本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示面板及其制作方法，以及一種顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：

微型發(fā)光二極管(microled)的耗電量僅為液晶顯示屏(lcd)的十分之一。microled與有機(jī)發(fā)光二極管(oled)一樣屬于自發(fā)光器件，具有低功耗、厚度小、質(zhì)量小、體積小、功耗低、反應(yīng)快的特點(diǎn)，且不具有oled色衰的缺點(diǎn)，因此成為面板行業(yè)研究的熱點(diǎn)。

現(xiàn)有技術(shù)中，microled芯片與薄膜晶體管(tft)電連接時(shí)，一般n型半導(dǎo)體靠近tft，p型半導(dǎo)體設(shè)于n型半導(dǎo)體背向tft的一側(cè)。由于光從設(shè)于所述p型半導(dǎo)體及所述n型半導(dǎo)體之間的發(fā)光層射出，并進(jìn)入p型半導(dǎo)體層進(jìn)行出射。但是，p型半導(dǎo)體的出光面為光面時(shí)，由于全反射會(huì)導(dǎo)致部分光線重新進(jìn)入發(fā)光層轉(zhuǎn)化為熱量，導(dǎo)致出光效率降低。因此，為了增加出光，現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)p型半導(dǎo)體層進(jìn)行粗化處理，以減少光的全反射，增加出光效率。但是由于p型半導(dǎo)體層相對(duì)薄，厚度在200nm以內(nèi)，粗化會(huì)導(dǎo)致p型半導(dǎo)體材料的晶體質(zhì)量下降，從而使得所述microled芯片的漏電流增加。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的提供一種顯示面板，在增加出光效率的同時(shí)，減少所述microled芯片的漏電流的產(chǎn)生。

所述顯示面板包括薄膜晶體管，設(shè)于所述薄膜晶體管上并與所述薄膜晶體管電連接的微型發(fā)光二極管，所述微型發(fā)光二極管包括p型半導(dǎo)體、與所述p型半導(dǎo)體相對(duì)設(shè)置的n型半導(dǎo)體、設(shè)于所述p型半導(dǎo)體與所述n型半導(dǎo)體之間的發(fā)光層，所述n型半導(dǎo)體設(shè)于所述p型半導(dǎo)體背向所述薄膜晶體管的一側(cè)，所述n型半導(dǎo)體的厚度大于所述p型半導(dǎo)體，所述n型半導(dǎo)體背向所述p型半導(dǎo)體的一面為粗糙面。

其中，所述顯示面板還包括鈍化層及有機(jī)層，所述有機(jī)層層疊于所述薄膜晶體管上，且所述有機(jī)層上設(shè)有開口槽，所述微型發(fā)光二極管收容所述開口槽內(nèi)并與所述薄膜晶體管電連接；所述鈍化層層疊并覆蓋所述有機(jī)層及所述微型發(fā)光二極管。

其中，所述鈍化層為有機(jī)或無機(jī)絕緣膜層。

其中，所述顯示面板還包括第一電極及第二電極，所述第一電極層疊于所述薄膜晶體管上并位于所述有機(jī)層的開口槽位置，所述薄膜晶體管包括源漏極，所述第一電極一端與所述源漏極連接，另一端與所述p型半導(dǎo)體進(jìn)行電連接；所述第二電極層疊于所述鈍化層上方，且所述第二電極的一端通過穿過所述鈍化層與所述n型半導(dǎo)體進(jìn)行電連接。

其中，所述p型半導(dǎo)體朝向所述第一電極的一面層疊有透明導(dǎo)電層，所述第一電極通過所述透明導(dǎo)電層與所述p型半導(dǎo)體進(jìn)行電連接。

其中，所述n型半導(dǎo)體背向所述p型半導(dǎo)體的一側(cè)設(shè)有n型金屬電極，所述第二電極通過所述n型金屬電極與所述n型半導(dǎo)體進(jìn)行電連接。

