本實用新型有關(guān)于半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

目前的半導(dǎo)體裝置以及其制造方法例如在產(chǎn)生薄型封裝上是不足的，其可能會在邊緣處遭受到碎裂?，F(xiàn)有及傳統(tǒng)的方式的進(jìn)一步限制及缺點對于具有此項技術(shù)的技能者而言，透過此種方式與如同在本申請案的其余部分中參考圖式所闡述的本

技術(shù)實現(xiàn)要素：
的比較將會變成是明顯的。

實用新型內(nèi)容

此實用新型內(nèi)容的各種特點是提供一種具有強(qiáng)化的邊緣保護(hù)的薄型半導(dǎo)體裝置、以及一種制造其的方法。例如且在無限制下，此實用新型內(nèi)容的各種特點提供一種包括一具有一邊緣保護(hù)的區(qū)域的基板的薄型半導(dǎo)體裝置、以及一種制造其的方法。

一種半導(dǎo)體裝置，包括：基板，其包括：第一基板側(cè)面、與所述第一基板側(cè)面相反的第二基板側(cè)面、以及多個延伸在所述第一基板側(cè)面與所述第二基板側(cè)面之間的周邊基板側(cè)面；第一導(dǎo)電層，其在所述第一基板側(cè)面并且包括在所述第一基板側(cè)面的中央圖案、以及在所述第一基板側(cè)面而且在所述周邊基板側(cè)面的第一邊緣圖案；以及第二導(dǎo)電層，其在所述第二基板側(cè)面并且電連接至所述第一導(dǎo)電層；半導(dǎo)體晶粒，其包括第一晶粒側(cè)面、與所述第一晶粒側(cè)面相反并且耦接至所述第一基板側(cè)面的第二晶粒側(cè)面、以及多個延伸在所述第一晶粒側(cè)面與所述第二晶粒側(cè)面之間的周邊晶粒側(cè)面；以及導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)，其將所述半導(dǎo)體晶粒電連接至所述中央圖案；囊封體，其在所述第一基板側(cè)面上并且至少覆蓋所述周邊晶粒側(cè)面。進(jìn)一步地，所述半導(dǎo)體裝置包括囊封體，所述囊封體在所述第一基板側(cè)面上并且至少覆蓋所述周邊晶粒側(cè)面。進(jìn)一步地，其中所述第二導(dǎo)電層包括導(dǎo)電貫孔，其從所述第一導(dǎo)電層直接延伸至所述第二基板側(cè)面。進(jìn)一步地，其中所述第一導(dǎo)電層以及所述第二導(dǎo)電層中的一層是直接電鍍在所述第一導(dǎo)電層以及所述第二導(dǎo)電層中的另一層上。進(jìn)一步地，其中所述第一邊緣圖案包括所述第一導(dǎo)電層的連續(xù)的帶，其覆蓋所述第一基板側(cè)面的整個周邊。進(jìn)一步地，其中所述第二導(dǎo)電層包括在所述周邊基板側(cè)面的第二邊緣圖案。進(jìn)一步地，其中所述周邊基板側(cè)面中的至少一個是完全由所述第一邊緣圖案以及所述第二邊緣圖案所構(gòu)成。進(jìn)一步地，其中所述第二邊緣圖案具有不同于所述第一邊緣圖案的橫向的寬度。進(jìn)一步地，其中所述第二邊緣圖案比所述第一邊緣圖案較厚的。進(jìn)一步地，其中所述第一導(dǎo)電層包括連接器圖案，其連接所述中央圖案以及所述第一邊緣圖案。

一種半導(dǎo)體裝置，包括：基板，其包括：第一基板側(cè)面、與所述第一基板側(cè)面相反的第二基板側(cè)面、以及多個延伸在所述第一基板側(cè)面與所述第二基板側(cè)面之間的周邊基板側(cè)面；中央圖案，其在所述第一基板側(cè)面被露出；多個導(dǎo)電貫孔，其連接至所述中央圖案并且在所述第二基板側(cè)面被露出；以及邊緣圖案，其在所述周邊基板側(cè)面被露出并且完全地環(huán)繞所述基板來延伸；以及半導(dǎo)體晶粒，其耦接至所述第一基板側(cè)面。進(jìn)一步地，其中所述邊緣圖案包括多個在所述周邊基板側(cè)面的導(dǎo)電層。進(jìn)一步地，其中所述邊緣圖案包括：第一導(dǎo)電層，其在所述周邊基板側(cè)面并且具有第一寬度；以及第二導(dǎo)電層，其在所述周邊基板側(cè)面并且具有不同于所述第一寬度的第二寬度。進(jìn)一步地，所述半導(dǎo)體裝置包括連接圖案，所述連接圖案包括多個將所述邊緣圖案連接至所述中央圖案的接地線路的線路。進(jìn)一步地，所述半導(dǎo)體裝置包括單一連續(xù)的層的模制材料，所述模制材料覆蓋以下的每一個的至少一側(cè)表面：所述中央圖案、所述多個導(dǎo)電貫孔、以及所述邊緣圖案。進(jìn)一步地，其中所述邊緣圖案在所述基板的整個周邊周圍形成連續(xù)的導(dǎo)電的帶。

一種半導(dǎo)體裝置，包括：基板，其包括：第一基板側(cè)面、與所述第一基板側(cè)面相反的第二基板側(cè)面、以及多個延伸在所述第一基板側(cè)面與所述第二基板側(cè)面之間的周邊基板側(cè)面；第一導(dǎo)電層，其在所述第一基板側(cè)面并且包括：在所述第一基板側(cè)面的中央圖案；以及邊緣圖案的第一部分，其在所述第一基板側(cè)面并且在所述周邊基板側(cè)面；以及第二導(dǎo)電層，其在所述第二基板側(cè)面并且包括：導(dǎo)電貫孔，其在所述第二基板側(cè)面并且連接至所述中央圖案；以及所述邊緣圖案的第二部分，其在所述第二基板側(cè)面而且在所述周邊基板側(cè)面，并且連接至所述邊緣圖案的所述第一部分；以及半導(dǎo)體晶粒，其耦接至所述第一基板側(cè)面。進(jìn)一步地，其中所述第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層中的一層是直接電鍍在所述第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層中的另一層上。進(jìn)一步地，其中所述基板包括單一連續(xù)的介電層，其圍繞所述第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層的側(cè)表面。進(jìn)一步地，其中所述周邊基板側(cè)面中的至少一個是完全由所述邊緣圖案所構(gòu)成。

附圖說明

圖1是描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體裝置的橫截面圖。

圖2是描繪一種制造圖1的范例的半導(dǎo)體裝置的范例的方法的流程圖。

圖3A至3K是描繪在圖2中所示的范例的方法的各種特點的橫截面圖。

圖4是描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體裝置的橫截面圖。

圖5是描繪一種制造圖4的范例的半導(dǎo)體裝置的方法的各種特點的橫截面圖。

圖6是描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體裝置的橫截面圖。

圖7是描繪一種制造圖6的范例的半導(dǎo)體裝置的方法的各種特點的橫截面圖。

圖8是描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體裝置的橫截面圖。

圖9是描繪一種制造圖8的范例的半導(dǎo)體裝置的方法的各種特點的橫截面圖。

圖10是描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體裝置的橫截面圖。

圖11是描繪一種制造圖10的范例的半導(dǎo)體裝置的方法的各種特點的橫截面圖。

圖12是描繪一種制造圖10的范例的半導(dǎo)體裝置的方法的各種特點的橫截面圖。

圖13是描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體裝置的橫截面圖。

圖14是描繪一種制造圖13的范例的半導(dǎo)體裝置的方法的各種特點的橫截面圖。

圖15是描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體裝置的橫截面圖。

圖16是描繪一種制造圖15的范例的半導(dǎo)體裝置的方法的各種特點的橫截面圖。

圖17是描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體裝置的橫截面圖。

圖18是描繪一種制造圖17的范例的半導(dǎo)體裝置的方法的各種特點的橫截面圖。

具體實施方式

以下的討論是通過提供本實用新型內(nèi)容的例子來呈現(xiàn)本實用新型內(nèi)容的各種特點。此種例子并非限制性的，并且因此本揭露內(nèi)容的各種特點的范疇不應(yīng)該是必然受限于所提供的例子的任何特定的特征。在以下的討論中，這些措辭“例如”、“譬如”以及“范例的”并非限制性的，并且大致與“舉例且非限制性的”、“例如且非限制性的”、及類似者為同義的。

如同在此所利用的，“及/或”是表示在表列中通過“及/或”所加入的項目中的任一個或多個。舉例而言，“x及/或y”是表示這三個元素的集合{(x)、(y)、(x,y)}中的任一元素。換言之，“x及/或y”是表示“x及y中的一或兩者”。作為另一例子的是，“x、y及/或z”是表示這七個元素的集合{(x)、(y)、(z)、(x,y)、(x,z)、(y,z)、(x,y,z)}中的任一元素。換言之，“x、y及/或z”是表示“x、y及z中的一或多個”。

