本發(fā)明涉及一種埋入式天線封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

天線是無(wú)線通訊設(shè)備中必需的元件，在可攜式的無(wú)線通訊設(shè)備集成化、小型化、微型化的要求下，現(xiàn)在使用的方式是通過(guò)系統(tǒng)級(jí)封裝，盡可能多的把無(wú)源器件、小功率有源器件、天線埋入基板內(nèi)，這就要求基板有盡可能低的介電損耗。另外，技術(shù)趨勢(shì)又要求基板盡可能薄型化，但是低損耗的基板或其他材料一般機(jī)械強(qiáng)度或剛度較低，從而會(huì)影響到整體封裝的強(qiáng)度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)提供一種埋入式天線封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，它使基板與天線設(shè)計(jì)分開(kāi)，天線線路獨(dú)立形成一低損耗部件，減少基板的設(shè)計(jì)難度，保證薄型基板的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，且滿足信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。

本發(fā)明解決上述問(wèn)題所采用的技術(shù)方案為：一種埋入式天線封裝結(jié)構(gòu)，它包括基板，所述基板正面設(shè)置有低損耗部件和芯片，所述低損耗部件內(nèi)部預(yù)制天線，所述低損耗部件和芯片外圍區(qū)域包覆有塑封料，所述基板背面設(shè)置有金屬球。

所述塑封料表面設(shè)置有保護(hù)膜。

一種埋入式天線封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，所述方法包括如下步驟：

步驟一、取一載板；

步驟二、在載板上貼裝一層保護(hù)膜；

步驟三、在保護(hù)膜上貼裝芯片和預(yù)制天線的低損耗部件；

步驟四、對(duì)芯片和低損耗部件進(jìn)行塑封作業(yè)；

步驟五、塑封料表面制作基板；

步驟六、在基板表面進(jìn)行植球作業(yè)；

步驟七、基板表面進(jìn)行臨時(shí)保護(hù)，去除載板；

步驟八、去除臨時(shí)保護(hù)并切割成單顆產(chǎn)品。

一種埋入式天線封裝結(jié)構(gòu)，它包括基板，所述基板正面設(shè)置有芯片，所述芯片左右兩側(cè)均設(shè)置有低損耗部件，所述低損耗部件內(nèi)部預(yù)制天線線路，所述低損耗部件和芯片外圍區(qū)域包覆有塑封料，所述基板背面設(shè)置有金屬球。

相鄰兩個(gè)封裝結(jié)構(gòu)中，左側(cè)封裝單元中位于右側(cè)的低損耗部件與右側(cè)封裝單元中位于左側(cè)的低損耗部件由一個(gè)整體的低損耗部件切割而成。

所述低損耗部件表面設(shè)置有保護(hù)膜。

所述天線線路周圍設(shè)置有屏蔽層。

所述屏蔽層采用一圈柱形陣列或整片側(cè)壁電鍍金屬的方式。

所述天線線路和屏蔽層表面設(shè)置有防腐蝕層。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：

1、本發(fā)明的天線單獨(dú)形成一個(gè)低損耗部件，減少基板的設(shè)計(jì)難度，保證薄型基板的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度；

2、本發(fā)明的低損耗部件內(nèi)預(yù)制天線，能夠保證天線區(qū)域在芯片工作時(shí)不會(huì)受到熱影響，以及芯片電磁輻射的影響，可以保持天線信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明一種埋入式天線封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例1的示意圖。

圖2~圖9為本發(fā)明一種埋入式天線封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例1制造方法的工序流程示意圖。

圖10為本發(fā)明一種埋入式天線封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例2的示意圖。

圖11為本發(fā)明一種埋入式天線封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例3的示意圖。

其中：

基板或rdl布線1

低損耗部件2

芯片3

塑封料4

天線線路5

保護(hù)膜6

屏蔽層7

金屬球8

防腐蝕層9。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

實(shí)施例1：

參見(jiàn)圖1，本實(shí)施例中的一種埋入式天線封裝結(jié)構(gòu)，它包括基板或rdl布線1，所述基板或rdl布線1正面設(shè)置有低損耗部件2和芯片3，所述低損耗部件2內(nèi)部預(yù)制天線線路5，所述低損耗部件2和芯片3外圍區(qū)域包覆有塑封料4，所述基板或rdl布線1背面設(shè)置有金屬球8；