其中，所述n型半導(dǎo)體的厚度大于2μm，所述p型半導(dǎo)體的厚度小于200nm。

本發(fā)明還提供一種顯示面板的制作方法，包括步驟：

提供一形成有薄膜晶體管及有機(jī)層的基板，所述有機(jī)層層疊于所述薄膜晶體管上，在所述有機(jī)層上形成開口槽；

在所述開口槽內(nèi)設(shè)一微型發(fā)光二極管，并將所述微型發(fā)光二極管與所述薄膜晶體管電連接，所述微型發(fā)光二極管包括p型半導(dǎo)體、與所述p型半導(dǎo)體相對(duì)設(shè)置的n型半導(dǎo)體及設(shè)于所述p型半導(dǎo)體與所述n型半導(dǎo)體之間的發(fā)光層，所述n型半導(dǎo)體設(shè)于所述p型半導(dǎo)體背向所述薄膜晶體管一側(cè)，且所述n型半導(dǎo)體的厚度大于所述p型半導(dǎo)體；

通過等離子體表面處理工藝處理所述n型半導(dǎo)體背向所述p型半導(dǎo)體的一面，使所述n型半導(dǎo)體背向所述p型半導(dǎo)體的一面粗化；

在所述有機(jī)層及所述微型發(fā)光二極管上形成鈍化層；

在所述鈍化層上形成第二電極，且所述第二電極的一端與所述n型半導(dǎo)體電連接。

其中，所述等離子體表面處理工藝中的形成等離子體的氣體為h2、ar、n2或nh3中任意一種或幾種。

本發(fā)明還提供一種顯示設(shè)備，包括顯示設(shè)備本體及上述的顯示面板，所述顯示面板與所述顯示設(shè)備本體電連接。本發(fā)明提供的所述顯示面板，在所述microled芯片與薄膜晶體管(tft)電連接時(shí)，使所述p型半導(dǎo)體靠近tft，n型半導(dǎo)體設(shè)于p型半導(dǎo)體背向tft的一側(cè)，并對(duì)所述n型半導(dǎo)體背向所述p型半導(dǎo)體的一面處理為粗糙面。由于所述n型半導(dǎo)體的厚度大于所述p型半導(dǎo)體的厚度，因此，對(duì)所述n型半導(dǎo)體進(jìn)行粗化時(shí)，不會(huì)影響所述n型半導(dǎo)體材料的晶體質(zhì)量，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了增加出光效率的同時(shí)，避免所述microled芯片的漏電流的產(chǎn)生。

附圖說明

為更清楚地闡述本發(fā)明的構(gòu)造特征和功效，下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施例來對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)說明。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1所述本發(fā)明實(shí)施例的顯示面板制造流程圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例的顯示面板制造中步驟“提供一形成有薄膜晶體管及有機(jī)層的基板，并在所述有機(jī)層上形成開口槽”的具體流程圖；

圖4-10是本發(fā)明實(shí)施的顯示面板各制造步驟中的截面示意圖。

具體實(shí)施例

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。其中，附圖僅用于示例性說明，表示的僅是示意圖，不能理解為對(duì)本專利的限制。

請參閱圖1，本發(fā)明提供一種顯示面板100。所述顯示面板100包括基板10、設(shè)于所述基板10上的薄膜晶體管20，及設(shè)于所述薄膜晶體管20上并與所述薄膜晶體管20電連接的微型發(fā)光二極管30。