再者，如同在此所利用的，該術(shù)語“在…上”是表示“在…上”以及“直接在…上”(例如，沒有介于中間的層)兩者。再者，該術(shù)語“在…之上”是表示“在…之上”以及“直接在…之上”兩者，并且該術(shù)語“上方”是表示“上方”以及“正上方”兩者。再者，該術(shù)語“在…之下”是表示“在…之下”以及“直接在…之下”兩者，并且該術(shù)語“下方”是表示“下方”以及“正下方”兩者。此外，該術(shù)語“在…之間”將會在文件中被利用來表示“在…之間”以及“在…之間唯一的項目”。

在此所用的術(shù)語只是為了描述特定例子的目的而已，因而并不欲限制本實用新型內(nèi)容。如同在此所用的，單數(shù)形也包含復(fù)數(shù)形，除非上下文另有清楚相反的指出。進(jìn)一步將會理解到的是，當(dāng)該些術(shù)語“包括”、“包含”、“具有”、與類似者用在此說明書時，其指明所述特點、整數(shù)、步驟、操作、組件及/或構(gòu)件的存在，但是并不排除一或多個其它特點、整數(shù)、步驟、操作、組件、構(gòu)件及/或其群組的存在或是添加。

將會了解到的是，盡管該些術(shù)語第一、第二等等可被使用在此以描述各種的組件，但是這些組件不應(yīng)該受限于這些術(shù)語。這些術(shù)語只是被用來區(qū)別一組件與另一組件而已。因此，例如在以下論述的一第一組件、一第一構(gòu)件或是一第一區(qū)段可被稱為一第二組件、一第二構(gòu)件或是一第二區(qū)段，而不脫離本實用新型內(nèi)容的教示。類似地，各種例如是“上方”、“下方”、“側(cè)邊”與類似者的空間的術(shù)語可以用一種相對的方式而被用在區(qū)別一組件與另一組件。然而，應(yīng)該了解的是構(gòu)件可以用不同的方式加以定向，例如一半導(dǎo)體裝置可被轉(zhuǎn)向側(cè)邊，因而其“頂”表面是水平朝向的，并且其“側(cè)”表面是垂直朝向的，而不脫離本揭露內(nèi)容的教示。

在圖式中，各種的尺寸(例如，層厚度、寬度等等)可能會為了舉例說明的清楚起見而被夸大。此外，相同的組件符號被利用以透過各種例子的討論來指稱相似的組件。

根據(jù)此實用新型內(nèi)容的各種特點，半導(dǎo)體裝置可被形成為包括一基板，所述基板則是由一金屬圖案(例如，銅等等)所形成的，所述金屬圖案由一介電材料(例如，一模制材料等等)所圍繞。所述金屬圖案例如可以包括一邊緣圖案部分，其保護(hù)所述介電材料的邊緣，并且也可以提供電磁干擾(EMI)保護(hù)給所述基板。

此實用新型內(nèi)容的各種特點例如是提出一種半導(dǎo)體裝置，其包含一基板，所述基板具有一第一基板側(cè)面、一與所述第一基板側(cè)面相反的第二基板側(cè)面、以及多個延伸在所述第一基板側(cè)面與所述第二基板側(cè)面之間的周邊基板側(cè)面。所述基板還可包含一第一導(dǎo)電層，其包括一在所述第一基板側(cè)面的中央圖案、以及一在所述第一基板側(cè)面而且在所述周邊基板側(cè)面的第一邊緣圖案。所述基板還可包含一第二導(dǎo)電層，其在所述第二基板側(cè)面并且電連接至所述第一導(dǎo)電層。所述第一導(dǎo)電層以及所述第二導(dǎo)電層例如可以直接被形成在彼此上。所述半導(dǎo)體裝置可以進(jìn)一步包含一半導(dǎo)體晶粒，其包括一第一晶粒側(cè)面、一與所述第一晶粒側(cè)面相反并且耦接至所述第一基板側(cè)面的第二晶粒側(cè)面、以及多個延伸在所述第一晶粒側(cè)面與所述第二晶粒側(cè)面之間的周邊晶粒側(cè)面。所述半導(dǎo)體裝置還可包含一導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)，其將所述半導(dǎo)體晶粒電連接至所述中央圖案；以及一囊封體，其在所述第一基板側(cè)面上并且至少覆蓋所述周邊晶粒側(cè)面。此實用新型內(nèi)容的各種特點還提出一種用于制造此種半導(dǎo)體裝置的方法。

此實用新型內(nèi)容的各種特點例如是提出一種半導(dǎo)體裝置，其包含一基板，所述基板具有一第一基板側(cè)面、一與所述第一基板側(cè)面相反的第二基板側(cè)面、以及多個延伸在所述第一基板側(cè)面與所述第二基板側(cè)面之間的周邊基板側(cè)面。所述基板還可包含一中央圖案，其在所述第一基板側(cè)面被露出；多個導(dǎo)電貫孔，其連接至所述中央圖案并且在所述第二基板側(cè)面被露出；以及一邊緣圖案，其在所述周邊基板側(cè)面被露出并且圍繞所述基板。所述半導(dǎo)體裝置還可包含一半導(dǎo)體晶粒，其耦接至所述第一基板側(cè)面。此實用新型內(nèi)容的各種特點還提出一種用于制造此種半導(dǎo)體裝置的方法。

此實用新型內(nèi)容的各種特點例如是提出一種半導(dǎo)體裝置，其包含一基板，所述基板具有一第一基板側(cè)面、一與所述第一基板側(cè)面相反的第二基板側(cè)面、以及多個延伸在所述第一基板側(cè)面與所述第二基板側(cè)面之間的周邊基板側(cè)面。所述基板還可包含一第一導(dǎo)電層，其在所述第一基板側(cè)面并且包含一在所述第一基板側(cè)面的中央圖案；以及一邊緣圖案的一第一部分，其在所述第一基板側(cè)面并且在所述周邊基板側(cè)面。所述基板可以額外包含一第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層在所述第二基板側(cè)面并且包含一導(dǎo)電貫孔，其在所述第二基板側(cè)面并且連接至所述中央圖案；以及所述邊緣圖案的一第二部分，其在所述第二基板側(cè)面而且在所述周邊基板側(cè)面，并且連接至所述邊緣圖案的所述第一部分。所述半導(dǎo)體裝置可以進(jìn)一步包含一半導(dǎo)體晶粒，其耦接至所述第一基板側(cè)面。此揭露內(nèi)容的各種特點還提出一種用于制造此種半導(dǎo)體裝置的方法。

此實用新型內(nèi)容的各種特點是提出一種半導(dǎo)體裝置，其包含一基板，所述基板具有一形成在其的一第一表面的圖案區(qū)域；以及一穿通區(qū)域，其連接至所述圖案區(qū)域并且延伸至一與所述第一表面相反的第二表面。所述基板還可包含一由一種金屬所做成的邊緣區(qū)域，所述邊緣區(qū)域是沿著多個設(shè)置在所述基板的所述第一表面與所述第二表面之間的側(cè)表面的周邊而被形成。所述半導(dǎo)體裝置還可包含一半導(dǎo)體晶粒，其被形成在所述基板的所述第一表面之上；一導(dǎo)電的連接構(gòu)件，其將所述基板以及所述半導(dǎo)體晶粒彼此電連接；以及一或多個囊封體，其是被形成在所述基板的所述第一表面上并且圍繞所述半導(dǎo)體晶粒以及所述導(dǎo)電的連接構(gòu)件。此實用新型內(nèi)容的各種特點還提出一種用于制造此種半導(dǎo)體裝置的方法。

所述邊緣區(qū)域例如可以沿著所述基板的側(cè)表面的周邊一體地(例如，以一連續(xù)的帶或是條)加以形成、或是可以利用多個沿著所述基板的側(cè)表面的周邊被配置的圖案而被形成。所述邊緣區(qū)域例如可以利用和所述基板的圖案區(qū)域相同的厚度來加以形成。所述邊緣區(qū)域例如可以延伸在所述基板的一厚度方向上。所述邊緣區(qū)域例如可以包含一具有和所述圖案區(qū)域相同的厚度的第一區(qū)域；以及一第二區(qū)域，其延伸在一從所述第一區(qū)域穿過所述基板的厚度的方向上。所述第一區(qū)域的寬度例如可以是不同于所述第二區(qū)域的寬度。所述邊緣區(qū)域例如可以進(jìn)一步在所述基板的第一及/或第二表面被露出。所述邊緣區(qū)域例如可以在所述基板的整個側(cè)表面被露出。所述邊緣區(qū)域例如可以是耦接至所述半導(dǎo)體裝置的一或多個接地端子。

所述半導(dǎo)體裝置可以進(jìn)一步包含一或多個從所述邊緣區(qū)域延伸至所述圖案區(qū)域的連接區(qū)域。所述連接區(qū)域例如可以具有和所述圖案區(qū)域相同的厚度。所述連接區(qū)域例如可以從所述邊緣區(qū)域的一部分(例如，一內(nèi)部側(cè)面)朝向所述圖案區(qū)域延伸。所述半導(dǎo)體裝置例如可以是經(jīng)由所述連接區(qū)域來連接，以提供一接地或參考信號至所述邊緣區(qū)域。

