本實用新型涉及顯示技術領域,尤其涉及一種刻蝕腔室。
背景技術:
基板的制備過程中,常采用等離子體刻蝕的方式來形成基板上的預定圖案。等離子體刻蝕是利用高頻電源和反應氣體生成低溫等離子體,其包含離子和自由基,該離子和自由基與待刻蝕基板上未被光刻膠覆蓋的物質(zhì)反應生成揮發(fā)性物質(zhì),從而達到刻蝕的效果。
其中,如圖1(a)和圖1(b)所示,刻蝕腔室包括頂部開口的腔體10、蓋合在腔體10頂部的蓋體20、以及設置在腔體10頂部的密封結(jié)構(gòu)30,腔體10上設置有特氣孔11。
現(xiàn)有技術中,特氣孔11設置在密封結(jié)構(gòu)30內(nèi)側(cè),為了繞過特氣孔11,密封結(jié)構(gòu)30在特氣孔11兩側(cè)位置處會有明顯的拐角,使得拐角位置處的密封結(jié)構(gòu)30會承受有較大的張力,導致密封結(jié)構(gòu)出現(xiàn)破裂。在此基礎上,刻蝕腔室內(nèi)進行刻蝕工藝時,密封結(jié)構(gòu)30與特氣和等離子體接觸,導致其老化速度加快,容易開裂,從而大大減少了密封結(jié)構(gòu)30的使用壽命。
技術實現(xiàn)要素:
本實用新型的實施例提供一種刻蝕腔室,可延長刻蝕腔室的使用壽命。
為達到上述目的,本實用新型的實施例采用如下技術方案:
提供一種刻蝕腔室,包括頂部開口的腔體、蓋合在所述腔體頂部的蓋體、以及設置在所述腔體頂部的密封結(jié)構(gòu),所述腔體的頂部設置有特氣孔,所述特氣孔設置在所述密封結(jié)構(gòu)內(nèi)側(cè),在設置有所述特氣孔的一側(cè),所述密封結(jié)構(gòu)為向遠離所述特氣孔一側(cè)凸出的弧形形狀。
優(yōu)選的,在設置有所述特氣孔的一側(cè),所述密封結(jié)構(gòu)包括第一部分和第二部分;所述第一部分為弧形形狀,與所述特氣孔對應;所述第二部分為線形形狀,分別設置在所述第一部分的兩端且與所述第一部分的端點相切。
優(yōu)選的,所述密封結(jié)構(gòu)為密封圈。
進一步優(yōu)選的,所述腔體的頂部設置有一圈凹槽,所述密封圈設置在所述凹槽內(nèi)。
進一步優(yōu)選的,沿所述腔體頂部到所述腔體底部的方向,所述密封圈的截面形狀為圓形。
可選的,所述凹槽的深度為所述密封圈直徑的2/3。
可選的,所述凹槽的深度為所述密封圈直徑的1/2。
基于上述,優(yōu)選的,所述腔體為頂部開口的中空型立方體。
本實用新型實施例提供一種刻蝕腔室,通過將密封結(jié)構(gòu)在設置有特氣孔的一側(cè)的形狀設置為向遠離特氣孔一側(cè)突出的弧形,使得密封結(jié)構(gòu)在特氣孔兩側(cè)位置處沒有明顯的拐角,而是在沿遠離腔體內(nèi)部的方向,以逐漸收斂的方式繞過特氣孔,使得密封結(jié)構(gòu)無需承受內(nèi)部表面張力,因此不易出現(xiàn)破裂,可延長密封結(jié)構(gòu)的使用壽命,從而延長刻蝕腔室的使用壽命,降低更換次數(shù),節(jié)約成本。
此外,在刻蝕腔室進行刻蝕工藝時,密封結(jié)構(gòu)直接與特氣和等離子體接觸,而特氣和等離子體對密封結(jié)構(gòu)有腐蝕作用,在密封結(jié)構(gòu)沒有破裂的情況下,特氣和等離子體對密封結(jié)構(gòu)的腐蝕速度會減慢,可進一步延長密封結(jié)構(gòu)的使用壽命。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1(a)為現(xiàn)有技術提供的一種刻蝕腔室的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖1(b)為現(xiàn)有技術提供的一種刻蝕腔室的俯視示意圖;
圖2為本實用新型實施例提供的一種刻蝕腔室的結(jié)構(gòu)示意圖一;
圖3為本實用新型實施例提供的一種刻蝕腔室的結(jié)構(gòu)示意圖二;
圖4為本實用新型實施例提供的一種刻蝕腔室的俯視示意圖;
圖5為本實用新型實施例提供的一種刻蝕腔室的結(jié)構(gòu)示意圖三。
附圖標記:
10-腔體;12-凹槽;20-蓋體;11-特氣孔;31-第一部分;32-第二部分;30-密封結(jié)構(gòu)。
具體實施方式
下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。
本實用新型實施例提供一種刻蝕腔室,如圖2所示,包括頂部開口的腔體10、蓋合在腔體10頂部的蓋體20、以及設置在腔體10頂部的密封結(jié)構(gòu)30。腔體10的頂部設置有特氣孔11,特氣孔11設置在密封結(jié)構(gòu)30內(nèi)側(cè),在設置有特氣孔11的一側(cè),密封結(jié)構(gòu)30為向遠離特氣孔11一側(cè)凸出的弧形形狀。
需要說明的是,第一,不對特氣孔11的具體設置位置進行限定,圖2中特氣孔11的設置位置僅為示意。
第二,密封結(jié)構(gòu)30可以設置在腔體10頂部的中間,也可以靠近腔體10中空部分設置,當然還可以遠離腔體10中空部分設置,本實用新型實施例不對此進行限定。
