本實(shí)用新型涉及混合集成電路領(lǐng)域，特別是涉及一種功率模塊。

背景技術(shù)：

功率半導(dǎo)體模塊是將多只半導(dǎo)體芯片按一定的電路結(jié)構(gòu)封裝在一起的器件。在一個(gè)IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)模塊里，IGBT芯片及二極管芯片被集成到一塊共同的底板上，且模塊的功率器件與其安裝表面(即散熱板)相互絕緣。

傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體模塊塑封成型需要開(kāi)模，成本較高；另外，功率半導(dǎo)體模塊包含起支撐作用的電氣轉(zhuǎn)接塊，模塊體積較大，集成度小。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型目的在于提供一種功率模塊，旨在解決傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體模塊需要開(kāi)模，且包含起支撐作用的電氣轉(zhuǎn)接塊，模塊體積較大的問(wèn)題。

本實(shí)用新型提供了一種功率模塊，包括：

絕緣介質(zhì)基板，包括圖形化的第一導(dǎo)電層和設(shè)于所述第一導(dǎo)電層之上的第一絕緣層，所述第一絕緣層開(kāi)設(shè)有第一導(dǎo)電路徑；

第二絕緣層，設(shè)置于所述第一絕緣層之上，所述第二絕緣層開(kāi)設(shè)有第二導(dǎo)電路徑；

圖形化的第二導(dǎo)電層，設(shè)置于所述第二絕緣層之上；

至少一個(gè)功率半導(dǎo)體芯片，嵌設(shè)于所述第一絕緣層和第二絕緣層之間；

其中，所述功率半導(dǎo)體芯片通過(guò)所述第一導(dǎo)電路徑與所述第一導(dǎo)電層形成電氣連接，且通過(guò)所述第二導(dǎo)電路徑與所述第二導(dǎo)電層形成電氣連接，以構(gòu)成功率電路。

優(yōu)選地，所述絕緣介質(zhì)基板開(kāi)設(shè)有從所述功率半導(dǎo)體芯片一側(cè)到達(dá)或貫穿所述第一導(dǎo)電層的第一通孔，在所述第一通孔填充導(dǎo)電物質(zhì)形成所述第一導(dǎo)電路徑；

所述第二絕緣層開(kāi)設(shè)有從所述功率半導(dǎo)體芯片一側(cè)到達(dá)或貫穿所述第二導(dǎo)電層的第二通孔，在所述第二通孔填充導(dǎo)電物質(zhì)形成所述第二導(dǎo)電路徑。

優(yōu)選地，所述功率半導(dǎo)體芯片嵌于所述第一絕緣層與所述第二絕緣層圍合形成空腔內(nèi)，所述空腔由開(kāi)設(shè)在所述第一絕緣層和/或所述第二絕緣層上的槽孔形成。

優(yōu)選地，包括至少一對(duì)所述功率半導(dǎo)體芯片，所述第二導(dǎo)電層通過(guò)所述導(dǎo)電物質(zhì)和所述第一導(dǎo)電層將每?jī)蓪?duì)所述功率半導(dǎo)體芯片電路連接構(gòu)成半橋功率模塊。

優(yōu)選地，還包括引出端子，所述引出端子的一端與第一導(dǎo)電層、第一絕緣層或第二導(dǎo)電層固定連接，并電氣連接到所述功率半導(dǎo)體芯片相應(yīng)的極性引腳上，所述引出端子的另一端向外伸出。

