本發(fā)明涉及顯示技術領域，更具體的說，涉及一種陣列基板的制造方法及顯示裝置。

背景技術：

顯示器具有機身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點，得到了廣泛的應用。現(xiàn)有市場上的顯示器大部分為背光型顯示器，其包括顯示面板及背光模組(backlightmodule)。顯示面板的工作原理是在兩片平行的基板當中放置液晶分子，并在兩片基板上施加驅動電壓來控制液晶分子的旋轉方向，以將背光模組的光線折射出來產生畫面。

其中，薄膜晶體管顯示器(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay，tft-lcd)由于具有低的功耗、優(yōu)異的畫面品質以及較高的生產良率等性能，目前已經逐漸占據(jù)了顯示領域的主導地位。同樣，薄膜晶體管顯示器包含顯示面板和背光模組，顯示面板包括彩膜基板(colorfiltersubstrate，cfsubstrate，也稱彩色濾光片基板)和薄膜晶體管陣列基板(thinfilmtransistorsubstrate，tftsubstrate)，上述基板的相對內側存在透明電極。兩片基板之間夾一層液晶分子(liquidcrystal，lc)。顯示面板是通過電場對液晶分子取向的控制，改變光的偏振狀態(tài)，并藉由偏光板實現(xiàn)光路的穿透與阻擋，實現(xiàn)顯示的目的。

目前液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，lcd)產品趨向于越來越高的解析度，光罩的制作技術的限制其精度極限時，阻礙液晶顯示器產品往更高解析度發(fā)展。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種有效提高顯示面板解析度的陣列基板的制作方法。

本發(fā)明的目的是通過以下技術方案來實現(xiàn)的：

一種陣列基板的制造方法，所述陣列基板包括基板，所述制造方法包括步驟：

提供一基板；

在所述基板上設置金屬層材料；

在所述金屬層材料上設置熱反應光阻材料；

采用光罩和熱反應制程獲得熱反應光阻層；

通過蝕刻工藝得到金屬層。

其中，所述采用光罩和熱反應制程獲得熱反應光阻層的步驟包括：

采用光罩和加熱反應制程在熱反應光阻材料上獲得金屬層的圖案；

采用顯影工藝獲得熱反應光阻層。

這樣，通過加熱反應制程作用于熱反應光阻材料，使得熱反應光阻材料進行曝光顯影獲得熱反應光阻層，加熱反應能夠進一步的縮小了金屬層的導線段的寬度，從而獲得所需的金屬層的圖案，然后采用蝕刻液對金屬層材料進行蝕刻，從而可以非常方便簡單的獲得金屬層。

其中，在所述通過蝕刻工藝得到金屬層之后還包括步驟：

去除殘留的熱反應光阻層。

這樣，在獲取到符合要求的金屬層后，通過清洗液對殘留在金屬層上的熱反應光阻材料進行去除，方便陣列基板后續(xù)制程的操作。

其中，所述采用光罩和加熱反應制程在熱反應光阻材料上獲得金屬層的圖案包括步驟：

采用光罩制程在熱反應光阻材料上獲得金屬層的初步圖案；

采用加熱反應制程在所述初步圖案的基礎上獲得金屬層的圖案。

這樣，先采用光罩制程有利于后續(xù)的加熱反應的精準控制，使得通過加熱反應獲得的金屬層的圖案更加的理想，而且能夠有效的避免光罩和加熱反應制程的相互影響，方便后續(xù)的加熱反應的精準控制，能夠有效的避免金屬層出現(xiàn)缺陷，進一步的保證了陣列基板的良品率，更好的節(jié)約生產成本，更有效的提升顯示面板的市場競爭力。

其中，所述采用加熱反應在初步圖案的基礎上獲得金屬層的圖案的步驟包括：

根據(jù)陣列基板的金屬層的間隙需求獲取熱反應光阻材料的預設反應數(shù)據(jù)；

根據(jù)所述預設反應數(shù)據(jù)作用在熱反應光阻材料獲得金屬層的圖案。

其中，所述預設反應數(shù)據(jù)包括預設溫度和預設時間。

這樣，通過金屬層的間隙需求，計算的得出熱反應光阻材料需要的預設溫度和預設時間，通過精準的控制熱反應光阻材料的加熱溫度及其反應的時間，可以非常精準的控制熱反應光阻材料之間的間隙，從而可以非常好的獲得所需求的金屬層的間隙，按照預設的溫度和預設的時間對熱反應光阻材料進行作用，從而可以非常好的獲得滿足要求的金屬層的圖案，更好的滿足陣列基板的設計要求，進一步的提高了陣列基板的制作精度，采用該方法制成的陣列基板來制作顯示面板，保證了顯示面板良好的顯示效果，可以更好的實現(xiàn)研發(fā)的需求，制作更高分辨率和更高清晰度的顯示面板產品，更好的滿足使用者的需求。