此實用新型內(nèi)容的各種特點提出一種半導(dǎo)體裝置，其包含一基板，所述基板包含一圖案區(qū)域，其被形成在其的一第一表面；以及一穿通區(qū)域，其連接至所述圖案區(qū)域并且延伸至一與所述第一表面相反的第二表面。所述半導(dǎo)體裝置還可包含一半導(dǎo)體晶粒，其被形成在所述基板的所述第一表面之上；一導(dǎo)電的連接構(gòu)件，其將所述基板以及所述半導(dǎo)體晶粒彼此電連接；以及一囊封體，其被形成在所述基板的所述第一表面上，以圍繞所述半導(dǎo)體晶粒以及所述導(dǎo)電的連接構(gòu)件。所述基板例如可以進(jìn)一步包含一邊緣區(qū)域，其是沿著一設(shè)置在所述第一表面與所述第二表面之間的側(cè)表面的周邊而被形成，其中邊緣區(qū)域是連接至一接地或參考信號端子。此實用新型內(nèi)容的各種特點還提出一種用于制造此種半導(dǎo)體裝置的方法。

此實用新型內(nèi)容的各種特點提出一種制造一半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述方法包含在一載體的一表面上形成一圖案區(qū)域以及一對應(yīng)于一待被鋸開的線的鋸開區(qū)域；形成一從所述圖案區(qū)域的至少一部分突出的導(dǎo)電的穿通區(qū)域；在所述載體的所述一表面上形成一模制區(qū)域；通過移除所述載體以形成一基板(或是其面板)；將一半導(dǎo)體晶粒接合至所述基板的一表面；形成一囊封體以圍繞所述半導(dǎo)體晶粒；以及通過沿著所述鋸開線鋸開(或者是單?；?以分開所述基板以及囊封體。此實用新型內(nèi)容的各種特點還提出一種產(chǎn)生自此種方法(例如是在所述方法的各種階段及/或在所述方法的完成時)的半導(dǎo)體裝置。

所述鋸開區(qū)域例如可以是由和所述圖案區(qū)域相同的金屬所形成的。所述鋸開區(qū)域例如可以被形成具有和所述圖案區(qū)域相同的高度(例如是在所述載體之上)、或是可被形成具有和所述穿通區(qū)域相同的高度。所述鋸開區(qū)域例如可以包含一具有和所述圖案區(qū)域相同的高度的第一區(qū)域、以及一從所述第一區(qū)域突出的第二區(qū)域。所述第一區(qū)域的寬度例如可以是不同于所述第二區(qū)域的寬度。所述鋸開例如可以沿著所述鋸開區(qū)域的中心來加以執(zhí)行。一從所述鋸開區(qū)域延伸至所述圖案區(qū)域的連接區(qū)域也可被形成。

本實用新型內(nèi)容的各種范例的特點現(xiàn)在將會在所附的圖式的背景下加以呈現(xiàn)。

圖1是描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體裝置的橫截面圖。

所述范例的半導(dǎo)體裝置100例如可以包括一基板110、一半導(dǎo)體晶粒120、一導(dǎo)電的連接構(gòu)件130、一囊封體140、以及一導(dǎo)電球體150。

所述范例的基板110例如可以包括一第一基板側(cè)面(例如，一頂端側(cè)面)、一與所述第一基板側(cè)面相反的第二基板側(cè)面(例如，一底部側(cè)面)、以及多個延伸在所述第一基板側(cè)面與所述第二基板側(cè)面之間的周邊基板側(cè)面(例如，橫向的側(cè)面)。

所述范例的基板110例如可以包括一在所述第一基板側(cè)面的中央圖案111(例如，一導(dǎo)電的圖案)。所述中央圖案111在此也可以被稱為一圖案區(qū)域111。例如，所述中央圖案111(例如，其一第一或頂端側(cè)面)可以在所述第一基板側(cè)面被露出。所述中央圖案111的第一(或頂端)側(cè)面例如可以是與所述第一基板側(cè)面共平面的，但是也可以在各種的范例實施方式中從所述第一基板側(cè)面延伸及/或凹陷在所述第一基板側(cè)面中。如同在此論述的，所述中央圖案111的各種側(cè)面(例如，橫向的側(cè)面、一底部側(cè)面的全部或是至少一部分、等等)可以被所述介電材料或介電層114所覆蓋，而所述中央圖案111的第一側(cè)面(例如，頂端側(cè)面)從所述介電層114被露出。

所述中央圖案111例如可以包括一導(dǎo)電層(例如，一金屬層、一銅層、等等)或是其一部分。所述半導(dǎo)體晶粒120例如可以在所述中央圖案111之上被安裝至所述基板110，并且電連接至所述中央圖案111。

所述范例的基板110例如可以包括一在所述第二基板側(cè)面的導(dǎo)電貫孔112。所述導(dǎo)電貫孔112在此也可以被稱為一穿通部分。例如，所述導(dǎo)電貫孔112(例如，其一第二或底部側(cè)面)可以在所述第二基板側(cè)面被露出。所述導(dǎo)電貫孔112的第二(或是底部)側(cè)面例如可以是與所述第二基板側(cè)面共平面的，但是在各種的范例實施方式中還可以從所述第二基板側(cè)面延伸、及/或凹陷在所述第二基板側(cè)面中。如同在此論述的，所述導(dǎo)電貫孔112的各種側(cè)面(例如，橫向的側(cè)面、一頂端側(cè)面的全部或是至少一部分等等)可以被所述介電層114所覆蓋，而所述導(dǎo)電貫孔112的第二側(cè)面(例如，底部側(cè)面)從所述介電層114被露出。

所述導(dǎo)電貫孔112例如可以包括一導(dǎo)電層(例如，一金屬層、一銅層、等等)或是其一部分。所述導(dǎo)電貫孔112例如可以包括一延伸穿過所述基板110的導(dǎo)電路徑。在一范例的實施方式中，所述導(dǎo)電貫孔112可以連接至所述中央圖案111，并且從所述中央圖案111直接延伸至所述第二基板側(cè)面。盡管所述范例的導(dǎo)電貫孔112被展示為以筆直的側(cè)面來筆直地延伸穿過所述基板110，但是所述導(dǎo)電貫孔112(或是其一或多個部分)還可以橫向地延伸(例如，在一大致平行于所述第一及第二基板側(cè)面的方向上)。注意到的是，如同在圖1中所示，所述基板110一般可以包括多個導(dǎo)電貫孔112。

所述中央圖案111例如可以包括導(dǎo)電貫孔112連接到的一第一部分111a(例如，在所述第一部分111a之下)、以及導(dǎo)電貫孔112并未連接到的一第二部分111b。

所述范例的基板110例如可以在所述外圍基板側(cè)面包括一邊緣圖案113(例如，一導(dǎo)電的邊緣圖案)。所述邊緣圖案113的各種范例的配置在此被呈現(xiàn)。在圖1中，所述邊緣圖案113在所述第一基板側(cè)面的整個周邊周圍，在所述第一基板側(cè)面而被露出。再者，所述邊緣圖案113在所述基板110的整個周邊周圍，在所述外圍基板側(cè)面而被露出。注意到的是，在各種的范例實施方式中，所述邊緣圖案113可以在所述周邊周圍被分段(例如，成為多個具有間隙在其之間的金屬圖案)，而不是連續(xù)的(例如，被配置為單一帶或是線路)。所述邊緣圖案113例如可以包括一導(dǎo)電層(例如，一金屬層、銅層等等)或是其一部分。

在一范例的實施方式中，所述中央圖案111可包括一第一導(dǎo)電層的一第一部分，并且所述邊緣圖案113可包括所述第一導(dǎo)電層的一第二部分。在所述范例實施方式中，所述導(dǎo)電貫孔112可包括一第二導(dǎo)電層，其在一不同于所述第一導(dǎo)電層的處理操作中被形成。然而，注意到的是，此種不同的處理操作可以是相同類型的處理操作，因而即使是在分開的處理操作中被形成，所述第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層也可包括相同的材料。

注意到的是，所述邊緣圖案113可以是和所述中央圖案111間隔開及/或電性隔離的，但并非必要是如此的。如同在各種的范例實施方式中所呈現(xiàn)的，所述邊緣圖案113可以電連接至所述中央圖案111。所述邊緣圖案113例如可以是接地的(或者是耦接至一參考電壓)。此種接地例如可以提供電磁干擾(EMI)屏蔽。此外，如同在此論述的，所述邊緣圖案113可以在一鋸開或是其它單?；瞥讨刑峁┍Ｗo(hù)給所述基板110，例如是防止或降低在單?；陂g所形成的裂縫的發(fā)生。

所述范例的基板110例如可以包括一介電層114。所述介電層114在此也可以被稱為一模制結(jié)構(gòu)或是一模制區(qū)域114。所述介電層114可包括各種特征的任一種，其非限制性的例子在此加以提供。所述介電層114例如可以包括一或多層的各種模制材料(例如，樹脂、聚合物、聚合物復(fù)合材料(例如是具有填充物的環(huán)氧樹脂、具有填充物的環(huán)氧丙烯酸酯、或是具有填充物的聚合物)等等)的任一種。同樣例如的是，所述介電層114可包括一或多層的各種介電材料的任一種，例如無機(jī)介電材料(例如，Si3N4、SiO2、SiON、等等)及/或有機(jī)介電材料(例如，聚酰亞胺(PI)、苯環(huán)丁烯(BCB)、聚苯并惡唑(PBO)、雙馬來酰亞胺三嗪(BT)、一苯酚樹脂、環(huán)氧樹脂、等等)。在圖1所示的范例的裝置100中，所述介電層114只包括單一連續(xù)的層的模制樹脂或是模制化合物。

