本發(fā)明涉及顯示
技術(shù)領(lǐng)域：
，尤其涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，其顯示裝置及其制作方法。
背景技術(shù)：
：有機(jī)發(fā)光二極管器件(oled，organiclightemittingdiode)由于其自身具有發(fā)光的功能，與傳統(tǒng)的液晶顯示器相比，具有更低的功耗，同時(shí)還擁有高亮度和高響應(yīng)速度，并且可以制成柔性顯示，已經(jīng)成為顯示領(lǐng)域目前的主流器件?？諝庵械乃脱鯕鈱?duì)oled器件的壽命影響很大。因此需要對(duì)oled器件進(jìn)行有效封裝，使oled器件與大氣中的水汽、氧氣等成分充分隔離，可以大大延長(zhǎng)oled器件的壽命，從而可以延長(zhǎng)包括oled器件的顯示裝置的使用壽命。相關(guān)技術(shù)在對(duì)oled器件進(jìn)行封裝時(shí)，通常會(huì)在待封裝oled器件上沉積至少一組薄膜封裝層，其中，每組薄膜封裝層包括一層有機(jī)層和一層無(wú)機(jī)層。薄膜封裝層一般通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，pecvd)、原子層沉積法(atomiclayerdeposition，ald)、旋涂法(spin-coating)、印刷法(printering)等方法制成，與其他方法相比，ald膜層(由ald法制備的膜層)在更薄的情況下具有更好的阻隔水氧的能力。然而ald膜層具有較致密的膜層結(jié)構(gòu)，使有機(jī)層和無(wú)機(jī)層之間的粘附性不好，在層間容易發(fā)生剝離現(xiàn)象。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有鑒于此，本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光顯示面板、有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法以及有機(jī)發(fā)光顯示裝置。第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，包含：基板；顯示層，設(shè)置在所述基板上；封裝結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述顯示層背離所述基板的一側(cè)；所述封裝結(jié)構(gòu)包括薄膜封裝層，所述薄膜封裝層至少包括依次設(shè)置的第一無(wú)機(jī)層和第一有機(jī)層，所述第一無(wú)機(jī)層的表面粗糙度為0.01nm～0.99nm；至少在所述第一無(wú)機(jī)層和所述第一有機(jī)層之間設(shè)置有過(guò)渡層；所述過(guò)渡層包括連接單元；所述連接單元含有金屬原子或非金屬原子中的至少一種以及非極性基團(tuán)。第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包含上述第一方面所述的顯示面板。第三方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的制備方法，包含以下步驟：制備一基板；在所述基板上形成顯示層；形成薄膜封裝層，所述薄膜封裝層形成在所述顯示層背離所述基板的一側(cè)；形成所述薄膜封裝層的步驟至少包括：采用原子層沉積的方式形成第一無(wú)機(jī)層；在所述采用原子層沉積的方式形成第一無(wú)機(jī)層的腔室內(nèi)加入過(guò)渡層前驅(qū)體，形成過(guò)渡層，所述過(guò)渡層包括連接單元；所述連接單元含有金屬原子或非金屬原子中的至少一種以及非極性基團(tuán)；所述金屬原子或非金屬原子中的至少一種與所述第一無(wú)機(jī)層通過(guò)共價(jià)鍵相連接；在所述過(guò)渡層上形成第一有機(jī)層，所述第一有機(jī)層與所述非極性基團(tuán)通過(guò)分子間作用力相結(jié)合。