優(yōu)選地，所述引出端子包括控制端子和功率端子，所述控制端子和功率端子分別位于所述半橋功率模塊相對(duì)兩側(cè)。

優(yōu)選地，還包括散熱器，所述散熱器設(shè)置所述第一導(dǎo)電層的下表面和/或所述第二導(dǎo)電層的上表面。

優(yōu)選地，所述散熱器為散熱翅片或平板熱管。

優(yōu)選地，所述絕緣介質(zhì)基板為PCB板。

優(yōu)選地，所述絕緣層為半固化片。

上述的功率模塊封裝無(wú)需開(kāi)塑封模，節(jié)省了生產(chǎn)成本；將功率半導(dǎo)體芯片埋入在絕緣介質(zhì)基板的絕緣層，通過(guò)在絕緣層上開(kāi)設(shè)導(dǎo)電路徑使功率半導(dǎo)體芯片的上下表面分別與兩個(gè)導(dǎo)電層實(shí)現(xiàn)電氣連接，取代電氣轉(zhuǎn)接塊實(shí)現(xiàn)電氣連接，并省略了用于焊接芯片的導(dǎo)電層，減小了模塊的體積，有利于模塊小型化。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例中功率模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型其中一個(gè)實(shí)施例中功率模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是圖2所示功率模塊的整體布局圖示意圖；

圖4半橋驅(qū)動(dòng)電路的電路原理圖；

圖5為本實(shí)用新型另一個(gè)實(shí)施例中功率模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是圖5所示功率模塊的整體布局圖示意圖；

圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例中散熱平板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例中散熱平板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例中功率模塊的制造方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型較佳實(shí)施例中的功率模塊包括絕緣介質(zhì)基板10、至少一個(gè)功率半導(dǎo)體芯片20、第二絕緣層40及第二導(dǎo)電層50。

絕緣介質(zhì)基板10具有相對(duì)設(shè)置的上下表面，其中至少一個(gè)表面覆金屬，中間層為絕緣介質(zhì)層(第一絕緣層)11。本實(shí)施例中，絕緣介質(zhì)基板10的下表面覆金屬形成圖形化的第一導(dǎo)電層12，而上表面將覆金屬去除使絕緣介質(zhì)層11裸露，相當(dāng)于第一絕緣層11設(shè)于所述第一導(dǎo)電層12之上。

在絕緣介質(zhì)基板10使用PCB(printed circuit board，印刷電路板)時(shí)，由于一般PCB板是雙面覆金屬，需先將上表面的覆金屬去除留下樹(shù)脂層和下表面的覆金屬；當(dāng)然也可以直接使用單面覆金屬的PCB。因此，本實(shí)施例中，在絕緣介質(zhì)基板10開(kāi)設(shè)有穿透第一絕緣層11的第一導(dǎo)電路徑14?？梢岳斫獾氖?，不限于使用在使用PCB板作為絕緣介質(zhì)基板10的情況，或?yàn)槠渌魏伪砻娓步饘俳^緣介質(zhì)基板的情況。

本實(shí)施例中的功率半導(dǎo)體芯片20包括IGBT和FRD(fast recovery diode，快速恢復(fù)二極管)，構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路。功率半導(dǎo)體芯片20其上下表面均具有極性引腳，本實(shí)施例中，功率半導(dǎo)體芯片20為IGBT時(shí)，上表面具有兩個(gè)極性引腳，分別是門(mén)極和發(fā)射極，下表面具有集電極。功率半導(dǎo)體芯片20為FRD時(shí)，上表面具有陽(yáng)極，下表面具有陰極，或反之。

功率半導(dǎo)體芯片20嵌設(shè)于所述第一絕緣層11和第二絕緣層40之間，通過(guò)所述第一導(dǎo)電路徑14與所述第一導(dǎo)電層12形成電氣連接。具體地，所述功率半導(dǎo)體芯片20嵌于所述第一絕緣層11與所述第二絕緣層40圍合形成空腔內(nèi)，所述空腔由開(kāi)設(shè)在所述第一絕緣層11和/或所述第二絕緣層40上的槽孔(圖未示)形成。即第一絕緣層11和第二絕緣層40中兩個(gè)相對(duì)的表面上至少一個(gè)開(kāi)設(shè)有用于收容功率半導(dǎo)體芯片20的槽孔，或者第一絕緣層11和第二絕緣層40中兩個(gè)相對(duì)的表面同時(shí)開(kāi)設(shè)有槽孔圍合形成空腔以收容功率半導(dǎo)體芯片20，本實(shí)施例中，槽孔在第一絕緣層11上。第一導(dǎo)電層12上形成電路圖案，其下表面的極性引腳通過(guò)第一導(dǎo)電路14與對(duì)應(yīng)的電路圖案形成電路連接以引出。