所述介電層114例如可以覆蓋所述中央圖案111以及導(dǎo)電貫孔112的橫向的側(cè)面(或是表面)。再者，所述介電層114例如可以覆蓋所述邊緣圖案113的橫向的側(cè)面的至少一部分。在一范例的實施方式中，所述介電層114可以覆蓋所述邊緣圖案113的面向所述基板110的內(nèi)部的橫向的側(cè)面，此留下所述邊緣圖案113的從所述基板110面向外的橫向的側(cè)面被露出。所述介電層114例如可以將所述基板110的各種構(gòu)件保持在一起，并且在各種的導(dǎo)體之間內(nèi)部地提供電性隔離。

所述范例的裝置100可包括一耦接至所述基板110的第一側(cè)面(例如，頂端側(cè)面)的半導(dǎo)體晶粒120。所述半導(dǎo)體晶粒120可包括各種類型的集成電路芯片(例如，一般用途的處理器、數(shù)字信號處理器、音頻及/或視訊處理器、內(nèi)存裝置、電源管理單元、網(wǎng)絡(luò)處理器、射頻電路、無線基頻系統(tǒng)、傳感器、特殊應(yīng)用集成電路等等)的任一種。

所述半導(dǎo)體晶粒120例如可以包括一第一晶粒側(cè)面(例如，一頂端側(cè)面)、一第二晶粒側(cè)面(例如，一底部側(cè)面)、以及多個延伸在所述第一側(cè)面與所述第二側(cè)面之間的外圍(或是橫向的)晶粒側(cè)面。所述半導(dǎo)體晶粒120可包括一被形成在所述第二晶粒側(cè)面上的導(dǎo)電的構(gòu)件121(或是復(fù)數(shù)個導(dǎo)電的構(gòu)件121)，以用于輸入及/或輸出電性信號。所述導(dǎo)電的構(gòu)件121例如可以包括各種導(dǎo)電材料(例如，鋁、銅、銀、金、鈦、鎳、鉻、鎢、其合金等等)的任一種。所述導(dǎo)電的構(gòu)件121例如可以是透過一被形成在所述晶粒120的第二晶粒側(cè)面上的介電層(例如，一鈍化層)而被露出。此種介電層例如可以保護(hù)所述晶粒120的下面的半導(dǎo)體材料(例如，硅等等)。所述半導(dǎo)體晶粒120的此種第二晶粒側(cè)面例如可以包括所述晶粒120的一主動側(cè)。

所述導(dǎo)電的構(gòu)件121可包括各種物理特征的任一種。例如，所述導(dǎo)電的構(gòu)件121可包括一導(dǎo)電的墊(例如，一焊墊等等)、一導(dǎo)電柱(或是柱體)或是導(dǎo)線、一導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)等等。

所述導(dǎo)電的構(gòu)件121例如可以利用各種類型的連接的任一種來機(jī)械式及/或電性連接至所述中央圖案111。例如，所述連接可包括一直接的金屬到金屬的接合(例如，Cu至Cu接合等等)、焊料接合、環(huán)氧樹脂接合等等。在一范例的實施方式中，一導(dǎo)電的連接構(gòu)件130可被利用以提供在所述導(dǎo)電的構(gòu)件121與中央圖案111之間的連接。所述導(dǎo)電的連接構(gòu)件130可包括各種特征的任一種。例如，所述導(dǎo)電的連接構(gòu)件130可包括焊料(例如，一在所述導(dǎo)電的構(gòu)件121上的焊料蓋或尖端、所述導(dǎo)電的構(gòu)件121的一回焊的部分、一回焊的焊料膏、等等)。同樣例如的是，所述導(dǎo)電的連接構(gòu)件130可包括一導(dǎo)電的凸塊(例如，一晶粒凸塊、一晶圓凸塊、一焊料蓋、等等)及/或其一可回焊的部分。所述導(dǎo)電的連接構(gòu)件130亦可包括銅柱的晶圓凸塊，其可包括一銅柱，所述銅柱可以具有一被形成在所述銅柱上的焊料蓋或是焊料尖端。所述導(dǎo)電的連接構(gòu)件130可包括各種材料(例如，焊料、錫、銅、銀、鉛、環(huán)氧樹脂等等)的任一種或是多種。

盡管未明確地在圖1中展示，在一種其中所述半導(dǎo)體晶粒120的正面或是主動側(cè)面對并且附接至所述基板110的覆晶的配置中，一種不同于所述囊封體140的底膠填充材料可被形成在所述半導(dǎo)體晶粒120與所述基板110之間(例如，圍繞所述導(dǎo)電的連接構(gòu)件130等等)。此種底膠填充材料可包括一毛細(xì)管底膠填充、一預(yù)先施加的底膠填充、一非導(dǎo)電膏等等。如同在圖1中所示，一模制的底膠填充材料例如可以在一形成在此論述的囊封體140的模制的制程期間加以形成。

在一種其中所述半導(dǎo)體晶粒120的背面或是非主動側(cè)被附接至所述基板110的半導(dǎo)體裝置的配置中，所述導(dǎo)電的連接構(gòu)件130可包括一延伸在所述晶粒120的導(dǎo)電的構(gòu)件121與所述導(dǎo)電的圖案111之間的引線接合的導(dǎo)線(例如，金、銀、銅、鋁、其合金等等)。在此種配置中，所述半導(dǎo)體晶粒120可以利用一黏著劑(例如，一晶粒附接膜、一膏、一液體等等)來機(jī)械式地耦接至所述基板110。

所述范例的半導(dǎo)體裝置100例如可以在所述基板110以及所述半導(dǎo)體晶粒120上包括一囊封體140。所述囊封體140例如可以覆蓋所述第一(或頂端)基板側(cè)面的一部分或全部、所述半導(dǎo)體晶粒120的外圍或橫向的晶粒側(cè)面、所述半導(dǎo)體晶粒120的第一(或頂端)晶粒側(cè)面、所述半導(dǎo)體晶粒120的第二(或底部)晶粒側(cè)面、所述導(dǎo)電的構(gòu)件121的側(cè)表面、所述導(dǎo)電的連接構(gòu)件130的側(cè)表面等等。

所述囊封體140可包括各種材料的任一種的特征。例如，所述囊封體140可包括樹脂、聚合物、聚合物復(fù)合材料(例如是具有填充物的環(huán)氧樹脂、具有填充物的環(huán)氧丙烯酸酯、或是具有填充物的聚合物)、等等中的一或多種。同樣例如的是，所述囊封體140可以是一模制化合物、或是可包括在此論述的有機(jī)及/或無機(jī)介電材料的任一種的一或多種。所述囊封體140例如可以保護(hù)所述半導(dǎo)體裝置100的各種構(gòu)件以與外部的狀況隔開。注意到的是，盡管所述囊封體140被展示為覆蓋所述半導(dǎo)體晶粒120的一第一晶粒側(cè)面(例如，一頂端側(cè)面)，但是此種晶粒側(cè)面可以替代地從所述囊封體140加以露出。例如，所述囊封體140的一頂表面可以是與所述半導(dǎo)體晶粒120的一頂表面共平面的，所述半導(dǎo)體晶粒120的頂表面可以透過一在所述囊封體140中的孔等等而被露出。

所述范例的半導(dǎo)體裝置100可包括一導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)150、或是多個導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)150。一般而言，所述導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)150可被利用以電性及/或機(jī)械式地將所述范例的半導(dǎo)體裝置100附接至另一部件(例如，附接至另一電子裝置、一種多裝置的封裝的一封裝基板、一主板等等)。所述導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)150例如是提供電性信號(例如，數(shù)字信號、模擬信號、電源信號、等等)可以被傳遞往返所述裝置100所透過的一路徑。

所述導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)150(例如，一封裝互連結(jié)構(gòu)等等)可包括各種類型的導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)(例如，導(dǎo)電球體、焊料球、導(dǎo)電的凸塊、焊料凸塊、導(dǎo)線、引線、墊、接點柵格數(shù)組(LGA)的接點等等)的任一種的特征。例如，在圖1所示的范例的裝置100包括一球格數(shù)組(BGA)配置，其中所述導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)150包括配置成一個多維的數(shù)組的導(dǎo)電球體150。在另一范例的實施方式中，所述導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)150在一種接點柵格數(shù)組(LGA)配置中包括裸接點。所述導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)150可包括各種材料(例如，錫、銅、銀、鉛、其合金等等)的任一種。

在圖1所示的例子中，所述導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)150包括一導(dǎo)電球體150，其被接合到所述導(dǎo)電貫孔112的一在所述基板110的第二側(cè)面被露出的部分。如同在此所解說的，所述導(dǎo)電球體150可以在沒有介于中間的金屬下直接被接合至所述導(dǎo)電貫孔112、可被接合到形成在所述導(dǎo)電貫孔112上的凸塊底部金屬化、等等。于是，所述導(dǎo)電貫孔112可以電連接至所述導(dǎo)電球體150。