本發(fā)明的技術(shù)方案至少具有以下有益的效果：本發(fā)明通過(guò)在有機(jī)發(fā)光顯示面板的顯示層上設(shè)置薄膜封裝層，由于通過(guò)原子層沉積的方式形成第一無(wú)機(jī)層的表面粗糙度為0.01nm～0.99nm，因此與第二無(wú)機(jī)層之間的粘結(jié)性較差。本發(fā)明通過(guò)在第一無(wú)機(jī)層和第一有機(jī)層之間設(shè)置過(guò)渡層，過(guò)渡層包括連接單元，連接單元含有金屬原子或非金屬原子中的至少一種以及非極性基團(tuán)，非極性基團(tuán)用于與第一有機(jī)層之間通過(guò)分子間作用力相結(jié)合，金屬原子或非金屬原子用于與第一無(wú)機(jī)層通過(guò)共價(jià)鍵相連接，從而顯著增強(qiáng)了第一無(wú)機(jī)層和第一有機(jī)層之間的粘結(jié)性，避免了膜層之間剝離現(xiàn)象的發(fā)生。附圖說(shuō)明為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。圖1為本發(fā)明某一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明又一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明又一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明某一實(shí)施例的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明某一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示面板制作方法的流程示意圖；圖6為本發(fā)明某一實(shí)施例的薄膜封裝層制作方法的流程示意圖；圖7為本發(fā)明又一實(shí)施例的薄膜封裝層制作方法的流程示意圖；圖8為本發(fā)明又一實(shí)施例的薄膜封裝層制作方法的流程示意圖；1-基板；2-顯示層；3-薄膜封裝層；31-第一無(wú)機(jī)層；32-過(guò)渡層；321-第一過(guò)渡層；322-第二過(guò)渡層；33-第一有機(jī)層；34-第二無(wú)機(jī)層；10-有機(jī)發(fā)光顯示面板。具體實(shí)施方式為了更好的理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。應(yīng)當(dāng)明確，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。在本發(fā)明實(shí)施例中使用的術(shù)語(yǔ)是僅僅出于描述特定實(shí)施例的目的，而非旨在限制本發(fā)明。在本發(fā)明實(shí)施例和所附權(quán)利要求書中所使用的單數(shù)形式的“一種”、“所述”和“該”也旨在包括多數(shù)形式，除非上下文清楚地表示其他含義。本發(fā)明實(shí)施例涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，其結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示，由圖1可知，有機(jī)發(fā)光顯示面板包含一基板1；基板1上設(shè)置有用于發(fā)光的顯示層2，封裝結(jié)構(gòu)(圖中未示出)設(shè)置于顯示層2背離基板1的一側(cè)，封裝結(jié)構(gòu)包括薄膜封裝層3，薄膜封裝層3至少包括依次設(shè)置的第一無(wú)機(jī)層31和第一有機(jī)層33。由于第一無(wú)機(jī)層31一般采用原子層沉積(ald)的方法制備，因此第一無(wú)機(jī)層31的表面非常光滑，通常條件下表面粗糙度ra<1nm。正因如此，第一無(wú)機(jī)層33與第一有機(jī)層33之間的粘結(jié)力較差，易于發(fā)生剝離的現(xiàn)象。