本實(shí)施例中，絕緣介質(zhì)基板10開(kāi)設(shè)有從所述功率半導(dǎo)體芯片20一側(cè)到達(dá)或貫穿所述第一導(dǎo)電層12的第一通孔，在第一通孔填充導(dǎo)電物質(zhì)形成所述第一導(dǎo)電路徑40。第一通孔分別到達(dá)功率半導(dǎo)體芯片20的下表面的極性引腳和第一導(dǎo)電層12。

第二絕緣層40覆蓋于所述絕緣介質(zhì)基板10的第一絕緣層11上，與第一絕緣層11圍合將所述功率半導(dǎo)體芯片20包覆在內(nèi)，第二絕緣層40通過(guò)層壓的方式覆蓋在絕緣介質(zhì)基板10上。第二絕緣層40開(kāi)設(shè)有第二導(dǎo)電路徑42，功率半導(dǎo)體芯片20通過(guò)所述第二導(dǎo)電路徑42與所述第二導(dǎo)電層50形成電氣連接，以構(gòu)成功率電路。

具體地，第二絕緣層40在預(yù)設(shè)位置開(kāi)設(shè)有從所述功率半導(dǎo)體芯片20一側(cè)到達(dá)或貫穿所述第二導(dǎo)電層50的第二通孔，在所述第二通孔填充導(dǎo)電物質(zhì)形成所述第二導(dǎo)電路徑42。第二通孔貫穿第二絕緣層40上下表面，該多個(gè)通孔42貫穿第二絕緣層40分別到達(dá)功率半導(dǎo)體芯片20上表面的極性引腳和第二導(dǎo)電層50，優(yōu)選地，在確保導(dǎo)電路徑14、42與芯片之間結(jié)合的可靠性前提下，同一電路連接路徑的通孔盡可能地多設(shè)置，以便保證電路的過(guò)流能力及提高芯片上部散熱能力。

在制作過(guò)程中，本實(shí)施例中，第二絕緣層40由半固化片(Pre-pregnant)加熱并固化形成，加熱時(shí)同時(shí)將第一通孔和第二通孔內(nèi)的導(dǎo)電物質(zhì)金屬化；其中，半固化片主要由樹(shù)脂和增強(qiáng)材料組成，增強(qiáng)材料可以為玻纖布、紙基、復(fù)合材料等，所述半固化片的熱膨脹系數(shù)與所述功率半導(dǎo)體芯片20的熱膨脹系數(shù)匹配，避免功率器件由于與封裝材料熱膨脹系數(shù)不匹配而導(dǎo)致的器件所受的應(yīng)力過(guò)大出現(xiàn)的失效問(wèn)題。

第二導(dǎo)電層50設(shè)置于所述第二絕緣層40之上，具體是通過(guò)層壓的方式疊設(shè)在第二絕緣層40上。

如此，功率半導(dǎo)體芯片20通過(guò)開(kāi)設(shè)在所述第一絕緣層11上的第一導(dǎo)電路徑14與第一導(dǎo)電層12實(shí)現(xiàn)電氣連接，通過(guò)開(kāi)設(shè)在第二絕緣層40上的第二導(dǎo)電路徑42與第二導(dǎo)電層50實(shí)現(xiàn)電氣連接，以構(gòu)成功率電路，取代電氣轉(zhuǎn)接塊實(shí)現(xiàn)電氣連接，并省略了用于焊接芯片的導(dǎo)電層，減小了模塊的體積，有利于模塊小型化。

本實(shí)施例中，第二導(dǎo)電層50為導(dǎo)電金屬片，具體可以是銅片、鋁片或者其他導(dǎo)電金屬材料制作而成。在其他實(shí)施方式中，第二導(dǎo)電層50可以由另一絕緣介質(zhì)基板的下表面覆金屬構(gòu)成。另一絕緣介質(zhì)基板具有相對(duì)設(shè)置的上下表面，其中至少一個(gè)表面覆金屬構(gòu)成第二導(dǎo)電層50。而上表面可以覆金屬形成另一個(gè)導(dǎo)電層，也可以設(shè)置散熱翅片。