圖2是描繪一種制造圖1的范例的半導(dǎo)體裝置100的范例的方法200的流程圖。圖3A至圖3K是描繪在圖2中所示的范例的方法200的各種特點的橫截面圖?，F(xiàn)在將會至少一起參照到圖2以及圖3A至3K來討論。

所述范例的方法200在步驟210可以包括形成一第一導(dǎo)電層。此種形成的一個例子被提供在圖3A。一晶種層11被形成在一載體10的一頂表面上。所述載體10可包括各種特征的任一種。例如，所述載體10可被塑形為一矩形板或是面板、被塑形為條狀以容納一個一維的半導(dǎo)體裝置的數(shù)組、被塑形為多維的數(shù)組狀以容納一個多維的半導(dǎo)體裝置的數(shù)組、被塑形為一圓形的晶圓、等等。所述載體10可包括各種材料的任一種。例如，所述載體10可包括金屬、玻璃、半導(dǎo)體材料等等。所述晶種層11可包括各種材料(例如，銅、銀、金、鋁、鎢、鈦、鎳、鉬等等)的任一種。所述晶種層11可以利用各種技術(shù)(例如，濺鍍或其它物理氣相沉積(PVD)技術(shù)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、無電的電鍍、電解的電鍍等等)的任一種來予以施加。

在施加所述晶種層11之后，一第一導(dǎo)電層可以在所述晶種層11上被圖案化。例如，一臨時的屏蔽(未顯示)可被形成在所述晶種層11的其上將不會形成所述第一導(dǎo)電層的部分上，并且所述第一導(dǎo)電層接著可被形成(例如，通過電鍍)在所述晶種層11的通過所述屏蔽而被露出的區(qū)域上。所述第一導(dǎo)電層可包括各種導(dǎo)電材料(例如，銅、銀、金、鎳、鋁、鈦、鎢、鉻、其合金等等)的任一種。所述臨時的屏蔽可以通過利用一種光阻材料以及微影制程來加以形成。

注意到的是，所述第一導(dǎo)電層可以通過除了電鍍之外的制程來加以形成。例如，所述第一導(dǎo)電層可以通過無電的電鍍、化學(xué)氣相沉積(CVD)、濺鍍或物理氣相沉積(PVD)、電漿氣相沉積、印刷、等等來加以形成。在此種例子中，所述晶種層11可以被形成、或是可以不被形成。

所述第一導(dǎo)電層例如可以形成所述中央圖案111(例如，如同在此論述的第一部分111a以及第二部分111b)以及所述邊緣圖案113。例如，所述第一導(dǎo)電層可被形成在一鋸開區(qū)域113'中，在鋸開之后，所述鋸開區(qū)域113'將會產(chǎn)生所述邊緣圖案113。如此形成的鋸開區(qū)域113'例如可以是具有一或多個平行及/或垂直的帶的形狀，其例子在此加以提出。

注意到的是，所述中央圖案111以及邊緣圖案113(例如，其在此時點被形成在鋸開區(qū)域113'中)可以同時被形成，例如是在同一個電鍍操作或是其它的形成方式中。然而，此并不需要是如此的。例如，所述中央圖案111以及邊緣圖案113可以在個別的屏蔽/電鍍操作中被形成、可以利用不同類型的形成制程、不同的材料等等來加以形成。

所述范例的方法200在步驟220可以包括形成一第二導(dǎo)電層。此種形成的一個例子被提供在圖3B。一第二導(dǎo)電層可被圖案化在步驟210所形成的第一導(dǎo)電層(或是其部分)上。例如，所述第二導(dǎo)電層可被形成在所述導(dǎo)電的圖案111的第一部分111a上(或是在其部分上)，但是可以不被形成在所述導(dǎo)電的圖案111的第二部分111b上。盡管未顯示在圖2以及圖3A-3K的例子中，但是如同在此別處所呈現(xiàn)的，所述第二導(dǎo)電層也可被形成在所述鋸開區(qū)域113'的第一導(dǎo)電層(或是其部分)上。

例如，一臨時的屏蔽(未顯示)可被形成在步驟210所形成的第一導(dǎo)電層的部分上。例如，一臨時的屏蔽可被形成在所述鋸開區(qū)域113'之處的第一導(dǎo)電層上、在所述導(dǎo)電的圖案111的第二部分111b上、以及在所述導(dǎo)電的圖案111的第一部分111a的將不會形成所述第二導(dǎo)電層的部分上，并且所述第二導(dǎo)電層接著可被形成(例如，通過電鍍)在所述第一導(dǎo)電層的通過所述屏蔽而被露出的區(qū)域上。所述第二導(dǎo)電層可包括各種導(dǎo)電材料(例如，銅、銀、金、鎳、鋁、鈦、鎢、鉻、其合金等等)的任一種。所述第二導(dǎo)電層例如可以包括和所述第一導(dǎo)電層相同的材料、或是由和所述第一導(dǎo)電層相同的材料所構(gòu)成的。

再者，所述第二導(dǎo)電層例如可以利用一和用于所述第一導(dǎo)電層的形成相同的類型的制程來加以形成，但是此并不需要是如此的。例如，所述第二導(dǎo)電層可以通過電鍍、無電的電鍍、化學(xué)氣相沉積(CVD)、濺鍍或物理氣相沉積(PVD)、電漿氣相沉積、印刷等等來加以形成。

所述第二導(dǎo)電層例如可以形成所述導(dǎo)電貫孔112(或是多個導(dǎo)電貫孔112)。例如，所述導(dǎo)電貫孔112可以直接(例如，在無介于中間的層下)被形成在所述中央圖案111的第一部分111a上，但是其它金屬層也可以插置在所述導(dǎo)電貫孔112與所述中央圖案的第一部分111a之間。在圖1、圖2及圖3A至圖3K所示的例子中，所述中央圖案111的第一部分111a的寬度(例如，橫向或水平的寬度)大于所述導(dǎo)電貫孔112的寬度。然而，此并不需要是如此的。例如，所述第一部分111a以及導(dǎo)電貫孔112的寬度可以是相同的、或者所述第一部分111a的寬度可以是小于所述導(dǎo)電貫孔112的寬度。

此外，在圖1、圖2及圖3A至圖3K所示的例子中，所述第二導(dǎo)電層(并且因此所述導(dǎo)電貫孔112)的厚度(例如，垂直的厚度)可以是大于所述第一導(dǎo)電層(并且因此所述中央圖案111的第一部分111a)的厚度。然而，此并不需要是如此的。例如，所述第二導(dǎo)電層的厚度可以是小于、或是等于所述第一導(dǎo)電層的厚度。

注意到的是，盡管在此提出的例子大致展示兩個導(dǎo)電層的形成(例如，在步驟210及220)，但是此實用新型內(nèi)容的范疇并不限于此。例如，任意數(shù)量的此種導(dǎo)電層都可被形成(例如，一層、三層等等)。

所述范例的方法200在步驟230可以包括形成一介電層。此種形成的一個例子被提供在圖3C。所述介電層114在此也可以被稱為一模制層。

所述介電層114可包括各種特征的任一種，其非限制性的例子在此加以提供。例如，所述介電層114可包括一或多層的各種模制材料(例如，樹脂、聚合物、聚合物復(fù)合材料(例如是具有填充物的環(huán)氧樹脂、具有填充物的環(huán)氧丙烯酸酯、或是具有填充物的聚合物)等等)的任一種。同樣例如的是，所述介電層114可包括一或多層的各種介電材料的任一種，例如無機(jī)介電材料(例如，Si₃N₄、SiO₂、SiON、等等)及/或有機(jī)介電材料(例如，聚酰亞胺(PI)、苯環(huán)丁烯(BCB)、聚苯并惡唑(PBO)、雙馬來酰亞胺三嗪(BT)、一苯酚樹脂、環(huán)氧樹脂等等)。在圖1、圖2及圖3A至圖3K所示的范例實施方式中，所述介電層只包括單一連續(xù)的模制樹脂層。

所述介電層114例如可以覆蓋所述中央圖案111以及所述導(dǎo)電貫孔112的橫向的側(cè)面(或是表面)。再者，所述介電層114例如可以覆蓋所述邊緣圖案113的橫向的側(cè)面的至少一部分。在一范例的實施方式中，所述介電層114可以覆蓋所述邊緣圖案113的面向所述基板110的內(nèi)部的橫向的側(cè)面，其留下所述邊緣圖案113的從所述基板110面向外的橫向的側(cè)面被露出。所述介電層114也可以覆蓋所述晶種層11、中央圖案111、被形成在所述鋸開區(qū)域113'中的導(dǎo)體、導(dǎo)電貫孔112、載體10等等的上表面(例如，在圖3C中所示的方位上)。在圖3C所示的例子中，所述介電層114被形成為具有一平行于所述載體10的一上表面的平坦均勻的上表面，并且其具有一在所述載體10之上的高度是大于所述導(dǎo)電貫孔112在所述載體之上的高度(例如，其因此完全地覆蓋所述導(dǎo)電貫孔112)。所述介電層114例如可以將所述基板110的各種構(gòu)件保持在一起，并且在各種的導(dǎo)體之間提供內(nèi)部的電性隔離。

