本實(shí)用新型涉及一種天線，尤指一種用于短距離傳遞相互交換料的增強(qiáng)型單極天線。

背景技術(shù)：

已知，現(xiàn)有的行動式電子裝置上皆安裝有藍(lán)芽及WIFI系統(tǒng)，使該行動電子裝置可以與另一個(gè)電子裝置或另一個(gè)行動式電子裝置進(jìn)行短距離的數(shù)據(jù)傳遞。

這些行動式電子裝置在科技技術(shù)不斷的增進(jìn)下，很多行動式電子裝置都朝輕薄短小的體形設(shè)計(jì)(例如耳機(jī))，此時(shí)行動式電子裝置內(nèi)部又需安裝多種天線，又必需安裝在同一個(gè)行動式電子裝置內(nèi)部時(shí)，勢必就要縮小行動式電子裝置內(nèi)部的電路板或其它零組件的體積，或者行動式電子裝置內(nèi)部的電路板或其它零組件的體積無法再縮小時(shí)，此時(shí)就必需要將天線的體積縮小。

由于天線的體積縮小后，確實(shí)可以與行動式電子裝置的電路板及其它零組件的整合在一起使用，但是天線的體積縮小后，將會導(dǎo)致天線的接收與發(fā)射性能降低，造成行動式電子裝置無法與另一個(gè)電子裝置或另一個(gè)行動式電子裝置進(jìn)行短距離的數(shù)據(jù)傳遞。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本實(shí)用新型之主要目的在于解決傳統(tǒng)缺失，本實(shí)用新型主要藉由調(diào)整天線上的第一輻射單元來控制300MHz~6GHz 頻段阻抗、共振頻率、頻寬與輻射效應(yīng)，藉由天線上的第二輻射單元與第一輻射單元形成的彼此相配合頻率波長，來控制300MHz~6GHz 頻段而達(dá)到預(yù)定的目標(biāo)阻抗、共振頻率、頻寬與輻射效應(yīng)，且可有效縮小天線尺寸與增加天線輻射效率。

為達(dá)上述之目的，本實(shí)用新型提供一種增強(qiáng)型單極天線，包括：一芯片天線及一基板。該芯片天線上具有一基體，該基體上具有一頂面及一底面，該基體的該頂面及該底面上具有一第一輻射單元。該基板上具有一正面、一背面及一側(cè)邊端面，該正面具有一第一接地單元、一信號饋入單元及一第二輻射單元，該信號饋入單元與該第一接地單元之間具有一間距，于該基板的背面上具有一對應(yīng)該第一接地層的第二接地單元，以及對應(yīng)固接該芯片天線位置處具有一凈空區(qū)。其中，該芯片天線的第一輻射單元電性連結(jié)于該信號饋入單元及該第二輻射單元上，該第二輻射單元與該第一輻射單元電性連結(jié)處沿著基板正面延伸于該基板的側(cè)邊端面上，以該第二輻射單元與第一輻射單元形成彼此相配合的頻率波長。

優(yōu)選地，上述信號饋入單元具有一第一信號饋入線及一第二信號饋入線，該第一信號饋入線具有一第一端點(diǎn)及第二端點(diǎn)，該第二信號饋入線具有一第三端點(diǎn)及一第四端點(diǎn)，該第二端點(diǎn)與該第三端點(diǎn)之間具有一間隙。

優(yōu)選地，上述第一端點(diǎn)與上述芯片天線的第一輻射單元電性連結(jié)。

優(yōu)選地，上述間隙形成一匹配電路，或于上述第二端點(diǎn)與上述第三端點(diǎn)之間電性連結(jié)一耦合組件或一電感組件。

優(yōu)選地，上述第二輻射單元一端具有一第一電極端，另一端具有一第二電極，由該第一電極端沿著基板的該正面延伸于上述基板的該側(cè)邊端面上。

優(yōu)選地，上述第一電極與上述芯片天線的第一輻射體電性連結(jié)。

優(yōu)選地，上述第二輻射單元的長度為5-100mm。

優(yōu)選地，上述基體由陶瓷基板或多層的玻璃纖維板組成。

優(yōu)選地，上述第一輻射單元由復(fù)數(shù)直線、復(fù)數(shù)U形線及復(fù)數(shù)導(dǎo)線組成，該些直線設(shè)于上述基體的底面，該些U形線設(shè)于上述基體的頂面，以該些導(dǎo)線貫穿該基體內(nèi)部并與該些直線兩端及該些U形線的兩端電性連結(jié)，以形成該第一輻射單元纏繞設(shè)于該基體上。