其中，所述基板上設有主動開關，所述金屬層包括主動開關的柵極層。

這樣，通過光罩和加熱反應制程作用于熱反應光阻材料，使得熱反應光阻材料進行曝光顯影，加熱反應能夠進一步的縮小了柵極層的導線段的寬度，從而獲得所需的柵極層的圖案，然后采用蝕刻液對柵極層材料進行蝕刻，從而可以非常方便簡單的獲得柵極層。

其中，所述金屬層包括主動開關的源極層和漏極層。這樣，采用該方法制成的源極層和漏極層，能夠有效的提高減小主動開關所占的空間，使得單位面積內可以設置更多的主動開關和像素單元，有效的提高顯示面板的分辨率，進一步的提高顯示面板的顯示效果，使得顯示面板的顯示效果更加的清晰自然，更好的提升顯示面板的顯示品質，有效的提升顯示面板的市場競爭力。

其中，所述源極層連接設有驅動電極，所述漏極層連接設有像素電極，所述金屬層包括所述驅動電極和所述像素電極。這樣，通過光罩和加熱反應制程作用于熱反應光阻材料，使得熱反應光阻材料進行曝光顯影，加熱反應能夠進一步的縮小了驅動電極和像素電極的導線段的寬度，從而獲得所需的驅動電極和像素電極的圖案，然后采用蝕刻液對驅動電極和像素電極材料進行蝕刻，從而可以非常方便簡單的獲得驅動電極和像素電極。

根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，本發(fā)明還公開了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

驅動單元；以及

顯示面板；

其中，所述顯示面板包括本發(fā)明任一所述制造方法制造的陣列基板。本發(fā)明由于采用該方法制成的陣列基板，通過制成的整列基板制作顯示面板，能夠有效的提高顯示面板的解析度，進一步的提高顯示面板的顯示效果，使得顯示面板的顯示效果更加的清晰自然，更好的提升顯示面板的顯示品質，有效的提升顯示面板的市場競爭力；首先在基板上設置需要進行光刻處理的金屬層材料，然后在金屬層材料上設置熱反應光阻材料，對熱反應光阻材料進行光罩和加熱反應制程，由于熱反應光阻材料能夠在加熱反應的過程中進一步的進行反應，從而有效的縮小了金屬層的導線段的寬度，使得導線段之間的間隙增大，更加的方便像素單元的設置，使得單位面積的內可以設置更多的像素單元，從而有效的提高顯示面板的解析度，更好的提升顯示面板的顯示品質，有效的提升顯示面板的市場競爭力。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例的范例的陣列基板的制作方法流程圖；

圖2是本發(fā)明實施例的范例的陣列基板的制作方法的示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例的陣列基板的制作方法流程圖；

圖4是本發(fā)明實施例的陣列基板的制作方法的示意圖；

圖5是本發(fā)明實施例的陣列基板的制作方法的示意圖；

圖6是本發(fā)明實施例的陣列基板的制作方法流程圖；

圖7是本發(fā)明實施例的陣列基板的制作方法流程圖；

圖8是本發(fā)明實施例的陣列基板的制作方法流程圖；

圖9是本發(fā)明實施例的陣列基板的剖面結構示意圖；

圖10是本發(fā)明實施例的顯示面板的剖面結構示意圖。

其中：1、基板，11、主動開關，12、柵極層，13、源極層，14、漏極層，2、金屬層材料，3、熱反應光阻材料，4、光阻材料，5、光罩，6、彩膜基板。

具體實施方式

這里所公開的具體結構和功能細節(jié)僅僅是代表性的，并且是用于描述本發(fā)明的示例性實施例的目的。但是本發(fā)明可以通過許多替換形式來具體實現(xiàn)，并且不應當被解釋成僅僅受限于這里所闡述的實施例。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術語“中心”、“橫向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。另外，術語“包括”及其任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術語在本發(fā)明中的具體含義。