盡管未顯示在圖3C中，但是在一范例的實施方式中，所述介電層114可以用一種讓所述導(dǎo)電貫孔112的端面被露出的方式(例如，利用密封的模制、利用膜輔助的模制等等)來加以形成。步驟230可包括用各種方式的任一種來形成所述介電層114，其非限制性的例子在此加以提供。例如，步驟230可包括通過壓縮模制、轉(zhuǎn)移模制、液體囊封體模制、真空迭層、膏印刷、膜輔助的模制、印刷、旋轉(zhuǎn)涂覆、噴霧涂覆、燒結(jié)、熱氧化、電漿氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)等等來形成所述介電層114。注意到的是，盡管步驟230被呈現(xiàn)為在單一形成的制程中形成單一連續(xù)的介電層114，但是在其它范例實施方式中，多個介電層可被形成(例如，在所述導(dǎo)電層的形成之后、混入所述導(dǎo)電層的形成等等)。

所述范例的方法200在步驟240可以包括移除所述介電層114的一部分、或是薄化所述介電層114。此種薄化的一個例子被提供在圖3D(例如，相較于圖3C)。步驟240例如可以包括薄化所述介電層114以露出所述導(dǎo)電貫孔112的端面(例如，在圖3D中的導(dǎo)電貫孔112的頂表面)。例如，所述導(dǎo)電貫孔112的露出的端面可以是與所述介電層114的表面共平面的。在其它的范例實施方式中，所述導(dǎo)電貫孔112的端面可以延伸超出所述介電層114(或是凹陷在其之內(nèi))。

步驟240可包括用各種方式(例如，機(jī)械式研磨及/或化學(xué)蝕刻/拋光等等)的任一種來薄化所述介電層114。注意到的是，在一種其中所述介電層114并未在步驟230被形成以覆蓋所述導(dǎo)電貫孔112的末端的范例的實施方式中，步驟240可被跳過。

所述范例的方法200在步驟250可以包括移除所述載體以及所述晶種層。此種移除的一個例子被提供在圖3E。

步驟250可包括用各種方式的任一種來移除所述載體10，其非限制性的例子在此加以提供。例如，步驟250可包括通過機(jī)械式研磨及/或化學(xué)蝕刻來移除所述載體10。步驟250例如可以包括通過施加熱以及機(jī)械力，從一熱可剝離的黏著劑來移除所述載體10。同樣例如的是，步驟250可包括從所述基板的面板110'的其余部分剝除所述載體10。

步驟250可包括用各種方式的任一種來移除所述晶種層11，其非限制性的例子在此加以提供。例如，步驟250可包括化學(xué)蝕刻所述晶種層11。同樣例如的是，步驟250可包括利用機(jī)械式研磨以及化學(xué)蝕刻的一組合來移除所述晶種層11。注意到的是，步驟250可包括利用一相同的蝕刻制程、或是利用一種多階段的蝕刻制程(例如，利用不同的化學(xué)品及/或其它制程條件)，以移除所述載體10(及/或其一部分)以及所述晶種層11。注意到的是，在一種其中一晶種層并未被利用在所述制程中的范例的實施方式中，所述晶種層的移除并不需要加以執(zhí)行。

在所述載體10以及所述晶種層11的移除之后，所述中央圖案111的一表面以及被形成在所述鋸開區(qū)域113'中的導(dǎo)體可以從所述介電層114被露出。此種露出的表面大致可以是與所述介電層114的一表面(例如，在圖3D中的此種構(gòu)件的下表面、以及在圖3E中的此種構(gòu)件的上表面)共平面的，但并非必要是如此的。例如，此種被露出的導(dǎo)體表面可以是在所述介電層114中凹陷的(例如，透過一蝕刻制程)。在另一范例的實施方式中，所述載體10及/或晶種層11(及/或一些的介電層114)的移除可以用所述中央圖案111以及被形成在所述鋸開區(qū)域113'中的導(dǎo)體的表面從所述介電層114突出的此種方式來加以執(zhí)行。

步驟250的一范例輸出的基板的面板110'被展示在圖3E。注意到的是，此種基板的面板110'包括多個在圖1中所示的基板110。所述范例的基板的面板110'可包括各種配置的任一種。例如，所述基板可被塑形為一矩形板或是面板、被塑形為條狀以容納一個一維的半導(dǎo)體裝置的數(shù)組、被塑形為多維的數(shù)組狀以容納一個多維的半導(dǎo)體裝置的數(shù)組、被塑形為一圓形的晶圓等等。

圖3E展示相對于在圖3A至3D中所示的各種結(jié)構(gòu)反轉(zhuǎn)的基板的面板110'。此朝向?qū)焕糜谑Ｓ嗟膱D3E至圖3K。此朝向是為了舉例說明的便利性而被展示，并且非意謂一定是指出在各種的制造操作期間所利用的朝向。在圖3E所示的范例的朝向中，所述中央圖案111以及被形成在所述鋸開區(qū)域113'中的導(dǎo)體(其最終將會產(chǎn)生所述邊緣圖案113)在所述介電層114的頂端側(cè)面被露出，并且所述導(dǎo)電貫孔112在所述介電層114的底部側(cè)面被露出。

所述范例的方法200在步驟260可以包括附接一半導(dǎo)體晶粒。此種附接的一例子被提供在圖3F。

所述半導(dǎo)體晶粒120例如可以包括一第一晶粒側(cè)面(例如，一頂端側(cè)面)、一第二晶粒側(cè)面(例如，一底部側(cè)面)、以及多個延伸在所述第一晶粒側(cè)面與所述第二晶粒側(cè)面之間的外圍(或是橫向的)晶粒側(cè)面。所述半導(dǎo)體晶粒120可包括各種類型的集成電路芯片(例如，一般用途的處理器、數(shù)字信號處理器、音頻及/或視訊處理器、內(nèi)存裝置、電源管理單元、網(wǎng)絡(luò)處理器、射頻電路、無線基頻系統(tǒng)、傳感器、特殊應(yīng)用集成電路等等)的任一種。

所述半導(dǎo)體晶粒120可包括一被形成在所述第二晶粒側(cè)面上的導(dǎo)電的構(gòu)件121(或是多個導(dǎo)電的構(gòu)件121)，以用于輸入及/或輸出電性信號。所述導(dǎo)電的構(gòu)件121例如可以包括各種導(dǎo)電材料(例如，鋁、銅、銀、金、鈦、鎳、鉻、鎢、其合金等等)的任一種。所述導(dǎo)電的構(gòu)件121例如可以穿過一被形成在所述晶粒120的第二晶粒側(cè)面上的介電層(例如，一鈍化層)而被露出。此種介電層例如可以保護(hù)所述晶粒120的下面的半導(dǎo)體材料(例如，硅等等)。所述半導(dǎo)體晶粒120的此種第二晶粒側(cè)面例如可以包括所述晶粒120的一主動側(cè)。

所述導(dǎo)電的構(gòu)件121可包括各種物理特征的任一種。例如，所述導(dǎo)電的構(gòu)件121可包括一導(dǎo)電的墊(例如，一焊墊、等等)、一導(dǎo)電柱(或是柱體)或?qū)Ь€、一導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)等等。

步驟260例如可以包括將所述半導(dǎo)體晶粒120耦接至所述中央圖案111，其例如包含所述中央圖案111的第一部分111a連接至所述導(dǎo)電貫孔112、并且所述中央圖案111的第二部分111b并未連接至所述導(dǎo)電貫孔112。步驟260可包括用一如圖所示的覆晶的方式、用一種引線接合的方式、等等以將所述半導(dǎo)體晶粒120耦接至所述中央圖案111。

步驟260例如可以包括利用各種類型的連接的任一種，以機(jī)械式及/或電性連接所述半導(dǎo)體晶粒120的導(dǎo)電的構(gòu)件121至所述中央圖案111。例如，所述連接可包括一直接的金屬到金屬的接合、焊料接合、環(huán)氧樹脂接合、等等。在一范例的實施方式中，步驟260可包括利用一導(dǎo)電的連接構(gòu)件130以提供在所述導(dǎo)電的構(gòu)件121與所述中央圖案111之間的連接。所述導(dǎo)電的連接構(gòu)件130可包括各種特征的任一種。例如，所述導(dǎo)電的連接構(gòu)件130可包括焊料(例如，一在所述導(dǎo)電的構(gòu)件121上的焊料蓋或是尖端、所述導(dǎo)電的構(gòu)件121的一回焊的部分、一回焊的焊料膏等等)。同樣例如的是，所述導(dǎo)電的連接構(gòu)件130可包括一導(dǎo)電的凸塊(例如，一晶粒凸塊、一晶圓凸塊、一焊料蓋等等)及/或其一可回焊的部分。所述導(dǎo)電的連接構(gòu)件130可包括各種材料(例如，焊料、錫、銅、銀、鉛、環(huán)氧樹脂等等)的任一種或是多種。

盡管未明確地展示在圖2及圖3F中，在一種其中所述半導(dǎo)體晶粒120的正面或是主動側(cè)是面對并且附接至所述基板110的覆晶的配置中，所述范例的方法200(例如，在步驟260)可包括在所述半導(dǎo)體晶粒120與基板的面板110'之間(例如，圍繞所述導(dǎo)電的連接構(gòu)件130等等)形成一底膠填充。此種底膠填充例如可以包括毛細(xì)管底膠填充、其在所述半導(dǎo)體晶粒120的附接期間利用一預(yù)先施加的底膠填充或是一非導(dǎo)電膏等等。如同在此論述的，一種模制的底膠填充材料可被形成(例如，在步驟270的一形成在此論述的囊封體140的模制的制程期間)。