本發(fā)明經(jīng)過(guò)銳意研究，通過(guò)至少在第一無(wú)機(jī)層31和第一有機(jī)層33之間設(shè)置過(guò)渡層32，過(guò)渡層包括連接單元，連接單元含有金屬原子或非金屬原子中的至少一種以及非極性基團(tuán)，非極性基團(tuán)用于與第一有機(jī)層33之間通過(guò)分子間作用力相結(jié)合，金屬原子或非金屬原子用于與第一無(wú)機(jī)層31通過(guò)共價(jià)鍵相連接，從而顯著增強(qiáng)了第一無(wú)機(jī)層31和第一有機(jī)層33之間的粘結(jié)性，避免了膜層之間的剝離現(xiàn)象?？蛇x的，連接單元的結(jié)構(gòu)式如式i所示：其中，r表示通過(guò)分子間作用力與第一有機(jī)層相結(jié)合的非極性基團(tuán)；m表示通過(guò)共價(jià)鍵與第一無(wú)機(jī)層相連接的金屬原子或非金屬原子；0<n≤4。當(dāng)n等于或大于2時(shí)，r表示相同的取代基，也可表示兩個(gè)或兩個(gè)以上不同的取代基。可選的，m可以選自硼原子、硅原子或鋁原子，但不限于此。當(dāng)m選自金屬原子，如鋁原子時(shí)，連接單元的結(jié)構(gòu)式可以為其中，r1、r2可表示相同或不同的非極性基團(tuán)，鋁原子上空余的化學(xué)鍵用于與第一無(wú)機(jī)層中的非金屬原子(例如氧化鋁中的氧原子，或者氮化硅中的氮原子)之間形成共價(jià)鍵連接，其分子結(jié)構(gòu)式示意圖如下所示：其中，位于下方的虛線方框表示由氧化鋁形成的第一無(wú)機(jī)層。由此可見，連接單元的一端通過(guò)共價(jià)鍵與第一無(wú)機(jī)層直接連接，連接單元的另一端可通過(guò)分子間作用力與第一有機(jī)層相結(jié)合。過(guò)渡層將第一無(wú)機(jī)層表面由親水性轉(zhuǎn)變?yōu)槭杷?，從而通過(guò)單分子層的設(shè)計(jì)就達(dá)到了增加粘結(jié)力的效果。當(dāng)m選自硼原子時(shí)，連接單元的作用原理基本同上。當(dāng)m選自非金屬原子，如硅原子時(shí)，連接單元的結(jié)構(gòu)式可以為其中，r1、r2、r3可表示相同或不同的非極性基團(tuán)，硅原子上空余的化學(xué)鍵用于與第一無(wú)機(jī)層中的非金屬原子(例如氧化鋁中的氧原子，或者氮化硅中的氮原子)之間形成共價(jià)鍵連接，其分子結(jié)構(gòu)式示意圖如下所示：其中位于下方的虛線方框表示由氧化鋁形成的第一無(wú)機(jī)層。連接單元的作用原理基本同上。在本發(fā)明實(shí)施例中的連接單元中，非極性基團(tuán)選自c1～c36烷基、c6～c36芳基。進(jìn)一步可選的，非極性基團(tuán)選自c1～c24烷基、c6～c24芳基；進(jìn)一步可選的，非極性基團(tuán)選自c1～c12烷基、c6～c12芳基；雖然碳鏈越長(zhǎng)或芳環(huán)越多，其非極性越強(qiáng)，但出于器件穩(wěn)定性的考量，非極性基團(tuán)進(jìn)一步可選為小分子碳鏈或芳環(huán)，例如c1～c6烷基、苯基。碳原子數(shù)可以為1～36的烷基，烷基可為鏈狀烷基，也可為環(huán)烷基，位于環(huán)烷基的環(huán)上的氫可被烷基取代，烷基中碳原子數(shù)可選的下限值為2，3，4，5，可選的上限值為3，4，5，6，8，10，12，14，16，18，20，24，28，32，36?？蛇x地，選擇碳原子數(shù)為1～24的烷基，進(jìn)一步可選地，選擇碳原子數(shù)為1～12的鏈狀烷基，更進(jìn)一步可選地，選擇碳原子數(shù)為1～6的鏈狀烷基。鏈狀烷基包括直鏈烷基和支鏈烷基，并可選化學(xué)性能更加穩(wěn)定的烷基。作為烷基的實(shí)例，具體可以為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、新戊基、己基、2-甲基-戊基、3-甲基-戊基、1,1,2-三甲基-丙基、3,3,-二甲基-丁基、庚基、2-庚基、3-庚基、2-甲基己基、3-甲基己基、異庚基、辛基、壬基、癸基。碳原子數(shù)為6～36的芳基，例如苯基、苯烷基、至少含有一個(gè)苯基的芳基如聯(lián)苯基、稠環(huán)芳烴基如萘、蒽、菲均可，聯(lián)苯基和稠環(huán)芳烴基還可被烷基或是烯基所取代。