這里所使用的術語僅僅是為了描述具體實施例而不意圖限制示例性實施例。除非上下文明確地另有所指，否則這里所使用的單數(shù)形式“一個”、“一項”還意圖包括復數(shù)。還應當理解的是，這里所使用的術語“包括”和/或“包含”規(guī)定所陳述的特征、整數(shù)、步驟、操作、單元和/或組件的存在，而不排除存在或添加一個或更多其他特征、整數(shù)、步驟、操作、單元、組件和/或其組合。

下面結合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步說明。

如圖1所示，范例的陣列基板的制作方法，所述制造方法包括步驟：

s11：在基板上設置金屬層材料；

s12：在金屬層材料上設置光阻材料；

s13：采用光罩制程獲得金屬層。

采用這種方法，能夠很好的進行陣列基板的金屬層的制作，光阻材料4通過光罩制程進行曝光顯影，獲得與光罩5圖案相同的金屬層的圖案，由于現(xiàn)有技術非常的成熟，可以很好的進行控制和生產，能夠有效的控制并降低生產成本。

如圖2所示，范例的陣列基板的制作方法的示意圖，在基板1上設置金屬層材料2，然后在金屬層材料2上設置光阻材料4，通過光罩制程對光阻材料4進行曝光顯影，從而的到與光罩5圖形相同的金屬層，保證了金屬層能夠有效的進行工作。

進一步研究發(fā)現(xiàn)，由于光罩5制作技術的限制，使得光罩5的精度有限，金屬層形成的導線之間的間隙無法再縮小，阻礙產品往更高解析度發(fā)展。因此，提供一種新的技術方案，有效提高顯示面板解析度的陣列基板的制作方法。

如圖3所示，為陣列基板的制作方法的流程圖，所述陣列基板包括基板1，所述制造方法包括步驟：

s21：提供一基板；

s22：在所述基板上設置金屬層材料；

s23：在所述金屬層材料上設置熱反應光阻材料；

s24：采用光罩和熱反應制程獲得熱反應光阻層；

s25：通過蝕刻工藝得到金屬層。

采用該方法制成的陣列基板，通過制成的整列基板制作顯示面板，能夠有效的提高顯示面板的解析度，進一步的提高顯示面板的顯示效果，使得顯示面板的顯示效果更加的清晰自然，更好的提升顯示面板的顯示品質，有效的提升顯示面板的市場競爭力；首先在基板1上設置需要進行光刻處理的金屬層材料2，然后在金屬層材料2上設置熱反應光阻材料3，對熱反應光阻材料3進行光罩和加熱反應制程，由于熱反應光阻材料3能夠在加熱反應的過程中進一步的進行反應，從而有效的縮小了金屬層的導線段的寬度，使得導線段之間的間隙增大，更加的方便像素單元的設置，使得單位面積的內可以設置更多的像素單元，從而有效的提高顯示面板的解析度，更好的提升顯示面板的顯示品質，有效的提升顯示面板的市場競爭力。

如圖4所示，為該陣列基板的制作方法的示意圖，在基板1上設置金屬層材料2，然后在金屬層材料2上設置熱反應光阻材料3，通過光罩制程對熱反應光阻材料3進行曝光顯影以及對熱反應光阻材料3進行加熱反應，使得金屬層的導線段的寬度小于光罩5的光柵線的寬度，可以更好的節(jié)省陣列基板上的空間，進一步的提高面板空間的利用率，在單位面積內能夠設置更多的像素單元，使得顯示面板的顯示效果更好，進一步的提高了顯示面板的分辨率，從而有效的提高顯示面板的解析度，更好的提升顯示面板的顯示品質。

如圖5所示，當然也可以將熱反應光阻材料3和普通的光阻材料4混合使用，在需要更細導線段的位置設置熱反應光阻材料3，在需要正常蝕刻的位置設置普通的光阻材料4，能夠有效的提高顯示面板的顯示效果，進一步的提高顯示面板的解析度，而且還能有效的節(jié)約生產成本，更有效的提升顯示面板的市場競爭力。

