本實(shí)用新型涉及LED的制造領(lǐng)域,特別涉及一種彩色透明LED發(fā)光板。
背景技術(shù):
目前,用于LED發(fā)光的電路基板主要以玻纖板為主;LED發(fā)光源即由單顆LED組合而成;LED發(fā)光源制造方法主要是通過(guò)點(diǎn)膠、固晶、打線、灌封等LED封裝工藝,將LED晶片封裝到特制的支架中;LED發(fā)光板就是將封裝好的單顆LED通過(guò)焊接工藝固定到玻纖電路板上,通過(guò)外設(shè)電路實(shí)現(xiàn)板體發(fā)光。LED倒裝封裝技術(shù)由于工藝和技術(shù)水平的不成熟,目前也僅限于專為照明的白光技術(shù)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種彩色透明LED發(fā)光板,該發(fā)光板可實(shí)現(xiàn)多種發(fā)光色彩,同時(shí)其制備過(guò)程簡(jiǎn)單,發(fā)光效果穩(wěn)定。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型的技術(shù)方案為一種彩色透明LED發(fā)光板,包括由下至上依次連接的透明基板、ITO導(dǎo)電線路層、LED晶片組以及PU透明膜層,LED晶片組選自紅、綠、藍(lán)倒裝LED晶片中至少一種,每三個(gè)LED晶片依次排列形成LED晶片組,LED晶片組焊接于ITO導(dǎo)電線路層上,LED芯片組表面覆蓋常溫固化的PU透明膜層。
優(yōu)選地,ITO導(dǎo)電線路層的厚度為100~200nm,ITO導(dǎo)電線路層的制備方法為:透明基板經(jīng)去離子水洗、超聲波清洗后,進(jìn)入ITO鍍膜室磁控濺射ITO導(dǎo)電薄膜層,再經(jīng)加熱固化退火形成ITO導(dǎo)電膜層,ITO導(dǎo)電膜層最后經(jīng)過(guò)蝕刻形成ITO導(dǎo)電線路層。
優(yōu)選地,磁控濺射條件為:ITO鍍膜室中磁控濺射靶材In2O3和SnO2的重量比為90%:10%,純度為99.99%,靶基距為6cm,透明基板的溫度為室溫,真空室中的真空為4.0×10-5Pa,Ar氣分壓1.0Pa,Ar氣流量為12cm3/min,濺射功率為50~200W,沉積速率約為0.7~1nm/s。
優(yōu)選地,透明基板與ITO導(dǎo)電線路層之間還設(shè)置有SiO2層。
優(yōu)選地,透明基板上與ITO導(dǎo)電線路層相對(duì)的平面上設(shè)置銀反光層。
優(yōu)選地,透明基板上與LED晶片組相對(duì)的位置呈內(nèi)凹狀。
采用上述技術(shù)方案,由于在透明基板上設(shè)置三種基礎(chǔ)顏色的倒裝LED晶片依次排列,從而實(shí)現(xiàn)了多種色彩發(fā)光的效果,通過(guò)簡(jiǎn)單地焊接完成封裝,制備方法簡(jiǎn)單,發(fā)光效果穩(wěn)定。
附圖說(shuō)明
圖1為實(shí)施例中一種彩色透明LED發(fā)光板的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中,1-透明基板、11-凸起、2-ITO導(dǎo)電線路層、3-LED晶片組、4-PU透明膜層。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步說(shuō)明。在此需要說(shuō)明的是,對(duì)于這些實(shí)施方式的說(shuō)明用于幫助理解本實(shí)用新型,但并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限定。此外,下面所描述的本實(shí)用新型各個(gè)實(shí)施方式中所涉及的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。
一種彩色透明LED發(fā)光板,包括由下至上依次連接的透明基板1、ITO導(dǎo)電線路層2、LED晶片組3以及PU透明膜層4,LED晶片組選自紅、綠、藍(lán)倒裝LED晶片中至少一種,每三個(gè)LED晶片依次排列形成LED晶片組,本實(shí)施例以紅、綠、藍(lán)依次排列形成一個(gè)LED晶片組為代表例,其他的排列或紅、綠、藍(lán)三色LED晶片的選擇可根據(jù)日常應(yīng)用所需的顏色進(jìn)行選定,LED晶片組焊接于ITO導(dǎo)電線路層上,LED芯片組表面覆蓋常溫固化的PU透明膜層。常溫固化有利于簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝。
而為了提高發(fā)光的穩(wěn)定性,降低電阻率,ITO導(dǎo)電線路層的厚度設(shè)置為100~200nm,同時(shí)ITO導(dǎo)電線路層的制備方法為:透明基板經(jīng)去離子水洗、超聲波清洗后,進(jìn)入ITO鍍膜室磁控濺射ITO導(dǎo)電薄膜層,再經(jīng)加熱固化退火形成ITO導(dǎo)電膜層,ITO導(dǎo)電膜層最后經(jīng)過(guò)蝕刻形成ITO導(dǎo)電線路層。在ITO鍍膜室進(jìn)行磁控濺射時(shí),磁控濺射靶材In2O3和SnO2的重量比為90%:10%,純度為99.99%,靶基距為6cm,透明基板的溫度為室溫,真空室中的真空為4.0×10-5Pa,Ar氣分壓1.0Pa,Ar氣流量為12cm3/min,濺射功率為50~200W,沉積速率約為0.7~1nm/s。
而為了防止透明基板中的鈉離子的滲透,從而對(duì)整個(gè)電路產(chǎn)生影響,可在透明基板與ITO導(dǎo)電線路層之間還設(shè)置有SiO2層。而為了增強(qiáng)其發(fā)光效果,可在透明基板上與ITO導(dǎo)電線路層相對(duì)的平面上設(shè)置銀反光層,以此來(lái)增強(qiáng)其單面的反射效果,而將透明基板上與LED晶片組相對(duì)的位置呈內(nèi)凹狀,即設(shè)置有對(duì)著LED晶片的向內(nèi)的凸起11,同時(shí)內(nèi)凹狀也噴涂上銀反光層,內(nèi)凹狀可以呈三角形、半圓形等,該內(nèi)凹狀的部分可進(jìn)一步增強(qiáng)其反射效果。
以上結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施方式作了詳細(xì)說(shuō)明,但本實(shí)用新型不限于所描述的實(shí)施方式。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言,在不脫離本實(shí)用新型原理和精神的情況下,對(duì)這些實(shí)施方式進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型,仍落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。