可選地，選擇碳原子數(shù)為6～26的芳基，進(jìn)一步可選地，選擇碳原子數(shù)為6～14的芳基，更進(jìn)一步可選地，選擇碳原子數(shù)為6～9的芳基。作為芳基的實(shí)例，具體可以為苯基、芐基、聯(lián)苯基、對(duì)甲苯基、鄰甲苯基、間甲苯基。可選的，連接單元選自以下結(jié)構(gòu)式所示的連接單元中的至少一種，但不限于此：在本發(fā)明實(shí)施例的薄膜封裝層中，過(guò)渡層的厚度可以為0.1nm～10nm。通過(guò)上述分析可知，本發(fā)明通過(guò)單分子層的設(shè)計(jì)從而達(dá)到增加第一無(wú)機(jī)層和第一有機(jī)層之間粘結(jié)力的效果。因此，本發(fā)明的過(guò)渡層的厚度非常小，僅為單層連接單元分子的厚度，不會(huì)增加薄膜封裝層的厚度，符合顯示技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。在本發(fā)明實(shí)施例的又一實(shí)施方式中，為了進(jìn)一步增強(qiáng)薄膜封裝的封裝效果，薄膜封裝層還可包括第二無(wú)機(jī)層34；其結(jié)構(gòu)示意圖如圖2所示，其中，第二無(wú)機(jī)層34設(shè)置于第一有機(jī)層33背離第一無(wú)機(jī)層31的一側(cè)。在本發(fā)明實(shí)施例的又一實(shí)施方式中，為了進(jìn)一步增強(qiáng)薄膜封裝的第二無(wú)機(jī)層34與第一有機(jī)層33之間的粘結(jié)力，薄膜封裝層還可進(jìn)一步包括設(shè)置于第二無(wú)機(jī)層34與第一有機(jī)層33之間的第二過(guò)渡層322，其結(jié)構(gòu)式示意圖如圖3所示。其中，第一過(guò)渡層321設(shè)置于第一無(wú)機(jī)層31與第一有機(jī)層33之間，第二過(guò)渡層322設(shè)置于第一有機(jī)層33與第二無(wú)機(jī)層34之間?？蛇x的，第一無(wú)機(jī)層的材料可以選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅中的至少一種，并不限于此。連接單元中的金屬原子或非金屬原子與第一無(wú)機(jī)層中的非金屬原子(o、n、c等)通過(guò)共價(jià)鍵相連接?？蛇x的，第二無(wú)機(jī)層的材料也可選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅中的至少一種，并不限于此。本發(fā)明實(shí)施例的第二方面提出一種顯示裝置，具體如圖4所示，包含本發(fā)明實(shí)施例第一方面的有機(jī)發(fā)光顯示面板10。顯示裝置具體可以為例如觸摸屏、手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、筆記本電腦、電紙書或電視機(jī)等任何具有顯示功能的電子設(shè)備。本發(fā)明實(shí)施例的第三方面提出一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法，如圖5所示，為本實(shí)施例有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法流程示意圖100；包括以下步驟：步驟s1，提供一基板。步驟s2，在基板上形成顯示層；步驟s3，在顯示層上形成薄膜封裝層，薄膜封裝層形成在顯示層背離基板的一側(cè)。在本發(fā)明實(shí)施例的某一可選實(shí)施例中，如圖6所示，為本發(fā)明實(shí)施例形成薄膜封裝層的制作方法流程示意圖200；包括以下步驟：步驟s3a，采用原子層沉積的方式形成第一無(wú)機(jī)層；步驟s3b，在采用原子層沉積的方式形成第一無(wú)機(jī)層的腔室內(nèi)加入過(guò)渡層前驅(qū)體，形成過(guò)渡層；其中，過(guò)渡層包括連接單元；連接單元含有金屬原子或非金屬原子中的至少一種以及非極性基團(tuán)；金屬原子或非金屬原子中的至少一種與第一無(wú)機(jī)層通過(guò)共價(jià)鍵相連接；步驟s3c，在過(guò)渡層上形成第一有機(jī)層，第一有機(jī)層與非極性基團(tuán)通過(guò)分子間作用力相結(jié)合。