請(qǐng)參閱圖2和圖3，在一個(gè)實(shí)施例中，功率半導(dǎo)體芯片20至少有一個(gè)，每個(gè)功率半導(dǎo)體芯片20包括一個(gè)IGBT 21和一個(gè)FRD 22。功率模塊包括引出端子60(即功率模塊引腳)，引出端子60的一端與所述第一絕緣層11、第一導(dǎo)電層12或所述第二導(dǎo)電層50固定連接，并配合第一導(dǎo)電層12、第一導(dǎo)電路徑14、第二導(dǎo)電路徑42及第二導(dǎo)電層50內(nèi)的導(dǎo)電物質(zhì)電氣連接到所述IGBT 21和FRD 22相應(yīng)的極性引腳上，所述引出端子60的另一端向外伸出。引出端子60用于將IGBT 21和FRD 22以預(yù)設(shè)電路的形式將電路的端子引出以用作與外部電路連接。引出端子60可以固定在第一絕緣層11上，也可以焊接在第一導(dǎo)電層12或第二導(dǎo)電層50上。引出端子60固定在第一絕緣層11上具體是在第一絕緣層11的端面開(kāi)設(shè)凹槽，將引出端子60的一端鑲嵌在凹槽內(nèi)，固定方式可以是層壓或貼設(shè)或焊接；并通過(guò)導(dǎo)電路徑與導(dǎo)電層電氣連接。

本實(shí)施例中，以引出端子60固定在第一絕緣層11為例說(shuō)明。引出端子60包括功率端子61和控制端子62，功率端子61為兩個(gè)，IGBT 21的控制極通過(guò)第二導(dǎo)電路徑42與第二導(dǎo)電層50中的第一電路圖案51進(jìn)而與控制端子62連接，集電極通過(guò)第一導(dǎo)電路徑14和第一導(dǎo)電層12進(jìn)而與集電極功率端子61連接，發(fā)射極通過(guò)第二導(dǎo)電路徑42與第二導(dǎo)電層50進(jìn)而與發(fā)射極功率端子61(圖中與集電極所示功率端子重合)連接。

圖3是本實(shí)施例中功率模塊整體布局圖示意圖。圖中填充區(qū)域?yàn)榈谝粚?dǎo)電層12大致所示圖形化，線框加黑區(qū)域?yàn)榈诙?dǎo)電層50大致所示圖形化。IGBT21和FRD 22埋入放置于第一絕緣層11對(duì)應(yīng)位置，控制端子62及功率端子61也埋入放置于第一絕緣層11對(duì)應(yīng)位置，經(jīng)由金屬化的導(dǎo)電路徑14、42使得芯片極性與對(duì)應(yīng)端子形成電氣連接?？刂贫俗?2及功率端子61分別位于模塊兩側(cè)，低壓控制端遠(yuǎn)離高壓功率端，減小了高壓端對(duì)低壓端的電氣干擾，提高了控制端的可靠性。

請(qǐng)參閱圖4至圖6，在另一個(gè)實(shí)施例中，功率半導(dǎo)體芯片20至少有一對(duì)，每個(gè)功率半導(dǎo)體芯片20構(gòu)成一個(gè)橋臂，實(shí)現(xiàn)半橋功率模塊。上橋臂包括上橋IGBT 101和上橋FRD 103，下橋臂包括下橋IGBT 102和下橋FRD 104。以上橋臂的功率半導(dǎo)體芯片20為例，IGBT芯片101其上下表面均具有極性引腳，本實(shí)施例中，IGBT芯片101上表面具有兩個(gè)極性引腳，分別是門(mén)極和發(fā)射極，下表面具有集電極。上橋FRD芯片103上表面具有陽(yáng)極，下表面具有陰極。下橋臂的功率半導(dǎo)體芯片20同之。