所述基板10可以為剛性基板或者為柔性基板。本實(shí)施例中，所述基板10為剛性的玻璃基板。

本實(shí)施例中，所述薄膜晶體管20為ltps-tft。所述薄膜晶體管20包括緩沖層21、有源層22、柵極絕緣層23、柵極24、介電層25、源漏極26、阻隔層27及平坦層28。所述緩沖層21層疊并覆蓋與所述基板10上，所述有源層22層疊于所述緩沖層21上。所述有緣層22包括溝道層221及分設(shè)于所述溝道層221兩側(cè)的第一摻雜區(qū)222及第二摻雜區(qū)223。所述柵極絕緣層23覆蓋所述有有緣層22及未被所述有緣層22覆蓋的所述緩沖層21。所述柵極24層疊于所述柵極絕緣層23上，且其垂直方向的投影位于所述都到層221內(nèi)。所述介電層25層疊與所述柵極24上，并覆蓋所述柵極24及未被所述柵極24覆蓋的柵極絕緣層23。自所述介電層25背向所述柵極絕緣層23的一面向所述有源層22延伸有兩個(gè)過孔，且兩個(gè)所述過孔分別位于所述第一摻雜區(qū)222及所述第二摻雜區(qū)223上。所述源漏極26設(shè)于所述介電層25上，且所述源漏極26包括源極及漏極，所述源極與所述漏極分別通過所述過孔與穿過所述介電層25及所述柵極絕緣層23分別與所述第一摻雜區(qū)222及所述第二摻雜區(qū)223進(jìn)行電連接。所述阻隔層27層疊于所述源漏極26上并覆蓋所述源漏極26及未被所述源漏極26覆蓋的所述介電層25。所述平坦層28層疊于所述阻隔層27上。自所述平坦層28背向所述阻隔層27的一面向所述平坦層28內(nèi)部延伸有一穿孔，所述穿孔延伸至所述源漏極26?？梢岳斫獾氖牵鶕?jù)實(shí)際需要，所述薄膜晶體管20還可以為其它類型的薄膜晶體管，如普通tft、ltps-tft、htps-tft等其它類型的薄膜晶體管。

所述微型發(fā)光二極管30包括依次層疊的透明導(dǎo)電層31、p型半導(dǎo)體32、發(fā)光層33、n型半導(dǎo)體34。所述p型半導(dǎo)體32與所述n型半導(dǎo)體34相對(duì)且平行設(shè)置，所述發(fā)光層33設(shè)于所述p型半導(dǎo)體32與所述n型半導(dǎo)體34之間。所述p型半導(dǎo)體32與所述透明導(dǎo)電層31進(jìn)行貼合，從而實(shí)現(xiàn)所述p型半導(dǎo)體32與所述透明導(dǎo)電層31的電連接。并且，所述p型半導(dǎo)體32通過所述透明導(dǎo)電層31與所述薄膜晶體管20進(jìn)行電連接。通過所述透明導(dǎo)電層31將所述薄膜晶體管20傳輸?shù)碾娏骰螂妷壕鶆蚍植加谒鰌型半導(dǎo)體上，能夠促進(jìn)所述發(fā)光層33各個(gè)位置的均勻發(fā)光。

所述n型半導(dǎo)體34設(shè)于所述p型半導(dǎo)體32背向所述薄膜晶體管20的一側(cè)，且所述n型半導(dǎo)體34背向所述p型半導(dǎo)體32的一面為粗糙面。通過將所述n型半導(dǎo)體34背向所述p型半導(dǎo)體32的一面設(shè)置為粗糙面，使得從所述n型半導(dǎo)體與所述p型半導(dǎo)體之間的所述出光層33發(fā)光從所述n型半導(dǎo)體側(cè)的出光效率增加。并且，為了盡量減少所述n型半導(dǎo)體34的晶格缺陷，一般所述n型半導(dǎo)體34的厚度會(huì)大于所述p型半導(dǎo)體32的厚度，因此，將所述n型半導(dǎo)體34的一面設(shè)置為粗糙面，不會(huì)影響所述n型半導(dǎo)體34的中的晶體質(zhì)量，從而不會(huì)增加所述microled芯片30的漏電流，實(shí)現(xiàn)在增加出光效率的同時(shí)，減少所述microled芯片30的漏電流的產(chǎn)生。本發(fā)明中，所述n型半導(dǎo)體的厚度大于2μm，所述p型半導(dǎo)體的厚度小于200nm。進(jìn)一步的，本實(shí)施例中，所述n型半導(dǎo)體34背向所述p型半導(dǎo)體32的一面還設(shè)置有n型金屬電極。