在本發(fā)明實(shí)施例的又一可選實(shí)施例中，如圖7所示，為本發(fā)明實(shí)施例形成薄膜封裝層的制作方法流程示意圖300；包括以下步驟：步驟s3a，采用原子層沉積的方式形成第一無(wú)機(jī)層；步驟s3b，在采用原子層沉積的方式形成第一無(wú)機(jī)層的腔室內(nèi)加入過(guò)渡層前驅(qū)體，形成第一過(guò)渡層；步驟s3c，在第一過(guò)渡層上形成第一有機(jī)層；s3d，采用原子層沉積或化學(xué)氣相沉積的方式在第一有機(jī)層表面制備第二無(wú)機(jī)層。在本發(fā)明實(shí)施例的又一可選實(shí)施例中，如圖8所示，為本發(fā)明實(shí)施例形成薄膜封裝層的制作方法流程示意圖400；包括以下步驟：步驟s3a，采用原子層沉積的方式形成第一無(wú)機(jī)層；步驟s3b，在采用原子層沉積的方式形成第一無(wú)機(jī)層的腔室內(nèi)加入過(guò)渡層前驅(qū)體，形成第一過(guò)渡層；步驟s3c，在第一過(guò)渡層上形成第一有機(jī)層；步驟s3b’，在采用原子層沉積的方式形成第二無(wú)機(jī)層的腔室內(nèi)加入過(guò)渡層前驅(qū)體，形成第二過(guò)渡層；步驟s3d，采用原子層沉積的方式在第二過(guò)渡層制備第二無(wú)機(jī)層。在上述形成薄膜封裝層的可選實(shí)施方式中，可選的，在形成第一無(wú)機(jī)層的腔室內(nèi)繼續(xù)加入過(guò)渡層前驅(qū)體，從而形成過(guò)渡層，不需要增加額外的步驟，即，在采用原子沉積法制備第一無(wú)機(jī)層的過(guò)程中，僅需要在形成第一無(wú)機(jī)層的腔室內(nèi)繼續(xù)加入過(guò)渡層前驅(qū)體進(jìn)行沉積即可形成過(guò)渡層?？蛇x的，過(guò)渡層前驅(qū)體的結(jié)構(gòu)式如式ia所示：其中，r表示通過(guò)分子間作用力與第一有機(jī)層相結(jié)合的非極性基團(tuán)；m表示通過(guò)共價(jià)鍵與第一無(wú)機(jī)層相連接的金屬原子或非金屬原子；l表示過(guò)渡層前驅(qū)體與第一無(wú)機(jī)層發(fā)生反應(yīng)后脫離的基團(tuán)；0<n≤4，0<m≤4。當(dāng)n等于或大于2時(shí)，r表示相同的取代基，也可表示兩個(gè)或兩個(gè)以上不同的取代基?？蛇x的，m可選自硼原子、硅原子或鋁原子，但不限于此?？蛇x的，l表示可得到至少一個(gè)氫原子后可形成氣態(tài)或液態(tài)小分子化合物的基團(tuán)。例如，-ch3、-nh2、-nh-、-oh等。其中，非極性基團(tuán)的選擇如前所述。在本發(fā)明實(shí)施例中，第一有機(jī)層可采用可以采用噴墨打印(inkjetprinting)、化學(xué)氣相沉積(chemicalvapordeposition，cvd)、濺射、等離子體化學(xué)氣相沉積(pe-cvd)的方式制備，第一有機(jī)層材料可選用聚合物，如聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚酰亞胺、聚碳酸脂、環(huán)氧樹脂、聚乙烯、聚丙烯酸酯、有機(jī)硅氧烷等有機(jī)材料。下面以三甲基鋁(tma)為過(guò)渡層前驅(qū)體，進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例過(guò)渡層形成的過(guò)程。如前所述，第一無(wú)機(jī)層采用原子層沉積的方法制備，以第一無(wú)機(jī)層為al2o3、tio2等氧化物為例，會(huì)在第一無(wú)機(jī)層表面產(chǎn)生羥基。