本實用新型涉及發(fā)光二極管技術領域，尤其涉及一種發(fā)光二極管的散熱結構。

背景技術：

發(fā)光二極管光源作為一種新興的第三代光源，因其具有工作壽命長、節(jié)能、環(huán)保等優(yōu)點，而普遍被市場看好。溫度對發(fā)光二極管的影響很大，如影響LED的使用壽命，光衰以及影響光的單色性。所以有必要對LED進行改進，進一步提高散熱效果，減少溫度對LED的影響。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型提供一種發(fā)光二極管的散熱結構，其結構簡單，解決了提高LED散熱效果的問題。

為了解決上述技術問題，本實用新型所采取的技術方案為：

一種發(fā)光二極管的散熱結構，包括發(fā)光二極管主體,所述發(fā)光二極管本體包括封裝殼、晶片、第一引線架和第二引線架，所述第一引線架和第二引線架的上端分別伸入至所述封裝殼的內部，所述晶片通過金絲連接所述第二引線架；所述第一引線架上設置有散熱板，所述晶片設置在所述散熱板上；所述第一引線架的上端頂部設置為球狀凸體，所述球狀凸體上設置多個凸點，所述散熱板的底部設置為與所述球狀凸體匹配的凹槽，所述凹槽內設置有多個與所述凸點匹配的凹坑。

進一步地，所述散熱板為金屬散熱板，所述第一引線支架為高導熱陶瓷材料，所述球狀凸體的最頂端設置有導電凸塊，所述第一引線架的內部設置有與所述導電凸塊電連接的導線。

進一步地，所述散熱板為金屬散熱板，所述第一引線支架為金屬引線架，其球狀凸體上的凸點與第一引線架為同樣的金屬材料。

進一步地，所述散熱板和所述第一引線架分別為高導熱陶瓷材料，所述散熱板與第一引線架內設置有供晶片電連接的線槽。

優(yōu)選地，所述封裝殼為環(huán)氧樹脂材料。

進一步地，所述封裝殼的底部和靠近底部的內側壁上設置有反光層，所述反光層所在平面與底部的夾角為30度，可以提高出光效果。

優(yōu)選地，所有凸點的最頂端在同一水平面上，所述凹坑的最深處在同一水平面上，所述凸點緊配合連接所述凹坑；整體使得整體散熱更加均勻。

優(yōu)選地，所述凸點與所述球狀凸體一體成型。

優(yōu)選地，所述金屬散熱板的材料為銅或鋁。

本實用新型提供一種發(fā)光二極管的散熱結構，包括發(fā)光二極管主體,所述發(fā)光二極管本體包括封裝殼、晶片、第一引線架和第二引線架，所述第一引線架和第二引線架的上端分別伸入至所述封裝殼的內部，所述晶片通過金絲連接所述第二引線架；所述第一引線架上設置有散熱板，所述晶片設置在所述散熱板上；所述第一引線架的上端頂部設置為球狀凸體，所述球狀凸體上設置多個凸點，所述散熱板的底部設置為與所述球狀凸體匹配的凹槽，所述凹槽內設置有多個與所述凸點匹配的凹坑。該散熱結構設置的球狀凸體擴大引線架與散熱板的接觸面，提高散熱效果。

附圖說明

圖1是本實用新型一種發(fā)光二極管的散熱結構的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖，具體闡明本實用新型的實施方式，附圖僅供參考和說明使用，不構成對本實用新型專利保護范圍的限制。

如圖1所示，一種發(fā)光二極管的散熱結構，包括發(fā)光二極管主體,所述發(fā)光二極管本體包括封裝殼1、晶片4、第一引線架2和第二引線架3，所述第一引線架2和第二引線架3的上端分別伸入至所述封裝殼1的內部，所述晶片4通過金絲6連接所述第二引線架3；所述第一引線架2上設置有散熱板5，所述晶片4設置在所述散熱板5上，一般通過點銀膠固定。所述第一引線架2的上端頂部設置為球狀凸體21，所述球狀凸體21上設置多個凸點22，所述散熱板5的底部設置為與所述球狀凸體21匹配的凹槽，所述凹槽內設置有多個與所述凸點22匹配的凹坑。

所述散熱板5為金屬散熱板，所述第一引線支架2為高導熱陶瓷材料，所述球狀凸體5的最頂端設置有導電凸塊23，所述第一引線架2的內部設置有與所述導電凸塊23電連接的導線24?；蛩錾岚?為金屬散熱板，所述第一引線支架2為金屬引線架，其球狀凸體21上的凸點22與第一引線架2為同樣的金屬材料?；蛩錾岚?和所述第一引線架2分別為高導熱陶瓷材料，所述散熱板5與第一引線架2內設置有供晶片電連接的線槽。具體地，所述金屬散熱板的材料為銅或鋁。

所述封裝殼1為環(huán)氧樹脂材料。

所述封裝殼1的底部和靠近底部的內側壁上設置有反光層7，所述反光層7所在平面與底部的夾角為30度。

所有凸點22的最頂端在同一水平面上，所述凹坑的最深處在同一水平面上，所述凸點22緊配合連接所述凹坑；使得整體散熱更加均勻。

所述凸點22與所述球狀凸體21一體成型。

以上所揭露的僅為本實用新型的較佳實施例，不能以此來限定本實用新型的權利保護范圍，因此依本實用新型申請專利范圍所作的等同變化，仍屬本實用新型所涵蓋的范圍。