所述顯示面板100還包括有機(jī)層40、鈍化層50、第一電極60及第二電極70。所述有機(jī)層40層疊于所述薄膜晶體管20上。所述有機(jī)層40上設(shè)有開口槽41，且所述微型發(fā)光二極管30收容于所述開口槽41內(nèi)。所述鈍化層50層疊于所述有機(jī)層40上并覆蓋所述微型發(fā)光二極管30。所述鈍化層50為有機(jī)或無機(jī)絕緣膜層。

所述第一電極60設(shè)于所述薄膜晶體管20的平坦層28上，并內(nèi)嵌于所述有機(jī)層40內(nèi)，即所述有機(jī)層40覆蓋所述第一電極60及未被所述第一電極60覆蓋的平坦層28。并且，所述開口槽41的底壁為所述第一電極60，即在所述有機(jī)層40上設(shè)置開口槽41，并露出部分所述第一電極60。所述第一電極60的一端通過所述穿孔與所述薄膜晶體管20的源漏極26進(jìn)行電連接，另一端與所述p透明導(dǎo)電層31通過鍵合材料層35進(jìn)行電連接，從而通過所述第一電極60實(shí)現(xiàn)所述微型發(fā)光二極管30與所述薄膜晶體管20的電連接。所述第二電極70層疊于所述鈍化層40上，所述第二電極70的一端通過設(shè)于所述鈍化層40上的過孔與所述n型金屬電極35進(jìn)行電連接。本發(fā)明中將所述第二電極70設(shè)于所述鈍化層40上，通過所述鈍化層40將所述第一電極60及所述第二電極70隔離開，防止所述第一電極60與所述第二電極70產(chǎn)生短路現(xiàn)象。

本發(fā)明中，通過所述第一電極60及所述第二電極70向所述微型發(fā)光二極管30加載電流，使得所述微型發(fā)光二極管30的所述發(fā)光層33進(jìn)行發(fā)光，發(fā)出的光線經(jīng)過所述n型半導(dǎo)體34透出。并且，由于所述n型半導(dǎo)體34背向所述p型半導(dǎo)體32的一面為粗糙面，從而減少所述n型半導(dǎo)體側(cè)對(duì)光線的全反射，從而增加所述n型半導(dǎo)體側(cè)的出光效率。并且，由于所述n型半導(dǎo)體34的厚度較大，將所述n型半導(dǎo)體34的一面設(shè)置為粗糙面時(shí)，不會(huì)影響所述n型半導(dǎo)體34的中的晶體質(zhì)量，從而不會(huì)增加所述microled芯片30的漏電流，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)在增加出光效率的同時(shí)，減少所述microled芯片30的漏電流的產(chǎn)生。

請參閱圖2，本發(fā)明還所述顯示面板100的制作方法，包括：

步驟210、提供一形成有薄膜晶體管20及有機(jī)層40的基板10，所述有機(jī)層40層疊于所述薄膜晶體管20上，在所述有機(jī)層40上形成開口槽41。

具體的，請參閱圖3，所述步驟210包括：

步驟211、請參閱圖4，提供一基板10，在所述基板10上形成薄膜晶體管20。所述基板10可以為剛性基板或者為柔性基板。本實(shí)施例中，所述基板10為剛性的玻璃基板。

