技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件、其制作方法及其制作的存儲(chǔ)器，所述半導(dǎo)體器件的制作方法包括：提供一包含隔離結(jié)構(gòu)與有源區(qū)的半導(dǎo)體襯底，在有源區(qū)上形成第一凹槽，在第一凹槽上沉積多晶硅層，沿一第一方向?qū)λ龆嗑Ч鑼舆M(jìn)行傾斜離子注入，在第一凹槽的某些位置避免了離子注入，然后對(duì)多晶硅層進(jìn)行氧化并去除具有離子注入的氧化硅層，接著以剩余的氧化硅層為掩膜對(duì)第一凹槽進(jìn)行刻蝕，最終形成在有源區(qū)的電晶管U形通道為非對(duì)稱結(jié)構(gòu)，由此形成的半導(dǎo)體器件具有非對(duì)稱的有源區(qū)通道，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)有源區(qū)電流的控制，改善結(jié)面漏電現(xiàn)象，提高半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能。

技術(shù)研發(fā)人員：不公告發(fā)明人
受保護(hù)的技術(shù)使用者：睿力集成電路有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.07.05
技術(shù)公布日：2017.10.17