所述塑封料4表面設(shè)置有保護(hù)膜6；

所述天線線路5周圍設(shè)置有屏蔽層7；

所述屏蔽層7采用一圈柱形陣列或整片側(cè)壁電鍍金屬的方式；

所述基板或rdl布線1包括低損耗保護(hù)層1.1和絕緣材料層1.2，所述絕緣材料層1.2位于低損耗保護(hù)層1.1下方，所述低損耗保護(hù)層1.1和絕緣材料層1.2內(nèi)設(shè)置有多層線路層1.3；

所述低損耗部件2在高頻（>20ghz）下具有低的介電常數(shù)（dk<3.5），具有低的介質(zhì)損耗（df<0.01）。

其制造方法包括如下步驟：

步驟一、參見(jiàn)圖2，取一載板；

步驟二、參見(jiàn)圖3，在載板上貼裝一層保護(hù)膜；

步驟三、參見(jiàn)圖4，在保護(hù)膜上貼裝芯片和預(yù)制天線的低損耗部件，低損耗部件可以單顆植入，也可以整體植入；

步驟四、參見(jiàn)圖5，對(duì)芯片和低損耗部件進(jìn)行塑封作業(yè)，使用機(jī)械強(qiáng)度較高的塑封料，并進(jìn)行塑封料表面的減薄作業(yè)，露出芯片與低損耗部件的電性連接端；

步驟五、參見(jiàn)圖6，塑封料表面通過(guò)電鍍和填充低損耗絕緣材料形成基板；

步驟六、參見(jiàn)圖7，在基板表面所需要和外部電性連接處進(jìn)行植球作業(yè)；

步驟七、參見(jiàn)圖8，在植球的表面進(jìn)行臨時(shí)保護(hù)，去除載板；

步驟八、參見(jiàn)圖9，去除臨時(shí)保護(hù)并切割成單顆產(chǎn)品。

實(shí)施例2：

參見(jiàn)圖10，本實(shí)施例中的一種埋入式天線封裝結(jié)構(gòu)，它包括基板或rdl布線1，所述基板或rdl布線1正面設(shè)置有芯片3，所述芯片3左右兩側(cè)均設(shè)置有低損耗部件2，所述低損耗部件2內(nèi)部預(yù)制天線線路5，所述低損耗部件2和芯片3外圍區(qū)域包覆有塑封料4，所述基板或rdl布線1背面設(shè)置有金屬球8；

相鄰兩個(gè)封裝結(jié)構(gòu)中，左側(cè)封裝單元中位于右側(cè)的低損耗部件2與右側(cè)封裝單元中位于左側(cè)的低損耗部件2由一個(gè)整體的低損耗部件切割而成；

所述低損耗部件2表面設(shè)置有保護(hù)膜6；

所述天線線路5周圍設(shè)置有屏蔽層7；

所述屏蔽層7采用一圈柱形陣列或整片側(cè)壁電鍍金屬的方式。

實(shí)施例3：

參見(jiàn)圖11，本實(shí)施例中的一種埋入式天線封裝結(jié)構(gòu)，它包括基板或rdl布線1，所述基板或rdl布線1正面設(shè)置有芯片3，所述芯片3左右兩側(cè)均設(shè)置有低損耗部件2，所述低損耗部件2內(nèi)部預(yù)制天線線路5，所述低損耗部件2和芯片3外圍區(qū)域包覆有塑封料4，所述基板或rdl布線1背面設(shè)置有金屬球8，所述天線線路5和屏蔽層7表面設(shè)置有防腐蝕層9。

除上述實(shí)施例外，本發(fā)明還包括有其他實(shí)施方式，凡采用等同變換或者等效替換方式形成的技術(shù)方案，均應(yīng)落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種埋入式天線封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，所述結(jié)構(gòu)基板（1），所述基板（1）正面設(shè)置有低損耗部件（2）和芯片（3），所述低損耗部件（2）內(nèi)部預(yù)制天線（5），所述低損耗部件（2）和芯片（3）外圍區(qū)域包覆有塑封料（4），所述基板（1）背面設(shè)置有金屬球（8）。本發(fā)明一種埋入式天線封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，它使基板與天線設(shè)計(jì)分開(kāi)，天線線路獨(dú)立形成一低損耗部件，減少基板的設(shè)計(jì)難度，保證薄型基板的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，且滿足信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員：林耀劍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.29
技術(shù)公布日：2017.09.29