本實(shí)施例中，所述薄膜晶體管20為ltps-tft。所述薄膜晶體管20包括緩沖層21、有緣層22、柵極絕緣層23、柵極24、介電層25、源漏極26、阻隔層27及平坦層28。通過氣相沉積、旋涂或噴墨打印等工藝在所述基板10上形成所述緩沖層21，使所述緩沖層21層疊并覆蓋與所述基板10上。并在所述緩沖層21上形成有源層22，所述有源層22層疊于所述緩沖層21上。對(duì)所述有源層22的兩端分別進(jìn)行n離子摻雜及p離子摻雜，使得所述有源層22形成溝道層221及分設(shè)于所述溝道層221兩側(cè)的第一摻雜區(qū)222及第二摻雜區(qū)223。在所述有源層22及未被所述有源層22覆蓋的所述緩沖層21上形成所述柵極絕緣層23，所述柵極絕緣層23覆蓋所述有源層22及未被所述有源層22覆蓋的所述緩沖層21。在所述柵極絕緣層23上形成所述柵極24，所述柵極24垂直方向的投影位于所述溝道層221內(nèi)。在所述柵極24及未被所述柵極24覆蓋的柵極絕緣層23上形成所述介電層25，所述介電層25覆蓋所述柵極24及未被所述柵極24覆蓋的柵極絕緣層23。自所述介電層25背向所述柵極絕緣層23的一面向所述有源層22延伸形成兩個(gè)過孔，且兩個(gè)所述過孔分別位于所述第一摻雜區(qū)222及所述第二摻雜區(qū)223上。在所述介電層25上形成所述源漏極26，并使所述源漏極26通過得到過孔穿過所述介電層25及所述柵極絕緣層23分別與所述第一摻雜區(qū)222及所述第二摻雜區(qū)223進(jìn)行電連接。在所述源漏極26上形成所述阻隔層27，使所述阻隔層27覆蓋所述源漏極26及未被所述源漏極26覆蓋的所述介電層25。在所述阻隔層27形成所述平坦層28。自所述平坦層28背向所述阻隔層27的一面向所述源漏極26延伸一穿孔，且所述穿孔位于所述源漏極26上?？梢岳斫獾氖?，根據(jù)實(shí)際需要，所述薄膜晶體管20還可以為其它類型的薄膜晶體管，如普通tft、htps-tft等其它類型的薄膜晶體管。

步驟212、請參閱圖4，在所述薄膜晶體管20上形成一第一電極60，所述第一電極60與所述薄膜晶體管20進(jìn)行電連接。

通過電鍍、磁控濺射、氣相沉積等工藝在所述薄膜晶體管20的所述平坦層26上形成一第一金屬層，進(jìn)一步對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行圖案化得到所述第一電極60。并使所述第一電極60通過所述穿孔與所述源漏極26進(jìn)行電連接。

步驟213、請參閱圖6，在所述第一電極60上及未被所述第一電極60覆蓋的所述薄膜晶體管20上沉積有機(jī)材料層42。

本實(shí)施例中，所述有機(jī)材料層42為有機(jī)光阻材料。通過旋涂或噴墨打印等工藝沉積形成于所述第一電極60上及未被所述第一電極60覆蓋的所述薄膜晶體管20。

步驟214、請參閱圖7，圖案化所述有機(jī)材料層42，得到有機(jī)層40，所述有機(jī)層40上設(shè)有開口槽41。

通過曝光、顯影等將所述有機(jī)材料層42進(jìn)行圖案化，得到所述有機(jī)層40。所述有機(jī)層40上包括開口槽41，所述開口槽41為圓臺(tái)狀，其開口方向背離所述薄膜晶體管20，且其開口的大小大于所述底壁的大小。本發(fā)明中，對(duì)所述有機(jī)材料層42進(jìn)行圖案化，除去覆蓋在所述第一電極60的所述有機(jī)材料層42，露出所述第一電極60并形成所述開口槽41，使得所述開口槽41的底壁為所述第一電極60。