在一種其中所述半導(dǎo)體晶粒120的背面或是非主動側(cè)被附接至所述基板的面板110'的半導(dǎo)體裝置配置中，所述導(dǎo)電的連接構(gòu)件130可包括一延伸在所述晶粒120的導(dǎo)電的構(gòu)件121與所述導(dǎo)電的圖案111之間的引線接合的導(dǎo)線(例如，金、銀、銅、鋁、其合金等等)。在此種配置中，所述半導(dǎo)體晶粒120可以利用一黏著劑(例如，一晶粒附接膜、一膏、一液體等等)來機(jī)械式地耦接至所述基板的面板110'。

盡管圖3F只有展示兩個例如是在對應(yīng)于個別的半導(dǎo)體裝置的個別的區(qū)域附接至所述基板的面板110'的半導(dǎo)體晶粒120，但應(yīng)了解的是任意數(shù)量的半導(dǎo)體裝置都可被形成在所述基板的面板110'上。還注意到的是，每一個如同在此論述的半導(dǎo)體裝置都可包括多個半導(dǎo)體晶粒及/或被動構(gòu)件。

所述范例的方法200在步驟270可以包括囊封。此種囊封的一個例子被提供在圖3G。

所述囊封體140例如可以覆蓋所述半導(dǎo)體晶粒120的第一(或是頂端)基板側(cè)面、外圍或是橫向的晶粒側(cè)面的任一個或是全部、所述半導(dǎo)體晶粒120的第一(或是頂端)晶粒側(cè)面、所述半導(dǎo)體晶粒120的第二(或是底部)晶粒側(cè)面、所述導(dǎo)電的構(gòu)件121的側(cè)表面、所述導(dǎo)電的連接構(gòu)件130的側(cè)表面等等。所述囊封體140例如可以包括一平行于所述基板的面板110'的第一表面(例如，頂表面)的第一表面(例如，一頂表面)，其在相隔所述基板的面板110'一段大于所述半導(dǎo)體晶粒120的任一個或是所有的表面的距離處。例如，所述囊封體140可以是比所述半導(dǎo)體晶粒120厚的、比從所述基板的面板110'到所述半導(dǎo)體晶粒120的頂端晶粒表面的距離厚的等等。

所述囊封體140可包括各種材料的任一種的特征。例如，所述囊封體140可包括樹脂、聚合物、聚合物復(fù)合材料(例如是具有填充物的環(huán)氧樹脂、具有填充物的環(huán)氧丙烯酸酯、或是具有填充物的聚合物)等等中的一或多種。同樣例如的是，所述囊封體140可包括在此論述的有機(jī)及/或無機(jī)介電材料的任一種的中的一或多種。所述囊封體140例如可以保護(hù)所述半導(dǎo)體裝置100的各種構(gòu)件與外部的狀況隔開。

步驟270可包括用各種方式的任一種來執(zhí)行所述囊封，其非限制性的例子在此加以提供。例如，步驟270可包括通過壓縮模制、轉(zhuǎn)移模制、液體囊封體模制、真空迭層、膏印刷、膜輔助的模制等等來執(zhí)行所述囊封。同樣例如的是，步驟270可包括通過印刷、旋轉(zhuǎn)涂覆、噴霧涂覆、燒結(jié)、熱氧化、電漿氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)等等的囊封。

所述范例的方法200在步驟280可以包括形成互連結(jié)構(gòu)。此種形成的一個例子被提供在圖3H。

一般而言，所述導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)150可被利用以將所述范例的半導(dǎo)體裝置100電性及/或機(jī)械式地附接至另一部件(例如，附接至另一電子裝置、一種多裝置的封裝的一封裝基板、一主板等等)。所述導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)150例如是提供電性信號(例如，數(shù)字信號、模擬信號、電源信號等等)可以被傳遞往返所述裝置100所透過的一路徑。

所述導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)150(例如，一封裝互連結(jié)構(gòu)等等)可包括各種類型的導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)(例如，導(dǎo)電球體、焊料球、導(dǎo)電的凸塊、焊料凸塊、導(dǎo)線、引線、墊、接點柵格數(shù)組(LGA)的接點等等)的任一種的特征。例如，在圖1所示的范例的裝置100包括一種球格數(shù)組(BGA)配置，其中所述導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)150包括配置成一個多維的數(shù)組的導(dǎo)電球體150。在另一范例的實施方式中，所述互連結(jié)構(gòu)150在一種接點柵格數(shù)組(LGA)配置中包括裸接點。所述導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)150可包括各種材料(例如，錫、銅、銀、鉛、其合金等等)的任一種。

步驟280可包括用各種方式的任一種來形成所述導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)150，其非限制性的例子在此加以提供。在圖3H所示的例子中，所述導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)150包括一導(dǎo)電球體150，其被接合到所述導(dǎo)電貫孔112的一在所述基板的面板110'的第二側(cè)面(例如，在圖3H中的下方的側(cè)面)被露出的部分。在此種例子中，步驟280可包括將一預(yù)先形成的導(dǎo)電球體150附接(例如，焊接、回焊等等)至所述導(dǎo)電貫孔112。作為另一例子的是，步驟280可包括施加一焊料膏至所述導(dǎo)電貫孔112，并且接著回焊所述被施加的膏，以形式所述導(dǎo)電球體150(或是凸塊)。再者，步驟280例如可以包括通過向上電鍍所述導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)150來形成所述互連結(jié)構(gòu)150(例如，作為一柱、柱體等等)。步驟280例如可以額外包括通過附接一導(dǎo)線、柱體、柱、或是此種類型的各種結(jié)構(gòu)的任一種至所述導(dǎo)電貫孔112來形成所述互連結(jié)構(gòu)150。

注意到的是，在各種的范例實施方式中，步驟280可包括在所述導(dǎo)電貫孔112與導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)150之間形成凸塊底部金屬化。在一范例的實施方式中，步驟280可包括形成一種凸塊底部金屬化(UBM)結(jié)構(gòu)，其是通過例如是濺鍍以形成一層的鈦(Ti)或鈦-鎢(TiW)、例如是通過濺鍍以在所述鈦或鈦-鎢層上形成一層的銅(Cu)、以及例如是通過電鍍以在所述銅層上形成一層的鎳(Ni)。繼續(xù)所述例子，步驟280接著例如可以包括通過電鍍以在所述UBM結(jié)構(gòu)的鎳層上形成一種無鉛的焊料材料，其中所述無鉛的焊料材料具有一組成物的重量1％到4％的銀(Ag)，并且所述組成物的重量的剩余部分是錫(Sn)。

所述范例的方法200在步驟290可以包括單?；４朔N單?；囊粋€例子被提供在圖3I、圖3J及圖3K。步驟290可包括用各種方式的任一種來執(zhí)行此種單?；浞窍拗菩缘睦釉诖思右蕴峁?。此種單?；缈梢詮囊幻姘宓拇朔N封裝來產(chǎn)生個別的半導(dǎo)體裝置的封裝。

步驟290例如可以沿著在所述鋸開區(qū)域113'中的一單?；€(例如，在所述圖中標(biāo)示為“鋸開”)來執(zhí)行所述單?；D3I展示在單?；暗囊幻姘宓陌雽?dǎo)體裝置120的一范例的俯視圖。如同在此論述的，在單?；?，所述半導(dǎo)體裝置120可以在一基板的面板110'上被配置成一個一維的數(shù)組、或是配置成一個多維的數(shù)組。所述鋸開區(qū)域113'以及因此的單?；€可被形成為一種網(wǎng)格配置，例如其中列與行界定個別的半導(dǎo)體裝置100。

所述鋸(例如，鋸刀、雷射或是其它導(dǎo)引能量的裝置、刀具、切片機(jī)(nibbler)等等)例如可以具有一窄于所述鋸開區(qū)域113'的切割寬度。在此種情形中，如同在圖1中所示，所述邊緣圖案113保留自被形成在所述鋸開區(qū)域113'中的在所述單?；陂g未被毀壞或移除的導(dǎo)體的部分。參照回圖1，所述剩余的邊緣圖案113可以從所述第一(或是頂端)基板表面以及從所述外圍(或是橫向的)基板表面而被露出，并且可以完全地延伸圍繞所述基板110的周邊。

所述邊緣圖案113提供各種的益處。例如，所述邊緣圖案113在單?；陂g提供保護(hù)給所述基板110(例如，在單?；陂g防止或減低所述基板110的介電層114的碎裂)，并且還可被利用作為一電磁的屏蔽(例如，在一種其中所述邊緣圖案113接地的配置中)。

如同在此論述的，所述中央圖案111以及邊緣圖案113的露出的表面可以是與所述介電層114的對應(yīng)的表面共平面的，但并非必要是如此的。類似地，所述導(dǎo)電貫孔112的露出的表面可以是與所述介電層114的對應(yīng)的表面共平面的，但并非必要是如此的。一個其中所述導(dǎo)體的表面相對于所述介電層114的對應(yīng)的表面凹陷的例子被展示在圖3K。所述導(dǎo)體(例如，所述中央圖案111、邊緣圖案113、及/或?qū)щ娯灴?12)的任一個可以替代地從所述介電層114的對應(yīng)的表面來延伸。

