本發(fā)明系關(guān)于一軟性面板及其制作方法。

背景技術(shù)：

隨著工藝技術(shù)的演進以及消費者的需求，越來越多電子大廠積極投入于研發(fā)軟性面板，也就是可撓式面板。為了縮減顯示設(shè)備的邊界寬度，制造業(yè)者減薄面板的部份無機層，以讓金屬走線彎折至顯示設(shè)備背面。然而，由于一般無機層的厚度相當(dāng)厚且蝕刻速率相當(dāng)大，若是直接對無機層進行蝕刻，將使無機層殘余厚度的差異甚大，影響其彎折能力，導(dǎo)致布于無機層上方的金屬走線可能因此產(chǎn)生斷裂的情況。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明在于提供一種軟性面板及其制作方法，用以提升對無機層進行蝕刻后，無機層殘余厚度的均勻性。

依據(jù)本發(fā)明一實施例的軟性面板，具有基板、第一絕緣層、第二絕緣層、犧牲層及金屬走線層?；灞欢x有主動區(qū)、周邊電路區(qū)及中介區(qū)，其中中介區(qū)位于主動區(qū)及周邊電路區(qū)之間。第一絕緣層位于基板的主動區(qū)、周邊電路區(qū)與中介區(qū)，其中位于中介區(qū)的第一絕緣層具有第一圖形。第二絕緣層則位于第一絕緣層上，其中位于中介區(qū)的第二絕緣層具有第一開口沿著第一方向延伸，使得第二絕緣層未覆蓋第一絕緣層的第一圖形。犧牲層位于第一絕緣層與第二絕緣層之間，且犧牲層未覆蓋第一絕緣層的第一圖形。金屬走線層延伸于主動區(qū)與周邊電路區(qū)之間。于主動區(qū)中與周邊電路區(qū)中，金屬走線層位于第二絕緣層上方，而于中介區(qū)中，金屬走線層經(jīng)由第一開口而接觸第一絕緣層的第一圖形。

依據(jù)本發(fā)明一實施例的軟性面板，具有基板、第一絕緣層、第二絕緣層、晶體管結(jié)構(gòu)及金屬走線層?；灞欢x有主動區(qū)、周邊電路區(qū)與中介區(qū)，其中中介區(qū)位于主動區(qū)及周邊電路區(qū)之間。第一絕緣層位于基板的主動區(qū)、周邊電路區(qū)及中介區(qū)，其中位于中介區(qū)的第一絕緣層具有一第一圖形。第二絕緣層則位于第一絕緣層上，其中位于中介區(qū)的第二絕緣層具有第一開口沿第一方向延伸，使得第二絕緣層未覆蓋第一絕緣層的第一圖形。晶體管結(jié)構(gòu)位于第二絕緣層上且位于該主動區(qū)中，晶體管結(jié)構(gòu)具有柵極、通道層、漏極及源極。金屬走線層延伸于主動區(qū)與周邊電路區(qū)之間。于主動區(qū)中與周邊電路區(qū)中，金屬走線層位于第二絕緣層上方，并于主動區(qū)中電性連接晶體管結(jié)構(gòu)，而于中介區(qū)中，金屬走線層經(jīng)由第一開口而接觸第一絕緣層的第一圖形。

依據(jù)本發(fā)明一實施例的軟性面板制作方法，其步驟包含：設(shè)置第一絕緣層于基板上，其中基板具有主動區(qū)、周邊電路區(qū)以及介于主動區(qū)與周邊電路區(qū)間的中介區(qū)；設(shè)置犧牲層于第一絕緣層上對應(yīng)于基板的中介區(qū)處，該犧牲層具有一圖形；設(shè)置第二絕緣層，覆蓋第一絕緣層與犧牲層；圖形化第二絕緣層，使第二絕緣層于中介區(qū)具有一開口以暴露出第一絕緣層與犧牲層；圖形化第一絕緣層；以及蝕刻犧牲層暴露的部分。其中于圖形化第二絕緣層與圖形化第一絕緣層的步驟中，犧牲層的第一蝕刻率小于對第二絕緣層的第二蝕刻率，且犧牲層的第一蝕刻率小于對第一絕緣層的第三蝕刻率

借由上述結(jié)構(gòu)，本案所揭示的軟性面板及其制作方法，在需減薄以使金屬走線可以彎折的無機層區(qū)域，加入蝕刻犧牲層以提升無機層減薄后殘余厚度的均勻性，避免金屬走線的彎折能力受到底下無機層的殘余厚度影響，例如因差異甚大的均勻度導(dǎo)致金屬走線的彎折處斷裂。

