膜5。

進(jìn)一步地，如圖11所示，還可以在透明陽(yáng)極薄膜12和位相差層7之間制作光吸收層8，光吸收層8與位相差層7之間界面上的反射光與透過(guò)位相差層7被反射薄膜12反射回來(lái)的光在光吸收層8發(fā)生干涉，被光吸收層8吸收。

本發(fā)明將光吸收率較高的陰極結(jié)構(gòu)或陽(yáng)極結(jié)構(gòu)與濾光膜相結(jié)合，相比于單獨(dú)使用光吸收率較高的電極結(jié)構(gòu)或者濾光膜降低oled顯示基板對(duì)環(huán)境光的反射更容易達(dá)到要求，容易實(shí)現(xiàn)柔性，出光效率損失少。上述實(shí)施例僅是為了舉例說(shuō)明電極結(jié)構(gòu)的組成，電極結(jié)構(gòu)的組成方式有多種，并不局限于上述實(shí)施例。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的顯示基板。所述顯示裝置可以為：電視、顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件，其中，所述顯示裝置還包括柔性電路板、印刷電路板和背板。

除非另外定義，本公開使用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)或者科學(xué)術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語(yǔ)并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來(lái)區(qū)分不同的組成部分?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語(yǔ)意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“連接”或者“相連”等類似的詞語(yǔ)并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。

可以理解，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被稱作位于另一元件“上”或“下”時(shí)，該元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中間元件。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。