本實(shí)施例中，以引出端子固定在第一絕緣層11為例說(shuō)明。引出端子包括控制端子32和功率端子31，本實(shí)施例中，控制端子32包括兩個(gè)，分別控制上下橋臂的第一控制端子321和第二控制端子322，功率端子31包括正極功率端子311、交流功率端子312及負(fù)極功率端子313。上橋正極端“+”經(jīng)第一導(dǎo)電路徑14與第一導(dǎo)電層12中的第一電路圖案121連接，再經(jīng)第一導(dǎo)電路徑14與正極功率端子311連接。上橋交流端“～”經(jīng)第二導(dǎo)電路徑42與第二導(dǎo)電層50的第三電路圖案51連接，再經(jīng)第二導(dǎo)電路徑42與交流功率端子312連接。下橋交流端“-”經(jīng)第一導(dǎo)電路徑14與第一導(dǎo)電層12中的第二電路圖案122連接，再經(jīng)第一導(dǎo)電路徑14與交流功率端子312連接。下橋負(fù)極端經(jīng)第二導(dǎo)電路徑42與第二導(dǎo)電層50的第四電路圖案52連接，再經(jīng)第二導(dǎo)電路徑42與負(fù)極功率端子313連接?？刂贫俗?21、322埋入第一絕緣層11引出，并經(jīng)第二導(dǎo)電路徑42與芯片控制端形成電氣連接。

圖6是本實(shí)施例中功率模塊整體布局圖示意圖。圖中填充區(qū)域?yàn)榈谝粚?dǎo)電層12大致所示圖形化，線框加黑區(qū)域?yàn)榈诙?dǎo)電層50大致所示圖形化。半橋驅(qū)動(dòng)電路的各個(gè)器件埋入放置于第一絕緣層11對(duì)應(yīng)位置，控制端子32及功率端子31也埋入放置于第一絕緣層11對(duì)應(yīng)位置，經(jīng)由導(dǎo)電路徑14、42使得芯片極性與對(duì)應(yīng)端子形成電氣連接?？刂贫俗?2及功率端子31分別位于模塊兩側(cè)，低壓控制端遠(yuǎn)離高壓功率端，減小了高壓端對(duì)低壓端的電氣干擾，提高了控制端的可靠性。

另外，在優(yōu)選的實(shí)施例中，請(qǐng)參閱圖2、5和7，功率模塊還包括散熱器70，所述散熱器70設(shè)置所述第一導(dǎo)電層12的下表面和/或所述第二導(dǎo)電層50的上表面。散熱器70可單獨(dú)設(shè)置在功率模塊上表面或下表面實(shí)現(xiàn)單面散熱，也可設(shè)置在功率模塊上下表面實(shí)現(xiàn)雙面散熱。具體地，第一導(dǎo)電層12的下表面和/或所述第二導(dǎo)電層50的上表面通過(guò)絕緣導(dǎo)熱膠80后與散熱器70連接。散熱器70為散熱翅片(如圖7所示)或平板熱管(如圖8所示)。圖8是平板熱管示意圖。功率半導(dǎo)體芯片20產(chǎn)生的熱傳導(dǎo)到熱管蒸發(fā)面71，毛細(xì)管中工作液72吸收熱量汽化并充滿蒸汽腔。平板熱管70的冷凝面73采用循環(huán)冷卻液進(jìn)行冷卻。蒸汽90在冷凝面73重新凝結(jié)成液體，在毛細(xì)芯74的毛吸力作用下，液體重新流回蒸發(fā)面71，重復(fù)上述步驟實(shí)現(xiàn)循環(huán)散熱。

此外，請(qǐng)結(jié)合圖2、3、7、8和9，還公開(kāi)了一種可制造上述功率模塊的制造方法，包括以下步驟：

步驟S110，設(shè)置一絕緣介質(zhì)基板10，所述絕緣介質(zhì)基板10包括第一導(dǎo)電層12和設(shè)于所述第一導(dǎo)電層12之上的第一絕緣層11。