以上的關(guān)于本揭露內(nèi)容的說明及以下的實施方式的說明系用以示范與解釋本發(fā)明的精神與原理，并且提供本發(fā)明的權(quán)利要求范圍更進一步的解釋。

附圖說明

圖1為依據(jù)本發(fā)明一實施例所繪示的軟性面板的俯視圖。

圖2a為圖1的軟性面板的2a-2a剖面圖。

圖2b為圖2a的軟性面板的中介區(qū)的放大剖面圖。

圖2c為圖2a的軟性面板的中介區(qū)的俯視圖。

圖2d為圖2c的軟性面板的2d-2d切面圖。

圖3a為依據(jù)本發(fā)明一實施例所繪示的工藝中的軟性面板的剖面圖。

圖3b為圖3a的軟性面板的中介區(qū)的俯視圖。

圖3c為圖3b的軟性面板的3c-3c切面圖。

圖4a為依據(jù)本發(fā)明一實施例所繪示的工藝中的軟性面板的剖面圖。

圖4b為圖4a的軟性面板的中介區(qū)的俯視圖。

圖4c為圖4b的軟性面板的4c-4c切面圖。

圖5a為依據(jù)本發(fā)明一實施例所繪示的工藝中的軟性面板的剖面圖。

圖5b為圖5a的軟性面板的中介區(qū)的俯視圖。

圖5c為圖5b的軟性面板的5c-5c切面圖。

圖6a為依據(jù)本發(fā)明一實施例所繪示的工藝中的軟性面板的剖面圖。

圖6b為圖6a的軟性面板的中介區(qū)的俯視圖。

圖6c為圖6b的軟性面板的6c-6c切面圖。

圖7a為依據(jù)本發(fā)明一實施例所繪示的工藝中的軟性面板的剖面圖。

圖7b為圖7a的軟性面板的中介區(qū)的俯視圖。

圖7c為圖7b的軟性面板的7c-7c切面圖。

圖8a為依據(jù)本發(fā)明一實施例所繪示的工藝中的軟性面板的剖面圖。

圖8b為圖8a的軟性面板的中介區(qū)的俯視圖。

圖8c為圖8b的軟性面板的8c-8c切面圖。

其中，附圖標(biāo)記：

10軟性面板

pi基板

b1第一絕緣層

b2第二絕緣層

gi第三絕緣層

ild介電質(zhì)層

m0犧牲層

m1金屬電極層

m2金屬走線層

poly通道層

q1晶體管結(jié)構(gòu)

g柵極

d源極

s漏極

aa主動區(qū)

ia中介區(qū)

sa周邊電路區(qū)

o1第一開口

o2第二開口

sw凸起部

ho凹陷部

pa1第一圖形

pa2第二圖形

pa3第三圖形

具體實施方式

以下在實施方式中詳細敘述本發(fā)明的詳細特征以及優(yōu)點，其內(nèi)容足以使任何熟習(xí)相關(guān)技藝者了解本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容并據(jù)以實施，且根據(jù)本說明書所揭露的內(nèi)容、權(quán)利要求及圖式，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員可輕易地理解本發(fā)明相關(guān)的目的及優(yōu)點。以下的實施例為進一步詳細說明本發(fā)明的觀點，但非以任何觀點限制本發(fā)明的范疇。

請參考圖1，圖1為依據(jù)本發(fā)明一實施例所繪示的軟性面板的俯視圖。如圖1所示，軟性面板10被定義為有主動區(qū)aa、中介區(qū)ia及周邊電路區(qū)sa。其中主動區(qū)aa例如為指晶體管結(jié)構(gòu)q1或其他主動元件所在的區(qū)域，周邊電路區(qū)sa為指周邊電路的所在區(qū)域，中介區(qū)ia則為指位于主動區(qū)aa及周邊電路區(qū)sa之間的區(qū)域。主動區(qū)aa的范圍例如為圓形或方形，本發(fā)明不予限制。于此實施例中，中介區(qū)ia僅設(shè)置于軟性面板的一側(cè)，然本發(fā)明不以此為限，亦可視需求于主動區(qū)的其他側(cè)設(shè)置中介區(qū)和周邊電路區(qū)。

