技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種基于低成本單晶金剛石制備高性能金剛石半導(dǎo)體的方法，屬于新型半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域。工藝步驟為：a.將市售廉價(jià)高溫高壓Ib型單晶金剛石襯底進(jìn)行酸洗，去除表面夾雜物并形成鈍化氧終結(jié)表面；b.采用微波氫等離子體短時(shí)處理活化金剛石表面并裸露出新鮮的C?C懸掛鍵；c.采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積法在新鮮的金剛石表面外延生長高質(zhì)量單晶金剛石薄層，主要通過引入具有自修復(fù)功能的氧原子，實(shí)現(xiàn)低位錯(cuò)密度與雜質(zhì)含量的金剛石薄層外延；d.關(guān)閉碳源與氧源，采用微波氫等離子體處理外延生長后的金剛石表面，獲得高的氫終結(jié)密度，在氫氣氣氛下冷卻至室溫，即獲得高導(dǎo)電性能的金剛石半導(dǎo)體。本發(fā)明簡化了工藝流程，降低了技術(shù)難度和生產(chǎn)成本，縮短了生產(chǎn)周期。

技術(shù)研發(fā)人員：劉金龍;李成明;林亮珍;鄭宇亭;趙云;閆雄伯;陳良賢;魏俊俊;黑立富;張建軍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.07.10
技術(shù)公布日：2017.10.20