本發(fā)明涉及一種微波器件的部件，具體來說涉及一種線性注微波管的部件。

背景技術：

傳統(tǒng)線性注微波管，諸如速調管、行波管，由電子槍、高頻電路、收集極構成，其中電子槍具有發(fā)射電子注的功能；高頻電路具有將電子注攜帶的能量交給高頻場的功能；收集極具有收集電子注的功能。在新一代線性注微波管的發(fā)展中，傳統(tǒng)意義上的電子槍、收集極已經(jīng)不能滿足使用，要求線性注微波管的電子注發(fā)射端具有電子注發(fā)射的能力，同時還要具有接收電子注的能力，因此，如何研制一種同時具有發(fā)射電子注和接收電子注能力的電子器件，成為了亟待解決的問題。

技術實現(xiàn)要素：

鑒于上述原因，本發(fā)明提供一種電子收發(fā)器，以解決上述問題。

本發(fā)明的技術方案是：一種電子收發(fā)器，所述電子收發(fā)器包括電子發(fā)射組件和收集極組件；所述電子發(fā)射組件包括：發(fā)射電子的陰極和提供聚焦電壓的控制極部件；所述收集極組件置于電子發(fā)射組件的電子注出口與線性注微波管的高頻互作用電路之間之間，所述收集極組件包括接收極，所述接收極在電子收發(fā)器工作于發(fā)射狀態(tài)時作為電子發(fā)射組件的陽極；控制極部件利用電子光學凸透鏡原理，約束電子運動軌跡，使其會聚成注；陽極對電子注進行加速或減速，同時利用電子光學凹透鏡原理，約束電子運動軌跡，將電子注發(fā)散，增加電子注的射程和改善電子注的層流性；接收極對電子注進行加速或減速，同時進一步利用電子光學凹透鏡原理，修正電子注的運動軌跡，增加電子注的射程和改善電子注的層流性。

在工作過程中，電子接收器上將產(chǎn)生大量的熱量，根據(jù)不同種類的線性注微波管，將產(chǎn)生幾瓦到幾千瓦的熱量，若電子收發(fā)器應用于超大功率線性注微波管，甚至能產(chǎn)生吉瓦級的熱量，由于在電子發(fā)射器與高頻電路之間放置了電子接收器，直接增加了電子收發(fā)器電子發(fā)射器陰極電子發(fā)射面與高頻電路的距離，電子注的射程與普通電子槍相比，至少是普通線性注微波管電子槍的2倍以上，本發(fā)明技術方案所述的電子接收器具有一定的有效長度進行散熱，保證其能在線性注微波管中正常工作。

所述的電子收發(fā)器，其接收極靠近電子發(fā)射組件的電子注出口端的電子注通道口徑小于接收極中間部位的電子注通道口徑。

所述的電子收發(fā)器，其所述接收極靠近線性注微波管的高頻互作用電路一端的電子注通道口徑小于接收極中間部位的電子注通道口徑。

所述的電子收發(fā)器，所述收集極組件還包括收集極外套筒、引線組件、置于收集極外套筒和接收極之間的陶瓷環(huán)，所述陶瓷環(huán)封接在接收極外部，所述收集極外套筒封接在陶瓷環(huán)外部，所述引線組件穿過陶瓷環(huán)和收集極外套與接收極電連接；所述電子發(fā)射組件還包括外熱屏筒、內熱屏筒、控制極支架、連接筒、陰極支架、引線筒、陰極引線、第一陶瓷環(huán)、第二陶瓷環(huán)、第三陶瓷環(huán)和發(fā)射極外套筒；所述內熱屏筒封接于陰極外部，所述外熱屏筒封接于內熱屏筒外部，所述陰極引線從陰極引出，所述引線筒封接于陰極引出端外部，所述第一陶瓷環(huán)封接于引線筒外部，所述陰極支架封接于第一陶瓷環(huán)外部，所述第二陶瓷環(huán)封接于陰極支架外部，所述連接筒封接于第二陶瓷環(huán)外部，所述控制極部件置于陰極發(fā)射端的外緣，所述控制極支架電連接連接筒和控制極部件，并封接于連接筒和控制極部件外部，所述控制極支架外部封接第三陶瓷環(huán)，第三陶瓷環(huán)外部封接收集極外套筒。