如圖6所示，所述采用光罩和熱反應制程獲得熱反應光阻層的步驟包括：

s31：采用光罩和加熱反應制程在熱反應光阻材料上獲得金屬層的圖案；

s32：采用顯影工藝獲得熱反應光阻層。

通過光罩和加熱反應制程作用于熱反應光阻材料3，使得熱反應光阻材料3進行曝光顯影，加熱反應能夠進一步的縮小了金屬層的導線段的寬度，從而獲得所需的金屬層的圖案，然后采用蝕刻液對金屬層材料2進行蝕刻，從而可以非常方便簡單的獲得金屬層，然后在金屬層上進行其他的制程，從而形成陣列基板，熱反應光阻材料3的加熱反應可以縮小金屬層的導線段的寬度，更好的節(jié)省陣列基板上的空間，進一步的提高面板空間的利用率，在單位面積內能夠設置更多的像素單元，當然也可以將熱反應光阻材料3和普通的光阻材料4混合使用，在金屬層的導線段的位置設置熱反應光阻材料3，在非導線段的位置設置普通的光阻材料4，能夠非常好的節(jié)省熱反應光阻材料3，從而有效的降低陣列基板的生產成本，更有效的提升顯示面板的市場競爭力，而且還能夠有效的提高顯示面板的顯示效果，進一步的提高顯示面板的解析度。

其中，在所述通過蝕刻工藝得到金屬層之后還包括步驟：去除殘留的熱反應光阻層。在獲取到符合要求的金屬層后，通過清洗液對殘留在金屬層上的熱反應光阻層進行去除，方便陣列基板后續(xù)制程的操作。

如圖7所示，所述采用光罩和加熱反應制程采用光罩和加熱反應制程在熱反應光阻材料上獲得金屬層的圖案的步驟包括：

s41：采用光罩制程在熱反應光阻材料上獲得金屬層的初步圖案；

s42：采用加熱反應制程在所述初步圖案的基礎上獲得金屬層的圖案。

首先對熱反應光阻材料3進行光罩制程，獲得金屬層的初步圖案，初步圖案的形狀與光罩5的形狀相同，方便進行接下來的加熱反應的操作，通過對熱反應光阻材料3進行加熱反應，更夠更好的獲得更加理想的金屬層圖案，使得金屬層的導線段的寬度小于光罩5的光柵線的寬度，可以更好的節(jié)省陣列基板上的空間，進一步的提高面板空間的利用率，在單位面積內能夠設置更多的像素單元，能夠有效的提高顯示面板的解析度，進一步的提高顯示面板的顯示效果。

如圖8所示，所述采用加熱反應在所述初步圖案的基礎上獲得金屬層的圖案的步驟包括：

s51：根據(jù)陣列基板的金屬層的間隙需求獲取熱反應光阻材料的預設反應數(shù)據(jù)；

s52：根據(jù)所述預設反應數(shù)據(jù)作用在熱反應光阻材料獲得金屬層的圖案。

通過金屬層的間隙需求，計算的得出熱反應光阻材料3需要的預設，反應數(shù)據(jù)，預設反應數(shù)據(jù)包括預設溫度和預設時間，通過精準的控制熱反應光阻材料3的加熱溫度及其反應的時間，可以非常精準的控制熱反應光阻材料3之間的間隙，從而可以非常好的獲得所需求的金屬層的間隙，按照預設的溫度和預設的時間對熱反應光阻材料3進行作用，從而可以非常好的獲得滿足要求的金屬層的圖案，更好的滿足陣列基板的設計要求，進一步的提高了陣列基板的制作精度，保證了顯示面板良好的顯示效果，可以更好的實現(xiàn)研發(fā)的需求，制作更高分辨率和更高清晰度的顯示面板產品，更好的滿足使用者的需求。

