本實用新型涉及一種導熱絕緣片，特別涉及一種用于電子設備附屬散熱材料領域。

背景技術：

隨著集成電路的小型化和高度集成，電子元器件的組裝密度持續(xù)增加，在提供了強大的使用功能的同時，也導致了其工作功耗和發(fā)熱量的急劇增大。前Intel 公司負責芯片設計的首席技術官帕特·蓋爾欣格曾指出：“如果芯片耗能和散熱問題得不到解決，到2015 年芯片表面就會像太陽的表面一樣熱”。高溫將會對電子元器件的穩(wěn)定性、可靠性和壽命產生有害的影響，譬如過高的溫度會危及半導體的結點，損傷電路的連接界面，增加導體的阻值和造成機械應力損傷。有數據表明，由于過熱引起的CPU 失效占CPU 失效總數的比例55%。即使對于單個通訊器件或電子組件，其工作溫度每升高10℃，可靠性就減少50%。因此，為了能夠使器件發(fā)揮最佳性能并確保高可靠性，必須確保發(fā)熱電子元器件所產生的熱量能夠及時的排出。

目前國內外大規(guī)模集成電路用的散熱材料主要是導熱硅膠以及石墨片。普通導熱硅膠是有機硅材料，其導熱系數低，僅能滿足普通集成電路的使用要求。石墨片雖然導熱系數高，但是石墨片與待散熱部件之間通常因安裝而存在間隙，造成傳熱效率低。

技術實現要素：

為了克服背景技術中存在的缺陷，本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是：一種導熱絕緣片，包括氧化硅層、熱硅膠層、聚酰亞胺層、導熱泥層和離型膜層，所述氧化硅層、熱硅膠層、聚酰亞胺層、導熱泥層和離型膜層依次層疊在一起，所述氧化硅層和熱硅膠層之間通過凸起相互嚙合固定在一起，所述聚酰亞胺層的厚度為35微米，所述聚酰亞胺層的厚度大于離型膜層的厚度。

優(yōu)選的所述離型膜層的厚度為20微米。

本實用新型設計了一種導熱絕緣片，該導熱絕緣片具有下列優(yōu)點：結構簡單、散熱快，效率高的優(yōu)點，其中的離型膜層能夠對導熱絕緣片起到很好的初步保護作用。總之，該導熱絕緣片結構設計合理，使用壽命長，適合推廣使用。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。

圖1是本實用新型一種導熱絕緣片的結構示意圖；

其中:1、氧化硅層；2、導熱硅膠層；3、聚酰亞胺層；4、導熱泥層；5、離型膜層。

具體實施方式

現在結合附圖對本實用新型作進一步詳細的說明。附圖為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本實用新型的基本結構，因此其僅顯示與本實用新型有關的構成。

具體實施例，請參閱圖1，一種導熱絕緣片，包括氧化硅層1、熱硅膠層2、聚酰亞胺層3、導熱泥層4和離型膜層5，所述氧化硅層1、熱硅膠層2、聚酰亞胺層3、導熱泥層4和離型膜層5依次層疊在一起，所述氧化硅層1和熱硅膠層2之間通過凸起相互嚙合固定在一起，所述聚酰亞胺層3的厚度為35微米，所述聚酰亞胺層3的厚度大于離型膜層5的厚度，所述離型膜層5的厚度為20微米。

本實用新型設計了一種導熱絕緣片，該導熱絕緣片具有下列優(yōu)點：結構簡單、散熱快，效率高的優(yōu)點，其中的離型膜層能夠對導熱絕緣片起到很好的初步保護作用?？傊?，該導熱絕緣片結構設計合理，使用壽命長，適合推廣使用。

顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本實用新型創(chuàng)造的保護范圍之中。