在該步驟中，所提供的絕緣介質(zhì)基板10應(yīng)具有相對(duì)設(shè)置的上下表面，其中至少一個(gè)表面覆金屬。本實(shí)施例中，本實(shí)施例中，絕緣介質(zhì)基板10的下表面覆金屬形成圖形化的第一導(dǎo)電層12，而上表面將覆金屬去除使絕緣介質(zhì)層11裸露，相當(dāng)于第一絕緣層11設(shè)于所述第一導(dǎo)電層12之上。

在絕緣介質(zhì)基板10使用雙面覆金屬的PCB時(shí)，將其中一個(gè)表面的覆金屬去除留下樹(shù)脂層(第一絕緣層11)和另一個(gè)表面的覆金屬(第一導(dǎo)電層12)；當(dāng)然也可以直接使用單面覆金屬的PCB?？梢岳斫獾氖?，不限于使用在使用PCB板作為絕緣介質(zhì)基板10的情況，或?yàn)槠渌魏伪砻娓步饘俳^緣介質(zhì)基板的情況。

步驟S120，將至少一個(gè)功率半導(dǎo)體芯片20設(shè)于所述第一絕緣層11上。

具體地，功率半導(dǎo)體芯片20包括IGBT和/或FRD構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路。芯片上下表面均具有極性引腳，功率半導(dǎo)體芯片20貼設(shè)于所述絕緣介質(zhì)基板10的上表面上。

步驟S130，在所述第一絕緣介質(zhì)基板10上設(shè)置第二絕緣層40，使所述功率半導(dǎo)體芯片20嵌設(shè)于所述第一絕緣層11和第二絕緣層40之間。

具體地，所述功率半導(dǎo)體芯片20嵌于所述第一絕緣層11與所述第二絕緣層40圍合形成空腔內(nèi)，所述空腔由開(kāi)設(shè)在所述第一絕緣層11和/或所述第二絕緣層40上的槽孔(圖未示)形成。即第一絕緣層11和第二絕緣層40中兩個(gè)相對(duì)的表面上至少一個(gè)或兩個(gè)同時(shí)開(kāi)設(shè)有圍合形成空腔、用于收容功率半導(dǎo)體芯片20的槽孔本實(shí)施例中，在所述第一絕緣層11遠(yuǎn)離所述第一導(dǎo)電層12一側(cè)表面上的開(kāi)設(shè)槽孔，將所述功率半導(dǎo)體芯片20嵌設(shè)于所述槽孔內(nèi)。

本實(shí)施例中，所述第二絕緣層40為半固化片，半固化片是絕緣的，且其熱膨脹系數(shù)需盡量與功率半導(dǎo)體芯片20的熱膨脹系數(shù)匹配，避免功率器件由于與封裝材料熱膨脹系數(shù)不匹配而導(dǎo)致的器件所受的應(yīng)力過(guò)大出現(xiàn)的失效問(wèn)題。

步驟S140，在所述第二緣層40上設(shè)置第二導(dǎo)電層50，第二導(dǎo)電層50優(yōu)選為導(dǎo)電金屬片。將所述第二導(dǎo)電層50、半固化片和設(shè)有所述功率半導(dǎo)體芯片20的絕緣介質(zhì)基板10依次層疊壓合，使半固化片流膠填充并覆蓋功率半導(dǎo)體芯片20。

步驟S150，在所述絕緣介質(zhì)基板10上開(kāi)設(shè)使所述第一導(dǎo)電層12和所述功率半導(dǎo)體芯片20電氣連接的第一導(dǎo)電路徑14，在所述第二絕緣層40上開(kāi)設(shè)使所述第二導(dǎo)電層50和所述功率半導(dǎo)體芯片20電氣連接的第二導(dǎo)電路徑42。