再來請參考圖2a～2c，圖2a為圖1的軟性面板的2a-2a剖面圖，圖2b為圖2a的軟性面板的中介區(qū)的放大剖面圖，圖2c則為圖2a的軟性面板的中介區(qū)的俯視圖。如圖2a及2b所示，軟性面板10具有基板pi、第一絕緣層b1、第二絕緣層b2、犧牲層m0及金屬走線層m2?；錺i被定義為有主動區(qū)aa、周邊電路區(qū)sa以及中介區(qū)ia，即為圖1中的主動區(qū)aa、周邊電路區(qū)sa以及中介區(qū)ia。于一實施例中，基板pi為由軟性塑料例如聚酰亞胺(polyimide,pi)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚對苯二甲酸乙二酯(pet)，或其他軟性材質(zhì)所組成。

第一絕緣層b1位于基板pi上的主動區(qū)aa、周邊電路區(qū)sa以及中介區(qū)ia，其中位于中介區(qū)ia的第一絕緣層b1具有第一圖形pa1。第二絕緣層b2則位于第一絕緣層b1上，其中位于中介區(qū)ia的第二絕緣層b2具有第一開口o1沿第一方向延伸。上述的第一方向平行于圖2a中的y軸方向。于一實施例中，第一絕緣層b1的第一圖形pa1為沿著第二方向延伸，其中第二方向正交于上述的第一方向。更詳細地說，第二方向平行于圖2a中的x軸方向，亦即平行于從基板10的主動區(qū)aa往周邊電路區(qū)sa的方向。而組成第一絕緣層b1與第二絕緣層b2的材料例如為氧化鋁、氧化硅、氮化硅或其他無機材料，本發(fā)明不予限制。于實際的工藝中，第一絕緣層b1與第二絕緣層b2可以分別為厚度500埃(angstrom,)的氮化硅及厚度的氧化硅。于另一實施例中，軟性面板10具有多個第一絕緣層b1及多個第二絕緣層b2，其中第一絕緣層b1與第二絕緣層b2可以為多層交互堆棧。

犧牲層m0位于第一絕緣層b1與第二絕緣層b2之間，其中位于中介區(qū)的犧牲層m0具有第二開口o2，第二開口o2對應(yīng)于第二絕緣層b2的第一開口o1。于一實施例中，犧牲層m0僅位于中介區(qū)ia中，被第二絕緣層b2覆蓋的犧牲層m0具有第三圖形pa3。而組成犧牲層m0的材料例如為鈦、鉈、銅、鋁、釩、銀、鉑、鉛、金或其組合。

金屬走線層m2位于主動區(qū)aa、中介區(qū)ia及周邊電路區(qū)sa，具有第二圖形pa2。組成金屬走線層m2的材料例如為選自由鈦、鉈、銅、鋁、釩、銀、鉑、鉛、金及其組合所組成的群組的其中之一。另外，組成金屬走線層m2的材料的泊松比(poisson’sratio)可以大于0.32，所謂的泊松比為指當(dāng)材料受拉伸或壓縮力導(dǎo)致材料發(fā)生變形時，其橫向變形量與縱向變形量的比值。于此實施例中，如圖2a所示，主動區(qū)aa及周邊電路區(qū)sa中，金屬走線層m2為位于第二絕緣層b2之上，而于中介區(qū)ia中，金屬走線層m2經(jīng)第一開口o1延伸接觸第一絕緣層b1。

再來請參考圖2c與圖2d，圖2d為圖2c的軟性面板的2d-2d切面圖，于一實施例中，如圖2d所示，中介區(qū)ia中的金屬走線層m2覆蓋具有第一圖形pa1的第一絕緣層b1。第一絕緣層b1的第一圖形pa1具有至少一凸起部sw及凹陷部ho，而位于中介區(qū)ia的金屬走線層m2具有第二圖形pa2，其中第二圖形pa2位于第一圖形pa1的凸起部sw上方。于上述實施例中，第二圖形pa2和第一圖形pa1可以于垂直基板方向上實質(zhì)地切齊，其中垂直基板方向平行于z軸的方向。第一圖形pa1的凸起部sw及凹陷部ho的數(shù)量可以為一或多個，本發(fā)明不予限制。而當(dāng)?shù)谝粓D形pa1的凸起部sw及凹陷部ho的數(shù)量為多個時，第一圖形pa1可為條紋圖形，換句話說，第一圖形pa1具有多個條狀凸起部sw以及位于凸起部sw之間的多個條狀凹陷部ho，其中相鄰的兩條狀凸起部sw之間的間距(亦即，條狀凹陷部ho的間距)介于2.5微米至100微米，多個條狀凹陷部ho暴露出下方的基板pi。而于其他實施例中，中介區(qū)ia中的金屬走線層m2可不覆蓋具有第一圖形pa1的第一絕緣層b1，也就是說，第一絕緣層b1的第一圖形pa1具有至少一凹陷部ho，而金屬走線層m2的第二圖形pa2位于第一圖形pa1的凹陷部ho。又或是，中介區(qū)ia中的金屬走線層m2可部分覆蓋于第一圖形pa1的凸起部sw，部份覆蓋于凹陷部ho。