其中,密封結(jié)構(gòu)30的寬度可以如圖2所示小于腔體10的壁厚,也可以等于腔體10的壁厚。
此外,不對密封結(jié)構(gòu)30在腔體10上的設置方式進行限定,蓋體20蓋合腔體10后,密封結(jié)構(gòu)30的上表面與蓋體20接觸,下表面與腔體10接觸即可。
再者,本領域技術人員應該明白,密封結(jié)構(gòu)30用于對腔體10和蓋體20進行密封,因此為了確保密封效果,密封結(jié)構(gòu)30應圍繞腔體10的中空部分一圈設置。
第三,在沒有設置特氣孔11的一側(cè),密封結(jié)構(gòu)30的形狀可以如圖2所示與腔體10側(cè)壁的形狀相同,也可以不同,不增加密封結(jié)構(gòu)30的表面張力即可。不對設置有特氣孔11一側(cè)的密封結(jié)構(gòu)30與沒有設置特氣孔11一側(cè)的密封結(jié)構(gòu)30之間的銜接方式進行限定,可以但不限于為如圖2所示的一體式結(jié)構(gòu)。
其中,密封結(jié)構(gòu)30內(nèi)側(cè),即為密封結(jié)構(gòu)30靠近腔體10中空部分一側(cè)。
第四,不對腔體10的形狀進行限定,其為頂部開口的中空型腔體即可。
本實用新型實施例提供一種刻蝕腔室,通過將密封結(jié)構(gòu)30在設置有特氣孔11的一側(cè)的形狀設置為向遠離特氣孔11一側(cè)突出的弧形,使得密封結(jié)構(gòu)30在特氣孔11兩側(cè)位置處沒有明顯的拐角,而是在沿遠離腔體10內(nèi)部的方向,以逐漸收斂的方式繞過特氣孔11,使得密封結(jié)構(gòu)30無需承受內(nèi)部表面張力,因此不易出現(xiàn)破裂,可延長密封結(jié)構(gòu)30的使用壽命,從而延長刻蝕腔室的使用壽命,降低更換次數(shù),節(jié)約成本。
此外,在刻蝕腔室進行刻蝕工藝時,密封結(jié)構(gòu)30直接與特氣和等離子體接觸,而特氣和等離子體對密封結(jié)構(gòu)30有腐蝕作用,在密封結(jié)構(gòu)30沒有破裂的情況下,特氣和等離子體對密封結(jié)構(gòu)30的腐蝕速度會減慢,可進一步延長密封結(jié)構(gòu)30的使用壽命。
優(yōu)選的,如圖3和圖4所示,在設置有特氣孔11的一側(cè),密封結(jié)構(gòu)30包括第一部分31和第二部分32;第一部分31為弧形形狀,與特氣孔11對應;第二部分32為線形形狀,分別設置在第一部分31的兩端且與第一部分31的端點(圖4中黑色圓點所指位置處)相切。
其中,如圖4所示,在特氣孔11兩側(cè)位置處,第二部分32與第一部分31以相切方式平滑連接,圖4中黑色圓點位置處為第二部分32與第一部分31的切點。
本實用新型通過將密封結(jié)構(gòu)30在設置有特氣孔11一側(cè)的形狀設置為線形形狀以切線方式與弧形形狀以切線方式相接的結(jié)構(gòu),使得設置有特氣孔11一側(cè)密封結(jié)構(gòu)30與沒有設置特氣孔11一側(cè)的密封結(jié)構(gòu)30之間過度更為平緩,從而可進一步減小密封結(jié)構(gòu)30整體的表面張力。
為了簡化結(jié)構(gòu),降低成本,本實用新型實施例優(yōu)選的,密封結(jié)構(gòu)30為密封圈。
其中,不對密封圈的材料進行限定。本實用新型實施例優(yōu)選的密封圈為能夠耐腐蝕且能提供氣密功能的橡膠材料,例如可以是氟橡膠或者硅氟橡膠。
進一步優(yōu)選的,如圖5所示,腔體10的頂部設置有一圈凹槽12,密封圈設置在凹槽12內(nèi)。
其中,本領域技術人員應該明白,密封圈設置在凹槽12內(nèi),為保證密封圈的密封功能,凹槽12的深度不宜過深,需能使密封圈的上表面與蓋體20接觸。
此外,為避免密封圈在凹槽12內(nèi)移動而影響密封效果,本實用新型實施例優(yōu)選的,凹槽12的寬度不大于密封圈的寬度,以使密封圈固定的放置在凹槽12內(nèi)。
本實用新型實施例通過在腔體10的頂部設置凹槽12,并將密封圈放置在凹槽12內(nèi),可以通過固定密封圈來進一步提升刻蝕腔室的密封效果。
進一步優(yōu)選的,由于密封圈直接與特氣和等離子體接觸,為了提高密封圈的耐腐蝕性,本實用新型實施例優(yōu)選的,沿腔體10頂部到腔體10底部的方向,密封圈的截面形狀為圓形。
其中,為了進一步保證密封圈的密封效果,本實用新型實施例優(yōu)選的,凹槽12的深度為密封圈直徑的2/3。
或者可選的,凹槽12的深度為密封圈直徑的1/2。
基于上述,優(yōu)選的,如圖2-5所示,腔體10為頂部開口的中空型立方體。
以上所述,僅為本實用新型的具體實施方式,但本實用新型的保護范圍并不局限于此,任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內(nèi),可輕易想到變化或替換,都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此,本實用新型的保護范圍應以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。