所述的電子收發(fā)器，其控制極部件還包括陰柵組件和控柵組件，所述控柵組件置于陰極的電子發(fā)射面前端部，所述陰柵組件置于陰極的電子發(fā)射面和控柵組件之間，所述控柵組件包括控制極和第一柵極，所述陰柵組件包括第二柵極和柵極支架；

所述電子發(fā)射組件包括外熱屏筒、內熱屏筒、過渡件、控制極支架、陰極支架、陰極支座、引線筒、密封蓋、陰極引線、第五陶瓷環(huán)、第六陶瓷環(huán)、第七陶瓷環(huán)、第四陶瓷環(huán)和發(fā)射極外套筒，所述第五陶瓷環(huán)封接于引線筒和陰極支架之間，所述第六陶瓷環(huán)封接于控制極支架和陰極支架之間，所述第七陶瓷環(huán)封接于控制極支架和發(fā)射極外套筒之間，所述第四陶瓷環(huán)封接于引線筒的靠近第五陶瓷環(huán)的端面；所述內熱屏筒封接于陰極外部，所述外熱屏筒置于內熱屏筒外部，所述外熱屏筒和內熱屏筒之間通過過渡件封接在一起，外熱屏筒和陰柵組件封接于陰極支座上，所述陰極支座封接于陰極支架上，所述陰極引線從陰極引出，陰極引線與陰極相對的一端封接于密封蓋上，所述密封蓋與引線筒封接在一起；所述控柵組件封接于控制極支架上。

所述的電子收發(fā)器，其所述收集極組件可以包括多個接收極及與接收極數(shù)量相對應的引線組件。

所述封接是焊接方式。

所述的電子收發(fā)器，所述電子收發(fā)器用于線性注微波管。

所述的電子收發(fā)器，所述線性注微波管是行波管或者速調管。

本發(fā)明技術方案中的電子收發(fā)器，在線性注微波管中具有電子注發(fā)射的能力，同時還具有接收電子注的能力。由于，在線性微波管中，電子發(fā)射器與高頻電路之間設置了收集極組件，而在收集極組件上將產(chǎn)生大量的熱量，根據(jù)不同種類的線性注微波管，將產(chǎn)生幾瓦到幾千瓦的熱量，若電子收發(fā)器應用于超大功率線性注微波管，甚至能產(chǎn)生吉瓦級的熱量，這就要求電子接收器具有一定的有效長度進行散熱，因此收集極組件，直接增加了電子發(fā)射器的陰極電子發(fā)射面與高頻電路的距離，電子注的射程與普通電子槍相比，至少是普通線性注微波管電子槍的2倍以上，使用該電站收發(fā)器的線性注微波管能夠是雷達、通訊、電子對抗設備減少天線開關系統(tǒng)，促進信息處理設備的小型化，降低其生產(chǎn)成本，提高性能。

附圖說明

圖1實施例一所述的電子收發(fā)器結構示意圖；

圖2實施例二所述的電子收發(fā)器結構示意圖；

圖3實施例三所述的電子收發(fā)器結構示意圖；

圖4控柵組件結構示意圖；

圖5陰柵組件結構示意圖。

圖中：1—電子發(fā)射組件；2—收集極組件；3—陰極；4—控制極部件；5—電子注出口；6—接收極；7—電子注通道口徑；8—收集極外套筒；9—引線組件；10—陶瓷環(huán)；11—外熱屏筒；12—內熱屏筒；13—控制極支架；14—連接筒；15—陰極支架；16—引線筒；17—陰極引線；18—第一陶瓷環(huán)；19—第二陶瓷環(huán)；20—第三陶瓷環(huán)；21—發(fā)射極外套筒；22—陰柵組件；23—控柵組件；24—控制極；25—第一柵極；26—第二柵極；27—柵極支架；28—過渡件、29—陰極支座、30—密封蓋、31—第四陶瓷環(huán)、32—第五陶瓷環(huán)、33—第六陶瓷環(huán)、34—第七陶瓷環(huán)。