優(yōu)選地，上述第一輻射單元由復(fù)數(shù)直線及復(fù)數(shù)導(dǎo)線組成，該些直線設(shè)于上述基體的頂面及底面，以該些導(dǎo)線貫穿該基體內(nèi)部并與該些直線兩端電性連結(jié)，以形成該第一輻射單元纏繞設(shè)于該基體上。

優(yōu)選地，上述頻率波長為1λ、1/2λ、1/4λ或1/8λ。

優(yōu)選地，上述第一接地單元及該第二接地單元相鄰的該側(cè)邊端面上增設(shè)有一輔助接地單元，該輔助接地單元分別與該第一接地單元及該第二接地單元電性連結(jié)。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型之第一實(shí)施例的增強(qiáng)型單極天線分解示意圖。

圖2是本實(shí)用新型之第一實(shí)施例的增強(qiáng)型單極天線組合示意圖。

圖3是圖2的基板另一面示意圖。

圖4是本實(shí)用新型之第一實(shí)施例的增強(qiáng)型單極天線沒有第二輻射單元的組合示意圖。

圖5是本實(shí)用新型之第一實(shí)施例的增強(qiáng)型單極天線沒有第二輻射單元的反射系數(shù)測試曲線示意圖。

圖6是本實(shí)用新型之第一實(shí)施例的增強(qiáng)型單極天線具有第二輻射單元的反射系數(shù)測試曲線示意圖。

圖7是本實(shí)用新型之第二實(shí)施例的增強(qiáng)型單極天線組合示意圖。

圖8是圖7的基板另一面示意圖。

圖9是本實(shí)用新型之第三實(shí)施例的增強(qiáng)型單極天線組合示意圖。

圖10是圖9的基板另一面示意圖。

圖11是本實(shí)用新型之第四實(shí)施例的增強(qiáng)型單極天線組合示意圖。

圖12是圖11的基板另一面示意圖。

圖13a-13c是本實(shí)用新型之第五實(shí)施例的增強(qiáng)型單極天線的各視角立體示意圖。

【主要部件符號說明】

芯片天線1、1b

基體11、11b

頂面111、111b

底面112、112b

第一輻射單元12、12b

直線121、121b

U形線122

導(dǎo)線123、123b

該基板2、2a、2b

正面21、21a、21b

背面22、22a、22b

第一接地單元23、23a、23b

信號饋入單元24、24a、24b

第一信號饋入線241

第一端點(diǎn)2411

第二端點(diǎn)2412

第二信號饋入線242

第三端點(diǎn)2421

第四端點(diǎn)2422

間隙243

第二輻射單元25、25a、25b

第一電極251、251a、251b

第二電極252、252a、252b

間距26、26a、26b

第二接地單元27、27a、27b

凈空區(qū)28、28a、28b

側(cè)邊端面29、29a、29b

輔助接地單元3

具體實(shí)施方式

茲有關(guān)本實(shí)用新型之技術(shù)內(nèi)容及詳細(xì)說明，現(xiàn)在配合附圖說明如下：

請參閱圖1、2及3，本實(shí)用新型之第一實(shí)施例的增強(qiáng)型單極天線分解、組合及圖2的基板另一面示意圖。如圖所示：本實(shí)用新型之增強(qiáng)型單極天線，包含有：一芯片天線1及一基板2。

該芯片天線1，由陶瓷基板或多層的玻璃纖維板所組成的方形的基體11，該基體11的頂面111及底面112上具有一第一輻射單元12，該第一輻射單元12系由復(fù)數(shù)直線121、復(fù)數(shù)U形線122及復(fù)數(shù)導(dǎo)線123組成，該些直線121設(shè)于該基體11的底面112，該些U形線122設(shè)于該基體11的頂面111，以該些導(dǎo)線123貫穿該基體11內(nèi)部并與該些直線121兩端及該些U形線122的兩端電性連結(jié)，以形成該第一輻射單元12纏繞設(shè)于該基體11上。