三甲基鋁會(huì)與第一無(wú)機(jī)層表面的羥基反應(yīng)，具體反應(yīng)方程式如下：以三甲基鋁(tma)為過(guò)渡層前驅(qū)體，可在原子層沉積法制備al2o3為材料的第一無(wú)機(jī)層后，繼續(xù)采用原子層沉積法沉積一層三甲基鋁即可，不會(huì)引入新的物質(zhì)，并且在形成第一無(wú)機(jī)層的腔室內(nèi)繼續(xù)加入過(guò)渡層前驅(qū)體即可完成。下面以六甲基二硅氮(hmds)為過(guò)渡層前驅(qū)體，進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例過(guò)渡層形成的過(guò)程。以第一無(wú)機(jī)層為al2o3、tio2等氧化物為例，會(huì)在第一無(wú)機(jī)層表面產(chǎn)生羥基，六甲基二硅氮會(huì)與第一無(wú)機(jī)層表面的羥基反應(yīng)，具體反應(yīng)方程式如下：通過(guò)上述兩個(gè)具體反應(yīng)可知，本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)利用了原子沉積法所形成的第一無(wú)機(jī)層表面的羥基，通過(guò)化學(xué)反應(yīng)脫去了羥基中的氫原子，使連接單元中的金屬原子或非金屬原子通過(guò)共價(jià)鍵與第一無(wú)機(jī)層中的氧原子形成穩(wěn)定而牢固的連接，將第一無(wú)機(jī)層表面由親水性轉(zhuǎn)變?yōu)槭杷?，增?qiáng)了第一有機(jī)層與第一無(wú)機(jī)層之間的粘結(jié)力。測(cè)試?yán)龑?shí)驗(yàn)例1、采用本發(fā)明實(shí)施例方法，采用原子層沉積制備al2o3為材料的第一無(wú)機(jī)層(厚度為50nm)，以tma為過(guò)渡層前驅(qū)體制備單分子層過(guò)渡層，采用噴墨打印沉積聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)作為第一有機(jī)層(厚度為10μm)，制備得到如圖1所示的有機(jī)發(fā)光顯示面板。實(shí)驗(yàn)例2、采用本發(fā)明實(shí)施例方法，采用原子層沉積制備al2o3為材料的第一無(wú)機(jī)層(厚度為50nm)，以hmds為過(guò)渡層前驅(qū)體制備單分子層過(guò)渡層，采用噴墨打印沉積聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)作為第一有機(jī)層(厚度為10μm)，制備得到如圖1所示的有機(jī)發(fā)光顯示面板。實(shí)驗(yàn)例3、采用本發(fā)明實(shí)施例方法，采用原子層沉積制備al2o3為材料的第一無(wú)機(jī)層(厚度為30nm)，以tma為過(guò)渡層前驅(qū)體制備單分子層過(guò)渡層，采用噴墨打印沉積聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)作為第一有機(jī)層(厚度為10μm)，再采用原子層沉積制備al2o3為材料的第二無(wú)機(jī)層(厚度為30nm)，制備得到如圖2所示的有機(jī)發(fā)光顯示面板。實(shí)驗(yàn)例4、采用本發(fā)明實(shí)施例方法，采用原子層沉積制備al2o3為材料的第一無(wú)機(jī)層(厚度為30nm)，以hmds為過(guò)渡層前驅(qū)體制備單分子層過(guò)渡層，采用噴墨打印沉積聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)作為第一有機(jī)層(厚度為10μm)，再采用原子層沉積制備al2o3為材料的第二無(wú)機(jī)層(厚度為30nm)，制備得到如圖2所示的有機(jī)發(fā)光顯示面板。實(shí)驗(yàn)例5、采用本發(fā)明實(shí)施例方法，采用原子層沉積制備al2o3為材料的第一無(wú)機(jī)層(厚度為30nm)，以tma為過(guò)渡層前驅(qū)體制備單分子層第一過(guò)渡層，采用噴墨打印沉積聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)作為第一有機(jī)層(厚度為10μm)，以tma為過(guò)渡層前驅(qū)體制備單分子層第二過(guò)渡層，再采用原子層沉積制備al2o3為材料的第二無(wú)機(jī)層(厚度為30nm)，制備得到如圖3所示的有機(jī)發(fā)光顯示面板。