具體實施方式

下面通過具體的實施例并結合附圖對本發(fā)明做進一步的詳細描述：

實施例一

圖1為本發(fā)明實施例一所示的電子收發(fā)器，所述電子收發(fā)器包括電子發(fā)射組件和收集極組件，所述電子發(fā)射組件包括：發(fā)射電子的陰極和提供聚焦電壓的控制極部件，所述收集極組件置于電子發(fā)射組件的電子注出口與線性注微波管的高頻互作用電路之間，所述收集極組件包括接收極，所述接收極在電子收發(fā)器工作于發(fā)射狀態(tài)時作為電子發(fā)射組件的陽極。所述收集極組件，其接收極靠近電子發(fā)射組件的電子注出口端的電子注通道口徑小于接收極中間部位的電子注通道口徑；其接收極靠近線性注微波管的高頻互作用電路一端的電子注通道口徑也小于接收極中間部位的電子注通道口徑。

所述收集極組件還包括收集極外套筒、引線組件、置于收集極外套筒和接收極之間的陶瓷環(huán)，所述陶瓷環(huán)焊接在接收極外部，所述收集極外套筒焊接在陶瓷環(huán)外部，所述引線組件穿過陶瓷環(huán)和收集極外套與接收極電連接；所述電子發(fā)射組件還包括外熱屏筒、鉭金屬材料加工制備的內熱屏筒、控制極支架、連接筒、陰極支架、引線筒、陰極引線、第一陶瓷環(huán)、第二陶瓷環(huán)、第三陶瓷環(huán)和發(fā)射極外套筒；所述內熱屏筒焊接于陰極外部，所述外熱屏筒焊接于內熱屏筒外部，所述陰極引線從陰極引出，所述引線筒焊接于陰極引出端外部，所述第一陶瓷環(huán)焊接于引線筒外部，所述陰極支架焊接于第一陶瓷環(huán)外部，所述第二陶瓷環(huán)焊接于陰極支架外部，所述連接筒焊接于第二陶瓷環(huán)外部，所述控制極部件置于陰極發(fā)射端的外緣，所述控制極支架電連接連接筒和控制極部件，并套裝于連接筒和控制極部件外部，所述控制極支架外部焊接第三陶瓷環(huán)，第三陶瓷環(huán)外部焊接發(fā)射極外套筒。

實施例二

圖2為本發(fā)明實施例二所示的電子收發(fā)器，所述電子收發(fā)器包括電子發(fā)射組件和收集極組件，所述電子發(fā)射組件包括：發(fā)射電子的陰極和提供聚焦電壓的控制極；所述收集極組件置于電子發(fā)射組件的電子注出口與線性注微波管的高頻互作用電路之間，所述收集極組件包括3個接收極，所述接收極在電子收發(fā)器工作于發(fā)射狀態(tài)時作為電子發(fā)射組件的陽極。所述收集極組件，其接收極靠近電子發(fā)射組件的電子注出口端的電子注通道口徑小于接收極中間部位的電子注通道口徑；其接收極靠近線性注微波管的高頻互作用電路一端的電子注通道口徑也小于接收極中間部位的電子注通道口徑。

所述收集極組件還包括收集極外套筒、3個引線組件、置于收集極外套筒和接收極之間的陶瓷環(huán)，所述陶瓷環(huán)焊接在接收極外部，所述收集極外套筒焊接在陶瓷環(huán)外部，所述引線組件穿過陶瓷環(huán)和收集極外套與接收極電連接；所述電子發(fā)射組件還包括外熱屏筒、內熱屏筒、控制極支架、連接筒、陰極支架、引線筒、陰極引線、第一陶瓷環(huán)、第二陶瓷環(huán)、第三陶瓷環(huán)和發(fā)射極外套筒；所述內熱屏筒焊接于陰極外部，所述外熱屏筒焊接于內熱屏筒外部，所述陰極引線從陰極引出，所述引線筒焊接于陰極引出端外部，所述第一陶瓷環(huán)焊接于引線筒外部，所述陰極支架焊接于第一陶瓷環(huán)外部，所述第二陶瓷環(huán)焊接于陰極支架外部，所述連接筒焊接于第二陶瓷環(huán)外部，所述控制極置于陰極發(fā)射端的外緣，所述控制極支架電（是否要電連接）連接連接筒和控制極部件，并套裝于連接筒和控制極部件外部，所述控制極支架外部焊接第三陶瓷環(huán)，第三陶瓷環(huán)外部焊接發(fā)射極外套筒。