如圖5和圖9所示，所述基板1上設有主動開關11，所述金屬層包括主動開關11的柵極層12。通過光罩和加熱反應制程作用于熱反應光阻材料3，使得熱反應光阻材料3進行曝光顯影，加熱反應能夠進一步的縮小了柵極層12的導線段的寬度，從而獲得所需的柵極層12的圖案，然后采用蝕刻液對柵極層12材料進行蝕刻，從而可以非常方便簡單的獲得柵極層12，然后在柵極層12上進行其他的制程，從而形成陣列基板，熱反應光阻材料3的加熱反應可以縮小柵極層12的導線段的寬度，更好的節(jié)省陣列基板上的空間，進一步的提高面板空間的利用率，在單位面積內能夠設置更多的像素單元，當然也可以將熱反應光阻材料3和普通的光阻材料4混合使用，在柵極層12的導線段的位置設置熱反應光阻材料3，在非導線段的位置設置普通的光阻材料4，能夠非常好的節(jié)省熱反應光阻材料3，從而有效的降低陣列基板的生產成本，更有效的提升顯示面板的市場競爭力，而且還能夠有效的提高顯示面板的顯示效果，進一步的提高顯示面板的解析度；當然也可以將熱反應光阻材料3和普通的光阻材料4混合使用，在需要更細導線段的位置設置熱反應光阻材料3，在需要正常蝕刻的位置設置普通的光阻材料4，能夠有效的提高顯示面板的顯示效果，進一步的提高顯示面板的解析度，而且還能有效的節(jié)約生產成本。

其中，所述金屬層包括主動開關11的源極層13和漏極層14。采用該方法制成的源極層13和漏極層14，能夠有效的提高減小主動開關11所占的空間，使得單位面積內可以設置更多的主動開關11和像素單元，有效的提高顯示面板的分辨率，進一步的提高顯示面板的顯示效果，使得顯示面板的顯示效果更加的清晰自然，更好的提升顯示面板的顯示品質，有效的提升顯示面板的市場競爭力；在源極層13和漏極層14材料上設置熱反應光阻材料3，對熱反應光阻材料3進行光罩和加熱反應制程，由于熱反應光阻材料3能夠在加熱反應的過程中進一步的進行反應，從而有效的縮小了源極層13和漏極層14的導線段的寬度，使得導線段之間的間隙增大，更加的方便像素單元的設置，使得單位面積的內可以設置更多的像素單元，從而有效的提高顯示面板的解析度，更好的提升顯示面板的顯示品質。

其中，所述源極層13連接設有驅動電極，所述漏極層14連接設有像素電極，所述金屬層包括所述驅動電極和所述像素電極。通過光罩和加熱反應制程作用于熱反應光阻材料3，使得熱反應光阻材料3進行曝光顯影，加熱反應能夠進一步的縮小了驅動電極和像素電極的導線段的寬度，從而獲得所需的驅動電極和像素電極的圖案，然后采用蝕刻液對驅動電極和像素電極材料進行蝕刻，從而非常方便簡單的獲得驅動電極和像素電極，然后在驅動電極和像素電極上進行其他的制程，從而形成顯示面板，熱反應光阻材料3的加熱反應可以縮小驅動電極和像素電極的導線段的寬度，更好的節(jié)省顯示面板上的空間，進一步的提高面板空間的利用率，在單位面積內能夠設置更多的像素單元，當然也可以將熱反應光阻材料3和普通的光阻材料4混合使用，在驅動電極和像素電極的導線段的位置設置熱反應光阻材料3，在非導線段的位置設置普通的光阻材料4，能夠非常好的節(jié)省熱反應光阻材料3，從而有效的降低顯示面板的生產成本，更有效的提升顯示面板的市場競爭力，而且還能夠有效的提高顯示面板的顯示效果，進一步的提高顯示面板的解析度。

根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，本發(fā)明還公開了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：驅動單元；以及顯示面板。其中，所述顯示面板包括彩膜基板，以及與彩膜基板平行相向設置的陣列基板，所述陣列基板采用上述制造方法制造而成。關于陣列基板的具體制造方法可參見圖1至圖9，在此不再一一詳述。

在上述實施例中，基板的材料可以選用玻璃、塑料等。

在上述實施例中，顯示面板包括液晶面板、等離子面板等，以液晶面板為例，液晶面板包括陣列基板和彩膜基板(cf)，所述陣列基板與彩膜基板相對設置，所述陣列基板與彩膜基板之間設有液晶和間隔單元(photospacer，ps)，所述陣列基板上設有薄膜晶體管(tft)，彩膜基板上設有彩色濾光層。

在上述實施例中，彩膜基板可包括tft陣列，彩膜及tft陣列可形成于同一基板上，陣列基板可包括彩色濾光層。

在上述實施例中，本發(fā)明的顯示面板可為曲面型面板。

顯示面板的種類，色阻上的變化是應不限于lcd。

以上內容是結合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進一步詳細說明，不能認定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應當視為屬于本發(fā)明的保護范圍。