實(shí)驗(yàn)例6、采用本發(fā)明實(shí)施例方法，采用原子層沉積制備al2o3為材料的第一無(wú)機(jī)層(厚度為30nm)，以hmds為過(guò)渡層前驅(qū)體制備單分子層第一過(guò)渡層，采用噴墨打印沉積聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)作為第一有機(jī)層(厚度為10μm)，以hmds為過(guò)渡層前驅(qū)體制備單分子層第二過(guò)渡層，再采用原子層沉積制備al2o3為材料的第二無(wú)機(jī)層(厚度為30nm)，制備得到如圖3所示的有機(jī)發(fā)光顯示面板。對(duì)比例1：采用原子層沉積制備al2o3為材料的第一無(wú)機(jī)層(厚度為50nm)，直接采用噴墨打印沉積聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)作為第一有機(jī)層(厚度為10μm)。對(duì)比例2：采用原子層沉積制備al2o3為材料的第一無(wú)機(jī)層(厚度為30μm)，直接采用噴墨打印沉積聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)作為第一有機(jī)層(厚度為10μm)，再采用原子層沉積制備al2o3為材料的第二無(wú)機(jī)層(厚度為30μm)。測(cè)試方法為：百格刀實(shí)驗(yàn)：百格刀共有10格，直線劃下時(shí)會(huì)出現(xiàn)10條間隔相同的直線刀痕，于直線刀痕的垂直位置劃下，便成為10×10的100格的正方形，百格刀劃下去的時(shí)候應(yīng)該割到見到基板。當(dāng)百格刀劃完之后，將3m膠帶(transparenttape600)貼于百格位置，以手指壓下將膠帶緊密貼附，再以瞬間的力道將膠帶撕起，計(jì)算基板上的薄膜封裝層中第一有機(jī)層的脫落率。實(shí)驗(yàn)結(jié)果如表1所示：表1編號(hào)脫落率實(shí)驗(yàn)例116％實(shí)驗(yàn)例216％實(shí)驗(yàn)例316％實(shí)驗(yàn)例416％實(shí)驗(yàn)例59％實(shí)驗(yàn)例69％對(duì)比例1完全剝離，脫落率100％對(duì)比例2完全剝離，脫落率100％通過(guò)上述實(shí)驗(yàn)例可知，在實(shí)驗(yàn)例1～實(shí)驗(yàn)例4中，通過(guò)在第一無(wú)機(jī)層與第一有機(jī)層之間設(shè)置過(guò)渡層，第一無(wú)機(jī)層與第一有機(jī)層之間的粘結(jié)力大大增強(qiáng)，百格刀實(shí)驗(yàn)中的脫落率為20％以下；在實(shí)驗(yàn)例5～實(shí)驗(yàn)例6中，通過(guò)雙層過(guò)渡層的設(shè)置，進(jìn)一步增強(qiáng)了第一無(wú)機(jī)層與第一有機(jī)層之間的粘結(jié)力，百格刀實(shí)驗(yàn)中的脫落率為10％以下。而未設(shè)置過(guò)渡層的對(duì)比例中第一無(wú)極層和第二無(wú)機(jī)層完全剝離，脫落率為100％。本申請(qǐng)雖然以較佳實(shí)施例公開如上，但并不是用來(lái)限定權(quán)利要求，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本申請(qǐng)構(gòu)思的前提下，都可以做出若干可能的變動(dòng)和修改，因此本申請(qǐng)的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本申請(qǐng)權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。當(dāng)前第1頁(yè)12