該基板2，其上具有一正面21、一背面22及一側(cè)邊端面29，于該正面21上具有一第一接地單元23、一信號饋入單元24及一第二輻射單元25。該信號饋入單元24與該第一接地單元23之間具有一間距26，該信號饋入單元24具有第一信號饋入線241及一第二信號饋入線242，該第一信號饋入線241上具有一第一端點(diǎn)2411及第二端點(diǎn)2412，該第二信號饋入線242上具有一第三端點(diǎn)2421及一第四端點(diǎn)2422，該第二端點(diǎn)2412與該第三端點(diǎn)2421之間具有一間隙243，該間隙243形成一匹配電路，或于該第二端點(diǎn)2412與該第三端點(diǎn)2421之間電性連結(jié)一耦合組件(圖中未示)或一電感組件(圖中未示)。另，于該基板2的背面22上具有一對應(yīng)該第一接地層23的第二接地單元27，以及對應(yīng)該固接芯片天線1位置處具有一凈空區(qū)28。前述所提之第二輻射單元25一端具有一第一電極端251，另一端具有一第二電極端252，由該第一電極端251沿著基板2的正面21延伸于該基板2的側(cè)邊端面29上。

在芯片天線1與該基板2電性連結(jié)時(shí)，以該芯片天線1表面的第一輻射單元12電性連結(jié)于該信號饋入單元24的第一端點(diǎn)2411與該第二輻射單元25的第一電極端251上。藉由調(diào)整該第一輻射單元12來控制300MHz~6GHz 頻段阻抗、共振頻率、頻寬與輻射效應(yīng)。藉由第二輻射單元25與該第一輻射單元12形成彼此相配合的頻率波長(1λ、1/2λ、1/4λ或1/8λ)，來控制300MHz~6GHz 頻段而達(dá)到預(yù)定的目標(biāo)阻抗、共振頻率、頻寬與輻射效應(yīng)，且可有效縮小天線尺寸與增加天線輻射效率。在本附圖中，該第二輻射單元25可增加天線輻射效率的長度為5-100mm之間。

請參閱圖4、5，本實(shí)用新型之第一實(shí)施例的增強(qiáng)型單極天線沒有第二輻射單元的組合及反射系數(shù)測試曲線示意圖。如圖所示：在沒有第二輻射單元的增強(qiáng)型單極天線在使用時(shí)，在頻率2.400GH_Z時(shí)，為-7.288dB；在頻率2.450GH_Z時(shí)，為-15.557dB；在頻率2.483GHZ時(shí)，為-7.197dB；在頻率2.440GH_Z時(shí)，為-18.927dB。因此，沒有第二輻射單元25的設(shè)計(jì)無法來控制藍(lán)芽(BT)頻段阻抗、共振頻率、頻寬與輻射效應(yīng)，也無法與第一輻射單元12形成彼此相配合頻率波長。

請參閱圖6，本實(shí)用新型之第一實(shí)施例的增強(qiáng)型單極天線具有第二輻射單元的反射系數(shù)測試曲線示意圖，且同時(shí)一并參閱圖1。如圖所示：在具有第二輻射單元25的增強(qiáng)型單極天線在使用時(shí)，在頻率2.400GH_Z時(shí)，為-9.180dB；在頻率2.450GH_Z時(shí)，為-16.490dB；在頻率2.483GHZ時(shí)，為-10.060dB；在頻率2.440GH_Z時(shí)，為-16.956dB。因此， 藉由第二輻射單元25與該第一輻射單元12形成彼此相配合的頻率波長(1λ、1/2λ、1/4λ或1/8λ)，來控制2.45GHz頻段而達(dá)到預(yù)定的目標(biāo)阻抗、共振頻率、頻寬與輻射效應(yīng)，且可有效縮小天線尺寸與增加天線輻射效率。

請參閱圖7、8，本實(shí)用新型之第二實(shí)施例的增強(qiáng)型單極天線組合及圖7的基板另一面示意圖。如圖所示：第二實(shí)施例與第一實(shí)施例大致相同，所不同處系在于該芯片天線1電性連結(jié)于面積較大的基板2a上，該基板2a上同樣具有一正面21a及一背面22a，于該正面21a上具有一第一接地單元23a、一信號饋入單元24a及一第二輻射單元25a。該信號饋入單元24a與該第一接地單元23a之間具有一間距26a。另，于該基板2a的背面22a上具有一對應(yīng)該第一接地層23a的第二接地單元27a，以及對應(yīng)該固接芯片天線1位置處具有一凈空區(qū)28a。前述所提之第二輻射單元25a一端具有一第一電極端251a，另一端具有一第二電極端252a，由該第一電極端251a沿著基板2a的正面21a延伸于該基板2a的側(cè)邊端面29a上。

