本實用新型屬于半導(dǎo)體、微電子產(chǎn)品的離子束加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種離子束采集器。
背景技術(shù)：
等離子體產(chǎn)生后，在有效離子束通道上，離子束的束流密度都是不均勻的，但是在利用等離子體進(jìn)行刻蝕加工時，最理想的狀態(tài)就是離子束的束流密度均勻，這樣就可以獲得均勻性良好的刻蝕效果，這在各種離子束刻蝕技術(shù)中都是最為重要的。
傳統(tǒng)的獲得良好束流密度均勻性的方法有兩種，一種是調(diào)整離子源的參數(shù)與設(shè)計結(jié)構(gòu)，使得從離子源引出的離子束均勻，但由于離子束被束縛的磁場本身不均勻，加上離子帶電的互斥作用，很難保證從離子源總引出的離子束的絕對均勻，只能是獲得相對均勻的離子束，當(dāng)這種離子源自身離子束均勻性達(dá)不到刻蝕要求時，就必須在離子源與刻蝕樣品之間建立異型的物理遮擋機(jī)構(gòu)，不斷通過調(diào)整物理遮擋機(jī)構(gòu)的幾何形狀，與離子束密度特征進(jìn)行抵消，在每次設(shè)計出物理遮擋裝置時，都需要測試刻蝕均勻性，如尚未達(dá)到修正效果，就需要針對性的對物理遮擋裝置的幾何形狀進(jìn)行加工。
在測試刻蝕均勻性時，一種方案是對刻蝕樣品表面進(jìn)行大范圍的刻蝕深度測量，以獲得樣品均勻性的兩維曲線，但在較大樣品中，上述測量不易實現(xiàn)，原因有二。因為半導(dǎo)體、微電子行業(yè)已經(jīng)發(fā)展到微納米尺度，能夠測量深度的儀器非常昂貴，并且儀器可以測量的樣品面積很小，對于大樣品進(jìn)行一次測量或許是很困難，或代價很大的事，甚至必須要對樣品進(jìn)行切割再測量，當(dāng)遇到切割困難的，這件事情很難完成。另一方面，有很多樣品是很昂貴的，因此如果要通過刻蝕后測量樣品獲得實際的均勻性誤差數(shù)據(jù)，再據(jù)此調(diào)整物理遮擋機(jī)構(gòu)的幾何形狀，則經(jīng)濟(jì)代價很大。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種離子束采集器，以減少或避免前面所提到的問題。
為解決上述技術(shù)問題，本實用新型提出了一種離子束采集器，其用于在真空腔室中對離子源所發(fā)出的離子束進(jìn)行束流密度檢測，其包括一個底座，所述底座設(shè)置有至少一個滑軌，所述滑軌上可滑動連接有安裝架，所述安裝架包括底板，所述底板上設(shè)置有兩塊與所述滑軌的軸線垂直的支架板，兩塊所述支架板之間連接有臺板，所述臺板上豎直設(shè)置兩個L形安裝耳片，在兩個所述形安裝耳片之間連接有一個U形安裝板，所述U形安裝板上設(shè)置有多個離子束采集器。
優(yōu)選地，所述離子束采集器是法拉第杯。
優(yōu)選地，所述L形安裝耳片設(shè)置有中空通槽。
優(yōu)選地，所述底板設(shè)置有齒條結(jié)構(gòu)，所述底座設(shè)置有與步進(jìn)電機(jī)連接的傳動齒輪。
本實用新型所提供的一種離子束采集器，結(jié)構(gòu)簡單，可在不需要進(jìn)行樣品刻蝕的情況下，在真空腔室中采集到真實工況下的離子束的束流密度信息，從而可以很少的經(jīng)濟(jì)代價來調(diào)整物理遮擋機(jī)構(gòu)的幾何形狀。
附圖說明
以下附圖僅旨在于對本實用新型做示意性說明和解釋，并不限定本實用新型的范圍。其中，
圖1為根據(jù)本實用新型的一個具體實施例的一種離子束采集器的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
為了對本實用新型的技術(shù)特征、目的和效果有更加清楚的理解，現(xiàn)對照附圖說明本實用新型的具體實施方式。其中，相同的部件采用相同的標(biāo)號。
圖1為根據(jù)本實用新型的一個具體實施例的一種離子束采集器的結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖1所示，本實用新型提供了一種離子束采集器，其用于在真空腔室(圖中未示出)中對離子源(圖中未示出)所發(fā)出的離子束進(jìn)行束流密度檢測，其包括一個底座1，所述底座1設(shè)置有至少一個滑軌11，所述滑軌11上可滑動連接有安裝架2，所述安裝架2包括底板21，所述底板21上設(shè)置有兩塊與所述滑軌11的軸線垂直的支架板22，兩塊所述支架板22之間連接有臺板23，所述臺板23上豎直設(shè)置兩個L形安裝耳片24，在兩個所述L形安裝耳片24之間連接有一個U形安裝板3，所述U形安裝板3上設(shè)置有多個離子束采集器4。
當(dāng)需要在真空腔室中對離子源(特別是條形離子源)所發(fā)出的離子束進(jìn)行束流密度檢測時，只需要將所述底座1放置在離子源前方，使所述離子束采集器4與離子源的距離等于實際刻蝕時工件與離子源的距離，啟動離子源，使所述安裝架2沿所述滑軌11滑動，即可通過所述離子束采集器4采集到束流密度信息。
所述離子束采集器4可以是法拉第杯。
所述L形安裝耳片24可設(shè)置有中空通槽241，這樣可便于調(diào)節(jié)所述U形安裝板3的安裝位置，也就是便于調(diào)節(jié)所述離子束采集器4與所述離子源的距離。
所述L形安裝耳片24可保障所述U形安裝板3與所述臺板23平行，也就是說，可根據(jù)實際刻蝕時工件與離子源所發(fā)射的離子束的夾角來設(shè)定所述臺板23與離子束的夾角，從而可確保所述離子束采集器4采集的束流密度信息能夠與實際刻蝕時的離子束工作情況對應(yīng)。
所述底板21可設(shè)置有齒條結(jié)構(gòu)211，所述底座1可設(shè)置有與步進(jìn)電機(jī)(圖中未示出)連接的傳動齒輪12，這樣就可以方便的通過所述傳動齒輪12與所述齒條結(jié)構(gòu)211的嚙合控制所述安裝架2沿所述滑軌11滑動。從而也就實現(xiàn)了在不打開真空室的情況下，可采集到同一個離子源的多組數(shù)據(jù)。
本實用新型所提供的一種離子束采集器，結(jié)構(gòu)簡單，可在不需要進(jìn)行樣品刻蝕的情況下，在真空腔室中采集到真實工況下的離子束的束流密度信息，從而可以很少的經(jīng)濟(jì)代價來調(diào)整物理遮擋機(jī)構(gòu)的幾何形狀。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，雖然本實用新型是按照多個實施例的方式進(jìn)行描述的，但是并非每個實施例僅包含一個獨立的技術(shù)方案。說明書中如此敘述僅僅是為了清楚起見，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說明書作為一個整體加以理解，并將各實施例中所涉及的技術(shù)方案看作是可以相互組合成不同實施例的方式來理解本實用新型的保護(hù)范圍。
以上所述僅為本實用新型示意性的具體實施方式，并非用以限定本實用新型的范圍。任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本實用新型的構(gòu)思和原則的前提下所作的等同變化、修改與結(jié)合，均應(yīng)屬于本實用新型保護(hù)的范圍。