請再參考圖2a，如圖2a所示，于一實施例中，軟性面板10具有如同上述實施例中的基板pi、第一絕緣層b1、第二絕緣層b2及金屬走線層m2，因此相關(guān)的詳細內(nèi)容于此不再贅述。于此實施例中，軟性面板10更具有晶體管結(jié)構(gòu)q1位于主動區(qū)aa中的第二絕緣層b2上。晶體管結(jié)構(gòu)q1例如為薄膜晶體管，具有柵極g、通道層poly、源極s與漏極d，其中柵極g為由金屬電極層m1制作而成，通道層poly則為由例如多晶硅層制作而成。于此實施例中，軟性面板10的金屬走線層m2更于主動區(qū)aa中透過金屬電極層m1或直接連接至晶體管結(jié)構(gòu)q1的柵極g、漏極d或源極s。于一實施例中，軟性面板10具有如同上述實施例中的基板pi、第一絕緣層b1、第二絕緣層b2、犧牲層m0、晶體管結(jié)構(gòu)q1及金屬走線層m2，因此相關(guān)的詳細內(nèi)容于此不再贅述。于一實施例中，晶體管結(jié)構(gòu)q1不限形成于主動區(qū)aa中，亦可形成于周邊電路區(qū)sa中。

接下來的敘述為關(guān)于軟性面板10的制作過程的說明，請依序參考圖3a～8c，其中圖3a、4a、5a、6a、7a及8a為依據(jù)本發(fā)明一實施例所繪示的各階段工藝中的軟性面板的剖面圖，而圖3b、4b、5b、6b、7b及8b為分別對應(yīng)于圖3a、4a、5a、6a、7a及8a的軟性面板中介區(qū)的俯視圖，圖3c、4c、5c、6c、7c及8c則為分別對應(yīng)于圖3a、4a、5a、6a、7a及8a的軟性面板的切面圖。

首先，如圖3a～3c所示，于基板pi上設(shè)置第一絕緣層b1，并于第一絕緣層b1上設(shè)置犧牲層m0。接著，如圖4a所示，圖形化犧牲層m0，使剩余的犧牲層m0圖案位于基板pi的中介區(qū)ia。于一實施例中，圖形化犧牲層m0的步驟包含蝕刻犧牲層m0。如圖4b及4c所示，圖形化后的犧牲層m0形成至少一條狀凸起部，呈現(xiàn)例如條紋圖形，且條紋圖形為沿著從主動區(qū)aa往周邊電路區(qū)sa的方向(x軸方向)延伸。然而，本發(fā)明對于犧牲層m0圖形化后的實際圖形不予限制。

執(zhí)行完圖形化犧牲層m0的步驟后，如圖5a～5c所示，設(shè)置第二絕緣層b2并使第二絕緣層b2覆蓋第一絕緣層b1及犧牲層m0，并于第二絕緣層b2上覆蓋第三絕緣層gi。于一實施例中，覆蓋第三絕緣層gi之前更包含形成一層半導(dǎo)體圖案，例如作為晶體管q1的通道層poly。再來，如圖6a～6c所示，于第三絕緣層gi上涂布光刻膠pr，其中光刻膠pr于犧牲層m0上方具有開洞，而光刻膠pr開洞的寬度小于犧牲層m0的寬度，也就是說光刻膠pr將保護犧牲層m0的兩端不被蝕刻，于是在后續(xù)蝕刻后，將留下犧牲層m0的兩端。