步驟220、請參閱圖8，在所述開口槽41內(nèi)設(shè)一微型發(fā)光二極管30，并將所述微型發(fā)光二極管30與所述第一電極60鍵合，所述微型發(fā)光二極管30包括p型半導(dǎo)體32、與所述p型半導(dǎo)體32相對(duì)設(shè)置的n型半導(dǎo)體34及設(shè)于所述p型半導(dǎo)體32與所述n型半導(dǎo)體34之間的發(fā)光層33。

本發(fā)明中，所述n型半導(dǎo)體34設(shè)于所述p型半導(dǎo)體32背向所述薄膜晶體管20的一側(cè)，且所述n型半導(dǎo)體34的厚度大于所述p型半導(dǎo)體32。本實(shí)施例中，所述p型半導(dǎo)體32背向所述n型半導(dǎo)體34的一側(cè)還設(shè)有透明導(dǎo)電層31，并將所述透明導(dǎo)電層31與所述第一電極60通過鍵合材料層進(jìn)行鍵合，以實(shí)現(xiàn)所述微型發(fā)光二極管30與薄膜晶體管20的電連接。

步驟230、請參閱圖9，通過等離子體表面工藝處理所述n型半導(dǎo)體34背向所述p型半導(dǎo)體32的一面，使所述n型半導(dǎo)體34背向所述p型半導(dǎo)體32的一面粗化。

本實(shí)施例中，通過所述等離子體表面處理工藝對(duì)所述n型半導(dǎo)體34背向所述p型半導(dǎo)體32的一面進(jìn)行處理。所述等離子體表面處理工藝為將一定的氣體進(jìn)行處理形成等離子體，通過所述等離子體對(duì)物體表面進(jìn)行處理。本發(fā)明中，形成所述等離子體的氣體還可以為h2、ar、n2或nh3中任意一種或幾種氣體。本實(shí)施例中，形成所述等離子體的氣體為h2。通過所述等離子體表面處理工藝，使所述n型半導(dǎo)體32背向所述p型半導(dǎo)體的一面粗糙化，從而減少所述n型半導(dǎo)體32對(duì)所述發(fā)光層33發(fā)出光線的全反射，進(jìn)而增加所述顯示面板100的透光率。

步驟240、請參閱圖10，在所述有機(jī)層40及所述微型發(fā)光二極管30上沉積鈍化層70。

通過旋涂或噴墨打印等工藝在所述有機(jī)層40及所述微型發(fā)光二極管30上沉積鈍化材料層71，所述鈍化材料層71覆蓋所述有機(jī)層40及所述微型發(fā)光二極管30。進(jìn)一步的，過刻蝕工藝圖案化所述鈍化材料層71，得到鈍化層70。所述鈍化層70包括開孔，所述開孔從所述鈍化層70背向所述有機(jī)層60的一面向所述鈍化層70內(nèi)部延伸至所述n型半導(dǎo)體上。

步驟250、請重新參閱圖1，在所述鈍化層70上形成第二電極50，且所述第二電極50的一端穿過所述開孔與所述n型半導(dǎo)體34電連接。

通過電鍍、磁控濺射、氣相沉積等工藝在所述鈍化層70上形成一第二金屬層，進(jìn)一步對(duì)所述第二金屬層進(jìn)行圖案化得到所述第二電極50。并且，所述第二電極50通過所述開孔與所述n型半導(dǎo)體32進(jìn)行電連接。本實(shí)施例中，所述n型半導(dǎo)體上還層疊并電連接有n型金屬電極，通過所述n型金屬電極與所述第二電極50實(shí)現(xiàn)所述第二電極50與所述n型半導(dǎo)體32的電連接，使得所述第二電極50與所述n型半導(dǎo)體32之間的電連接更加的牢固。

本發(fā)明還提供一種顯示設(shè)備。所述顯示設(shè)備包括顯示設(shè)備本體及上述的顯示面板，所述顯示面板與所述顯示設(shè)備本體電連接。所述顯示設(shè)備可以為手機(jī)、電腦、平板、電視等電子顯示設(shè)備。

以上所述為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。