實施例三

圖3為本發(fā)明實施例三所示的電子收發(fā)器，所述電子收發(fā)器包括電子發(fā)射組件和收集極組件，所述電子發(fā)射組件包括：發(fā)射電子的陰極、提供聚焦電壓的控制極部件，所述控制極部件包括控柵組件和陰柵組件，所述控柵組件置于陰極的電子發(fā)射面前端部，所述陰柵組件置于陰極的電子發(fā)射面和控柵組件之間。所述控柵組件包括控制極和第一柵極，所述陰柵組件包括第二柵極和柵極支架；所述收集極組件置于電子發(fā)射組件的電子注出口與線性注微波管的高頻互作用電路之間，所述收集極組件包括3個接收極，所述接收極在電子收發(fā)器工作于發(fā)射狀態(tài)時作為電子發(fā)射組件的陽極。所述收集極組件，其接收極靠近電子發(fā)射組件的電子注出口端的電子注通道口徑小于接收極中間部位的電子注通道口徑；其接收極靠近線性注微波管的高頻互作用電路一端的電子注通道口徑也小于接收極中間部位的電子注通道口徑。

所述收集極組件還包括收集極外套筒、3個引線組件、置于收集極外套筒和接收極之間的陶瓷環(huán)，所述陶瓷環(huán)焊接在接收極外部，所述收集極外套筒焊接在陶瓷環(huán)外部，所述引線組件穿過陶瓷環(huán)和收集極外套與接收極電連接；所述電子發(fā)射組件包括外熱屏筒、內熱屏筒、過渡件、控制極支架、陰極支架、陰極支座、引線筒、密封蓋、陰極引線、第五陶瓷環(huán)、第六陶瓷環(huán)、第七陶瓷環(huán)、第四陶瓷環(huán)和發(fā)射極外套筒，所述第五陶瓷環(huán)封接于引線筒和陰極支架之間，所述第六陶瓷環(huán)封接于控制極支架和陰極支架之間，所述第七陶瓷環(huán)封接于控制極支架和外套筒之間，所述第四陶瓷環(huán)封接于引線筒的靠近第五陶瓷環(huán)的端面；所述內熱屏筒封接于陰極外部，所述外熱屏筒置于內熱屏筒外部，所述外熱屏筒和內熱屏筒之間通過過渡件封接在一起，外熱屏筒和陰柵組件封接于陰極支座上，所述陰極支座封接于陰極支架上，所述陰極引線從陰極引出，陰極引線與陰極相對的一端封接于密封蓋上，所述密封蓋與引線筒封接在一起；所述控柵組件封接于控制極支架上。

本發(fā)明中上述實施例中所述的電子收發(fā)器可以用于行波管或者速調管之類的線性注微波管。

本發(fā)明實施例中的電子收發(fā)器，在線性注微波管中具有電子注發(fā)射的能力，同時還具有接收電子注的能力。由于，在線性微波管中，電子發(fā)射器與高頻電路之間設置了收集極組件，而在收集極組件上將產(chǎn)生大量的熱量，根據(jù)不同種類的線性注微波管，將產(chǎn)生幾瓦到幾千瓦的熱量，若電子收發(fā)器應用于超大功率線性注微波管，甚至能產(chǎn)生吉瓦級的熱量，這就要求電子接收器具有一定的有效長度進行散熱，因此收集極組件，直接增加了電子發(fā)射器的陰極電子發(fā)射面與高頻電路的距離，電子注的射程與普通電子槍相比，至少是普通線性注微波管電子槍的2倍以上。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領域的技術人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。