接著，對第三絕緣層gi及第二絕緣層b2進行蝕刻，如圖7a～7c所示，在對第三絕緣層gi及第二絕緣層b2進行蝕刻時，由于犧牲層m0的第一蝕刻率小于第二絕緣層b2的第二蝕刻率，因此由切面來看，如圖7c所示，當(dāng)?shù)诙^緣層b2被蝕刻完而裸露出第一絕緣層b1的部份時，犧牲層m0幾乎未被蝕刻，使得第二絕緣層b2的第一開口o1暴露出位于中介區(qū)的犧牲層m0及部分第一絕緣層b1。于此實施例中，蝕刻可采用干蝕刻方法進行蝕刻，然本發(fā)明不以此為限。蝕刻方法可利用對犧牲層m0的第一蝕刻率小于對第二絕緣層b2的第二蝕刻率的蝕刻劑進行即可。

接著，如圖8a～8c所示，繼續(xù)于中介區(qū)ia中對犧牲層m0及第一絕緣層b1進行蝕刻，由于犧牲層m0的第一蝕刻率小于第一絕緣層b1的第三蝕刻率，此階段以犧牲層m0作為掩膜繼續(xù)蝕刻裸露的部份第一絕緣層b1，接著，繼續(xù)蝕刻或例如再轉(zhuǎn)換蝕刻劑使得犧牲層m0的蝕刻率大于第一絕緣層b1的蝕刻率，對犧牲層m0進行蝕刻，使第二絕緣層b2的第一開口o1暴露出第一絕緣層b1及位于中介區(qū)邊緣的殘余犧牲層m0，而原未被犧牲層m0所覆蓋的第一絕緣層b1則被蝕刻干凈而露出基板pi。最后，移除光刻膠層pr。于此實施例中，如圖8a及8b所示，被第二絕緣層b2覆蓋的犧牲層m0具有第三圖形pa3，第三圖形pa3延伸對應(yīng)于第一絕緣層b1的第一圖形pa1，且位于第一開口o1兩側(cè)的第二絕緣層b2與第一絕緣層b1之間。另外，如圖8c所示，蝕刻后剩余的第一絕緣層b1為于圖7c中位于犧牲層m0下的部份第一絕緣層b1，由于蝕刻犧牲層m0的速率與蝕刻第一絕緣層b1的速率不同，因此蝕刻完犧牲層m0后，底下剩余的第一絕緣層b1可以有較為平整的表面與均勻的厚度。

舉例來說，前述蝕刻第三絕緣層gi、第二絕緣層b2以及第一絕緣層b1的步驟中，第二蝕刻率與第一蝕刻率的比例為介于3倍至50倍，且第三蝕刻率與第一蝕刻率的比例為介于3倍至50倍。上述的蝕刻率為指每一單位時間內(nèi)被侵蝕的厚度，例如埃/分鐘(angstrom/minute,)。請參考表1，表1為指氮化硅、氧化硅及犧牲層m0的層別的平均蝕刻率，如表1所示，氮化硅層、氧化硅層及犧牲層m0的平均蝕刻率分別約為及換句話說，在干蝕刻下，平均每分鐘可以使得氮化硅層的厚度減少2177埃，使氧化硅層的厚度減少760埃，并使?fàn)奚鼘觤0的厚度減少121埃，因此能將非位于犧牲層m0之下的第一絕緣層b1蝕刻干凈。

表1

請再回到圖2a及2c，于一實施例中，在使第二絕緣層b2于中介區(qū)具有第一開口o1以暴露出第一絕緣層b1與殘余的犧牲層m0后，將進一步于第二絕緣層b2上設(shè)置晶體管結(jié)構(gòu)q1以及金屬走線層m2。于一實施例中，設(shè)置金屬走線層m2的步驟為指于主動區(qū)aa、中介區(qū)ia及周邊電路區(qū)sa設(shè)置金屬走線層m2，使金屬走線層自主動區(qū)aa經(jīng)由第一開口o1延伸至周邊電路區(qū)sa，并使金屬走線層m2對應(yīng)于第一絕緣層b1的第一圖形pa1，如圖2c所示。如此一來，金屬走線層m2將設(shè)置于具有平整表面的第一絕緣層b1上，避免以往因底層不平整而導(dǎo)致金屬走線斷裂的情況。

借由上述結(jié)構(gòu)，本案所揭示的軟性面板及其制作方法，在需減薄以使金屬走線可以彎折的無機層區(qū)域，加入蝕刻犧牲層以提升無機層減薄后殘余厚度的均勻性，避免金屬走線的彎折能力受到底下無機層的殘余厚度影響，例如因差異甚大的均勻度導(dǎo)致金屬走線的彎折處斷裂。

當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍。