本實用新型涉及太陽電池濕制程生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域中的刻蝕槽的蓋板，尤其涉及一種匹配鏈?zhǔn)綌U散的刻蝕槽的槽蓋結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

太陽能電池片普遍使用濕法制絨、濕法刻蝕等工序，制絨通常用來去除損傷層和降低反射率，刻蝕工序用于腐蝕硅片側(cè)面邊緣PN結(jié)，防止邊緣導(dǎo)通漏電。濕制程槽體通常采用功能槽與水槽相鄰，功能槽與功能槽相間隔的方式排布，槽體上方采用槽蓋覆蓋防止氣體揮發(fā)入空氣中。

現(xiàn)在擴散技術(shù)有管式和鏈?zhǔn)絻煞N，其中鏈?zhǔn)綌U散對比管式擴散，即使去除硅片表面的PSG(磷硅玻璃)，PN結(jié)表面仍然有一層富磷層。鏈?zhǔn)綌U散形的PN結(jié)一般不能直接用于太陽能電池，需要利用刻蝕步驟進(jìn)行方阻提升和邊緣隔離，匹配現(xiàn)在的行業(yè)內(nèi)普遍使用的高方阻工藝。

為了去除鏈?zhǔn)綌U散表面形成的較厚的PSG及富磷層，在不增加槽體長度的情況下，通常采用增加藥液濃度的方法來解決。但是藥液濃度的增加會導(dǎo)致藥液的揮發(fā)增強，在抽風(fēng)不好的情況下會引起藥品串槽、風(fēng)刀堵塞等異常，最終導(dǎo)致電性能降低、電池片色斑等不良情況。

濕制程蓋板通常只是采用增強抽風(fēng)的方法來防止以上情況，可是對需要采用氣象腐蝕的鏈?zhǔn)綌U散是不可取的，因為抽風(fēng)增強會導(dǎo)致道與道之間硅片氧化情況差異增大，方阻不均勻。

因此，亟待解決上述問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

實用新型目的：本實用新型的目的是提供一種不易積液、氣流產(chǎn)生擾動小且可保障硅片氧化均勻的匹配鏈?zhǔn)綌U散的刻蝕槽的槽蓋結(jié)構(gòu)。

技術(shù)方案：為實現(xiàn)以上目的，本實用新型所述的一種匹配鏈?zhǔn)綌U散的刻蝕槽的槽蓋結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置在刻蝕槽槽體上用于封閉所述槽體的槽蓋，該槽蓋包括相互連接且與水平面成一定角度傾斜設(shè)置的第一蓋板和第二蓋板、以及連接在所述第一蓋板和第二蓋板兩端的兩側(cè)板，該側(cè)板、第一蓋板、第二蓋板構(gòu)成三棱柱狀空間；所述第一蓋板和第二蓋板上分別設(shè)有抽風(fēng)盒，該抽風(fēng)盒的上方設(shè)有至少一個與外部抽風(fēng)管道相連通的抽風(fēng)管接頭，該抽風(fēng)盒的底部與所述槽體內(nèi)部相連通。該槽蓋結(jié)構(gòu)中槽蓋坡角方向順著硅片行進(jìn)方向，且抽風(fēng)盒設(shè)置在表面平整的槽蓋上，大大減低了槽蓋對氣流的影響，不會對氣流產(chǎn)生擾動，即可保障硅片表面氧化均勻；其次槽蓋的行程更長不易積液，抽風(fēng)過程中形成的液滴可以直接收集在抽風(fēng)口，再單獨導(dǎo)出收集；再者通過控制兩邊抽風(fēng)盒的抽風(fēng)，可以形成氣壓差，控制氣流方向，從而形成的氧化性氣流均勻柔和，PN結(jié)表面受到氣流氧化，其硅片內(nèi)以及硅片片間被氧化的差異小。

其中，所述抽風(fēng)管接頭具有2個，分別設(shè)置于抽風(fēng)盒兩端。分布于抽風(fēng)盒兩端的抽風(fēng)管接頭可保障抽風(fēng)的氣流均勻，提高抽風(fēng)效率。

優(yōu)選的，所述槽蓋的坡角方向與抽風(fēng)管接頭的連線相垂直。

優(yōu)選的，所述抽風(fēng)盒垂直于側(cè)板，且與槽蓋的兩端相平齊。

再者，所述抽風(fēng)盒的底部具有倒V型底板，該底板上均布有兩排與所述槽體內(nèi)部相連通的若干個抽風(fēng)孔。該抽風(fēng)盒中的倒V型底板使得抽風(fēng)過程中湍流更小，使得氣流更加穩(wěn)定；再者抽風(fēng)口位于槽液與空氣的交界處，即氣體揮發(fā)最嚴(yán)重處，使得抽風(fēng)效率進(jìn)一步得到提升。

進(jìn)一步，所述抽風(fēng)盒上還設(shè)有便于冷凝液排出的導(dǎo)出口。

優(yōu)選的，所述第一蓋板與水平面的夾角為30°～80°。

再者，所述第二蓋板與水平面的夾角為30°～80°。由于第一蓋板與第二蓋板是傾斜的，可將在蓋板的內(nèi)壁上冷凝成液滴引流至槽體的邊緣，避免冷凝液滴聚集后滴落在硅片上，對硅片刻蝕產(chǎn)生不好影響。

進(jìn)一步，所述第一蓋板和第二蓋板為一體折彎成型結(jié)構(gòu)。

有益效果：與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型具有以下優(yōu)點：首先該槽蓋結(jié)構(gòu)中槽蓋坡角方向順著硅片行進(jìn)方向，且抽風(fēng)盒設(shè)置在表面平整的槽蓋上，大大減低了槽蓋對氣流的影響，不會對氣流產(chǎn)生擾動，即可保障硅片表面氧化均勻；其次槽蓋的行程更長不易積液，抽風(fēng)過程中形成的液滴可以直接收集在抽風(fēng)口，再單獨導(dǎo)出收集；再者通過控制兩邊抽風(fēng)盒的抽風(fēng)，可以形成氣壓差，控制氣流方向，從而形成的氧化性氣流均勻柔和， PN結(jié)表面受到氣流氧化，其硅片內(nèi)以及硅片片間被氧化的差異小；還有分布于抽風(fēng)盒兩端的抽風(fēng)管接頭可保障抽風(fēng)的氣流均勻，提高抽風(fēng)效率；進(jìn)一步該抽風(fēng)盒中的倒V型底板使得抽風(fēng)過程中湍流更小，使得氣流更加穩(wěn)定；再者抽風(fēng)口位于槽液與空氣的交界處，即氣體揮發(fā)最嚴(yán)重處，使得抽風(fēng)效率進(jìn)一步得到提升；還有由于第一蓋板與第二蓋板是傾斜的，可將在蓋板的內(nèi)壁上冷凝成液滴引流至槽體的邊緣，避免冷凝液滴聚集后滴落在硅片上，對硅片刻蝕產(chǎn)生不好影響；最后該槽蓋結(jié)構(gòu)與原機臺兼容性高，更換簡易、結(jié)構(gòu)簡單，更耐用。

附圖說明

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實用新型中抽風(fēng)盒的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本實用新型的技術(shù)方案作進(jìn)一步說明。

如圖1所示，本實施新型一種匹配鏈?zhǔn)綌U散的刻蝕槽的槽蓋結(jié)構(gòu)，包括槽蓋1、側(cè)板4、抽風(fēng)盒5。槽蓋1設(shè)置在蝕刻槽槽體(圖中未示出)上用于封閉該槽體，該槽蓋1 包括相互連接且與水平面成一定角度傾斜設(shè)置的第一蓋板2和第二蓋板3、以及連接在第一蓋板2和第二蓋板3兩端的兩側(cè)板4，該側(cè)板4、第一蓋板2、第二蓋板3構(gòu)成三棱柱狀空間；該三棱柱空間覆蓋與刻蝕槽槽體上方，與刻蝕槽槽體的上表面形成線接觸并構(gòu)成密封空間，對刻蝕槽進(jìn)行封閉，避免刻蝕槽內(nèi)的有害氣體溢出。第一蓋板2與水平面的夾角為30°～80°，第二蓋板3與水平面的夾角為30°～80°，使得槽蓋1的橫截面呈倒V字形結(jié)構(gòu)，當(dāng)部分酸霧在第一蓋板2或第二蓋板3的內(nèi)壁上冷凝并聚集成小液滴時，由于第一蓋板2和第二蓋板3相對于水平面是傾斜的，在重力作用下液滴引流至槽體的邊緣，避免冷凝液滴聚集后滴落在硅片上，對硅片刻蝕產(chǎn)生不好影響。上述第一蓋板2和第二蓋板3為一體折彎成型結(jié)構(gòu)，可由一塊整的槽蓋折彎而成，且形成的折線位于刻蝕槽上方。

如圖1所示，本實用新型中硅片的行進(jìn)方向自左向右，槽蓋1的坡角方向與抽風(fēng)管接頭6的連線相垂直，即槽蓋坡角方向順著硅片行進(jìn)方向，且抽風(fēng)盒設(shè)置在表面平整的槽蓋上，大大減低了槽蓋對氣流的影響，不會對氣流產(chǎn)生擾動，即可保障硅片表面氧化均勻；其次槽蓋的行程更長不易積液，抽風(fēng)過程中形成的液滴可以直接收集在抽風(fēng)口，再單獨導(dǎo)出收集；再者通過控制兩邊抽風(fēng)盒的抽風(fēng)，可以形成氣壓差，控制氣流方向，從而形成的氧化性氣流均勻柔和，PN結(jié)表面受到氣流氧化，其硅片內(nèi)以及硅片片間被氧化的差異小。

如圖1所示，第一蓋板2和第二蓋板3上分別設(shè)有抽風(fēng)盒5，該抽風(fēng)盒5的上方設(shè)有至少一個與外部抽風(fēng)管道相連通的抽風(fēng)管接頭6，該抽風(fēng)盒5的底部與所述槽體內(nèi)部相連通。本實施例中抽風(fēng)管接頭6具有2個，分別設(shè)置于抽風(fēng)盒5兩端，分布于抽風(fēng)盒兩端的抽風(fēng)管接頭可保障抽風(fēng)的氣流均勻，提高抽風(fēng)效率。上述抽風(fēng)盒5垂直于側(cè)板4，且與槽蓋1的兩端相平齊。

如圖2所示，上述抽風(fēng)盒5的底部具有倒V型底板7，該底板7上均布有兩排與所述槽體內(nèi)部相連通的若干個抽風(fēng)孔8。該抽風(fēng)盒中的倒V型底板使得抽風(fēng)過程中湍流更小，使得氣流更加穩(wěn)定；再者抽風(fēng)口位于槽液與空氣的交界處，即氣體揮發(fā)最嚴(yán)重處，使得抽風(fēng)效率進(jìn)一步得到提升。

如圖2所示，抽風(fēng)盒5上還設(shè)有便于冷凝液排出的導(dǎo)出口9。

本實用新型槽蓋結(jié)構(gòu)與原機臺兼容性高，更換簡易、結(jié)構(gòu)簡單，更耐用；且在該槽蓋結(jié)構(gòu)與刻蝕槽槽體構(gòu)成的刻蝕槽中形成的硅片的片內(nèi)方阻均勻性得到改善，且生產(chǎn)的電池片整體可以采用更高的方阻，匹配漿料燒結(jié)效率更高；同時不同刻蝕軌道片間方阻差異小，有利于整體方阻的調(diào)整，可以快速更新方阻匹配方案且效率波動小。