具體地，首先對(duì)層壓后模塊的第一導(dǎo)電層12及第二導(dǎo)電層50圖形化。然后在絕緣介質(zhì)基板10上采用激光技術(shù)制作從所述第一導(dǎo)電層12一側(cè)貫穿到所述功率半導(dǎo)體芯片20的極性引腳的第一通孔；在第二導(dǎo)電層50和絕緣層40上采用激光技術(shù)制作到達(dá)功率半導(dǎo)體芯片20的極性引腳的第二通孔；再在所述第一、第二通孔填充導(dǎo)電物質(zhì)使通孔金屬化形成所述第一導(dǎo)電路徑14和第二導(dǎo)電路徑42。第一導(dǎo)電層12及第二導(dǎo)電層50在層壓之前或之后需制作電路圖案。

更具體的實(shí)施例中，在步驟S120中還包括：還設(shè)置控制端子62和功率端子61，使所述控制端子62和功率端子61的一端與所述第一導(dǎo)電層12或第一絕緣層11固定連接，另一端向外伸出的步驟。在其他實(shí)施方式中，可以設(shè)第二導(dǎo)電層50時(shí)，設(shè)置控制端子62和功率端子61，將使所述控制端子62和功率端子61的一端與所述第二導(dǎo)電層50固定電氣連接，另一端向外伸出。，所述控制端子32和功率端子31分別位于所述半橋功率模塊相對(duì)兩側(cè)。低壓控制端遠(yuǎn)離高壓功率端，減小了高壓端對(duì)低壓端的電氣干擾，提高了控制端的可靠性。

進(jìn)一步地，所述方法還包括加熱的步驟，通過(guò)加熱使所述半固化片固化實(shí)現(xiàn)絕緣。

進(jìn)一步地，所述方法還包括設(shè)置與所述第一導(dǎo)電層12的下表面和/或所述第二導(dǎo)電層的上表面的散熱器的步驟。

可見(jiàn)，上述的制作方法均在制作功率模塊是封裝無(wú)需開(kāi)塑封模，節(jié)省了生產(chǎn)成本；芯片通過(guò)金屬化的通孔42實(shí)現(xiàn)電氣連接，減小了模塊的體積，有利于模塊小型化。

更具體地，功率模塊的制造方法為：將去除雙面覆金屬的PCB板上表面的銅層并將PCB樹(shù)脂層挖槽，功率半導(dǎo)體芯片20、控制端子62及功率端子61頂部均埋入放置于PCB樹(shù)脂層槽孔中，將相應(yīng)厚度的半固化片(絕緣層)40、第二導(dǎo)電層50與貼有芯片的絕緣介質(zhì)基板10進(jìn)行層壓，使半固化片40的流膠填充并覆蓋芯片，其中，半固化片40是絕緣的，且其熱膨脹系數(shù)需盡量與功率器件熱膨脹系數(shù)匹配。首先對(duì)層壓后模塊的第一導(dǎo)電層12和第二導(dǎo)電層50圖形化，再采用激光技術(shù)制作通孔并金屬化形成導(dǎo)電路徑14和42，使得芯片極性引腳與對(duì)應(yīng)引出端子60形成電氣連接。在確保導(dǎo)電路徑14和42與芯片之間結(jié)合的可靠性前提下導(dǎo)電路徑14和42盡可能地多設(shè)置，以便保證電路的過(guò)流能力及提高芯片上部散熱能力。其中，通過(guò)對(duì)絕緣介質(zhì)基板10的下表面和絕緣介質(zhì)層11采用激光技術(shù)鉆開(kāi)孔14并填充絕緣高導(dǎo)熱材料以提高芯片下表面的散熱能力，此步驟可以在層壓之后制作通孔42的時(shí)候同時(shí)進(jìn)行，也可以在準(zhǔn)備絕緣基板10時(shí)候進(jìn)行。模塊(絕緣介質(zhì)基板10)下表面涂上絕緣導(dǎo)熱膠40與散熱器7連接進(jìn)行散熱，模塊(第二導(dǎo)電層50)上表面涂上絕緣導(dǎo)熱膠80后與另一個(gè)散熱器70連接散熱，以此實(shí)現(xiàn)雙面散熱，提高散熱能力。兩個(gè)散熱器70不一定需要同時(shí)設(shè)置，在能夠滿足散熱條件情況下，也可僅由下表面的散熱器70單獨(dú)構(gòu)成單面散熱。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。