在芯片天線1與該基板2a電性連結(jié)時(shí)，以該芯片天線1表面的第一輻射單元12電性連結(jié)于該信號饋入單元24a與第二輻射單元25a上。藉由調(diào)整第一輻射單元12來控制300MHz~6GHz 頻段阻抗、共振頻率、頻寬與輻射效應(yīng), 藉由第二輻射單元12與第一輻射單元25a形成彼此相配合的頻率波長(1λ、1/2λ、1/4λ或1/8λ)，來控制300MHz~6GHz 頻段而達(dá)到預(yù)定的目標(biāo)阻抗、共振頻率、頻寬與輻射效應(yīng)，且可有效縮小天線尺寸與增加天線輻射效率。在本附圖中，該第二輻射單元25a的長度在5-100mm之間。

請參閱圖9、10，本實(shí)用新型之第三實(shí)施例的增強(qiáng)型單極天線組合及圖9的基板另一面示意圖。如圖所示：本實(shí)施例與第一實(shí)施例大致相同，所不同處系在于該芯片天線1b的該第一輻射單元12b系由復(fù)數(shù)直線121b及復(fù)數(shù)導(dǎo)線123b組成，該些直線121b設(shè)于該基體11b的頂面111b及底面112b，以該些導(dǎo)線123b貫穿該基體11b內(nèi)部并與該些直線121b兩端電性連結(jié)，以形成該第一輻射單元12b纏繞設(shè)于該基體11b上。

藉由調(diào)整第一輻射單元12b來控制300MHz~6GHz 頻段阻抗、共振頻率、頻寬與輻射效應(yīng), 藉由第二輻射單元12b與第一輻射單元25形成彼此相配合的頻率波長(1λ,、1/2λ,、1/4λ,或1/8λ)，來控制300MHz~6GHz 頻段而達(dá)到預(yù)定的目標(biāo)阻抗、共振頻率、頻寬與輻射效應(yīng)，且可有效縮小天線尺寸與增加天線輻射效率。在本附圖中，該第二輻射單元25的長度在5-100mm之間。

請參閱圖11、12，本實(shí)用新型之第四實(shí)施例的增強(qiáng)型單極天線組合及圖11的基板另一面示意圖。如圖所示：第四實(shí)施例與第三實(shí)施例大致相同，所不同處系在于該芯片天線1b電性連結(jié)于面積較大的基板2b上，該基板2b上同樣具有一正面21b、一背面22b及一側(cè)邊端面29b，于該正面21b上具有一第一接地單元23b、一信號饋入單元24b及一第二輻射單元25b。該信號饋入單元24b與該第一接地單元23b之間具有一間距26b。另，于該基板2b的背面22b上具有一對應(yīng)該第一接地單元23b的第二接地單元27b，以及對應(yīng)該固接芯片天線1b位置處具有一凈空區(qū)28b。前述所提之第二輻射單元25b一端具有一第一電極端251b，另一端具有一第二電極端252b，由該第一電極端251b沿著基板2b的正面21b延伸于該基板2b的側(cè)邊端面29b上。

在芯片天線1b與該基板2b電性連結(jié)時(shí)，以該芯片天線1b表面的第一輻射單元12b電性連結(jié)于該信號饋入單元24b與第二輻射單元25b上。藉由調(diào)整第一輻射單元12b來控制300MHz~6GHz頻段阻抗、共振頻率、頻寬與輻射效應(yīng), 藉由第一輻射單元12b與第二輻射單元25b形成彼此相配合的頻率波長(1λ、1/2λ、1/4λ或1/8λ)，來控制300MHz~6GHz頻段而達(dá)到預(yù)定的目標(biāo)阻抗、共振頻率、頻寬與輻射效應(yīng)，且可有效縮小天線尺寸與增加天線輻射效率。在本附圖中，該第二輻射單元25b的長度在5-100mm之間。

請參閱圖13a-13c，本實(shí)用新型之第五實(shí)施例的增強(qiáng)型單極天線的各視角立體示意圖。如圖所示：本實(shí)例與第一、二、三、四實(shí)施例的基板2、2a、2b相同，所不同處系在于該第一接地單元23及該第二接地單元27相鄰的該側(cè)邊端面29上增設(shè)有一輔助接地單元3，該輔助接地單元3分別與該第一接地單元23及該第二接地單元27電性連結(jié)，加強(qiáng)接地加輻射效能。

惟以上所述僅為本實(shí)用新型之較佳實(shí)施例，非意欲局限本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍，故舉凡運(yùn)用本實(shí)用新型說明書或附圖內(nèi)容所為的等效變化，均同理皆包含于本實(shí)用新型的權(quán)利保護(hù)范圍內(nèi)，合予陳明。