在另一范例的實施方式中，所述邊緣圖案可以用一種方式是類似于其中所述中央圖案111的第一部分111a耦接至圖1-圖3K的范例的半導(dǎo)體裝置100的導(dǎo)電貫孔112的方式來耦接至一導(dǎo)體。此一個例子被展示在圖4-圖5。

圖4是描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體裝置200的橫截面圖。所述范例的半導(dǎo)體裝置200例如可以與在此關(guān)于圖1-圖3K所展示及論述的范例的半導(dǎo)體裝置100共享任一個或是所有的特征。圖5是描繪一種制造圖4的范例的半導(dǎo)體裝置200的方法的各種特點的橫截面圖。所述范例的方法例如可以與在此關(guān)于圖2-圖3K所展示及論述的范例的方法200共享任一個或是所有的特征。以下的討論將會主要聚焦在與在此所提出的其它范例實施方式的差異。

在圖1所示且/或如同通過在圖2-圖3K中所示的范例的方法200制造的范例的半導(dǎo)體裝置100中，所述邊緣圖案113并未從所述基板110的第一(或頂端)側(cè)面延伸至所述基板110的第二(或是底部)側(cè)面。然而，在圖4所示的范例的半導(dǎo)體裝置200中，所述邊緣圖案213從所述基板110的第一(或頂端)側(cè)面延伸至所述基板110的第二(或是底部)側(cè)面。

所述范例的邊緣圖案213例如可以包括一第一部分213a。如同圖1的范例的半導(dǎo)體裝置100的邊緣圖案113，所述邊緣圖案213的第一部分213a例如可以是被形成為一和所述中央圖案111相同的第一導(dǎo)電層的部分。例如，參照回圖2，步驟210可包括形成所述中央圖案111以及所述邊緣圖案213的第一部分213a。所述邊緣圖案213的第一部分213a例如可以具有一和所述中央圖案111相同的厚度(例如，在圖4-圖5中的垂直距離)，且/或可包括和所述中央圖案111相同的材料。

再者，所述范例的邊緣圖案213例如可以包括一第二部分213b。所述第二部分213b例如可以是被形成為一和所述導(dǎo)電貫孔112相同的第二導(dǎo)電層的部分。例如，參照回圖2，步驟220可包括形成所述導(dǎo)電貫孔112以及所述邊緣圖案213的第二部分213b。所述邊緣圖案213的第二部分213b例如可以具有一和所述導(dǎo)電貫孔112相同的厚度(例如，在圖4-5中的垂直距離)，且/或可包括和所述導(dǎo)電貫孔112相同的材料。

在圖4-5所示的例子中，所述邊緣圖案213的第一部分213a的寬度(例如，橫向的寬度)可以是大于所述第二部分213b的寬度(例如，橫向的寬度)。于是，在所述單?；?例如，在步驟290，并且沿著在圖5的鋸開區(qū)域213'中的單?；€(標(biāo)示為“鋸開”))之后，所述邊緣圖案213的第一部分213a將會比所述邊緣圖案213的第二部分213b延伸一段較大的距離到所述基板110的內(nèi)部中。

如同所述邊緣圖案213的第一部分213a，所述邊緣圖案213的第二部分213b可以完全地延伸圍繞所述基板110的周邊。例如，所述邊緣圖案213可以完全地構(gòu)成所述基板110的外圍(或是橫向的)側(cè)面。

所述邊緣圖案213提供各種的益處。例如，所述邊緣圖案213在單?；陂g提供保護(hù)給所述基板110(例如，在單?；陂g防止或減低所述介電層114的碎裂)。例如，在單粒化期間(例如，在步驟290，并且沿著圖5的單?；€)，所述切割可能發(fā)生只穿過被形成在所述鋸開區(qū)域213'的導(dǎo)電材料，并且因此未接觸所述介電層114。再者，所述所產(chǎn)生的邊緣圖案213可被利用作為一電磁的屏蔽(例如，在一種其中所述邊緣圖案213接地的配置中)。相對于圖1-圖3K的邊緣圖案113，圖4-圖5的邊緣圖案213可以完全地構(gòu)成所述基板110的外圍(或是橫向的)側(cè)面，其提供強(qiáng)化的電磁的屏蔽。

如同在此關(guān)于其它的范例實施方式所論述的，所述中央圖案111以及所述邊緣圖案213的第一部分213a的露出的表面可以是與所述介電層114的對應(yīng)的表面共平面的，但并非必要是如此的。類似地，所述導(dǎo)電貫孔112以及所述邊緣圖案213的第二部分213a的露出的表面可以是與所述介電層114的對應(yīng)的表面共平面的，但并非必要是如此的。一種其中所述導(dǎo)體的表面相對于所述介電層114的對應(yīng)的表面凹陷的范例實施方式被展示在圖5。所述導(dǎo)體的任一個(例如，所述中央圖案111、所述邊緣圖案213的第一部分2l3a、所述邊緣圖案213的第二部分213b、及/或所述導(dǎo)電貫孔112)都可以替代地從所述介電層114的對應(yīng)的表面來延伸。

在另一范例的實施方式中，相對于圖4-圖5的范例的半導(dǎo)體裝置200，所述邊緣圖案可包括一均勻的寬度(例如，橫向或水平的寬度)。此一個例子被展示在圖6-圖7。

圖6是描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體裝置300的橫截面圖。所述范例的半導(dǎo)體裝置300例如可以與在此關(guān)于圖1-圖3K所展示及論述的范例的半導(dǎo)體裝置100及/或與在此關(guān)于圖4-圖5所展示及論述的范例的半導(dǎo)體裝置200共享任一個或是所有的特征。圖7是描繪一種制造圖6的范例的半導(dǎo)體裝置300的方法的各種特點的橫截面圖。所述范例的方法例如可以與在此關(guān)于圖2-圖3K所展示及論述的范例的方法200及/或與在此關(guān)于圖5所展示及論述的范例的方法、等等共享任一個或是所有的特征。以下的討論將會主要聚焦在與在此所提出的其它范例實施方式的差異。

在圖4中所示且/或如同通過在圖2-3及圖5中所示的范例的方法200制造的范例的半導(dǎo)體裝置200中，所述邊緣圖案213的第一部分213a是比所述邊緣圖案213的第二部分213b較寬的(例如，橫向或是水平地較寬的)。然而，在圖6所示的范例的半導(dǎo)體裝置300中，所述邊緣圖案313從所述基板310的第一(或頂端)側(cè)面至延伸所述基板310的第二(或是底部)側(cè)面，并且具有一固定的寬度。

盡管未明確地描繪在圖6中，但是所述范例的邊緣圖案313例如可以包括一第一部分。如同圖4的范例的半導(dǎo)體裝置200的邊緣圖案213的第一部分213a，所述邊緣圖案313的第一部分例如可以是被形成為一和所述中央圖案111相同的第一導(dǎo)電層的部分。例如，參照回圖2，步驟210可包括形成所述中央圖案111以及所述邊緣圖案313的第一部分。所述邊緣圖案313的第一部分例如可以具有一和所述中央圖案111相同的厚度(例如，在圖6-圖7中的垂直距離)，且/或可包括和所述中央圖案111相同的材料。

再者，所述范例的邊緣圖案313例如可以包括一第二部分。所述邊緣圖案313的第二部分例如可以是被形成為一和所述導(dǎo)電貫孔112相同的第二導(dǎo)電層的部分。例如，參照回圖2，步驟220可包括形成所述導(dǎo)電貫孔112以及所述邊緣圖案313的第二部分。所述邊緣圖案313的第二部分例如可以具有一和所述導(dǎo)電貫孔112相同的厚度(例如，在圖6-圖7中的垂直距離)，且/或可包括和所述導(dǎo)電貫孔112相同的材料。

注意到的是，在一替代的實施方式中，所述范例的邊緣圖案313可以在單一制造操作中被形成為單一連續(xù)的導(dǎo)體(例如，與在步驟210的第一導(dǎo)電層以及在步驟220的第二導(dǎo)電層分開地加以形成)。還注意到的是，在其中所述邊緣圖案313包括多個分開被形成的部分的范例的情節(jié)中，在部分至部分的接口處例如是由于制造的變異而可能會有些微的不連續(xù)，但是此仍然在此揭露內(nèi)容的范疇內(nèi)。

在圖6-圖7所示的例子中，所述邊緣圖案313(例如，作為單一連續(xù)的導(dǎo)體、作為一第一部分以及一第二部分、等等)的寬度(例如，橫向的寬度)可以是固定的。于是，在所述單粒化(例如，在步驟290，并且沿著在圖7的鋸開區(qū)域313'中的單?；€(標(biāo)示為“鋸開”))之后，所述邊緣圖案313將會延伸一段固定的距離到所述基板310的內(nèi)部中。

所述邊緣圖案313例如可以完全地延伸圍繞所述基板310的周邊。例如，所述邊緣圖案313可以完全地構(gòu)成所述基板310的外圍(或是橫向的)側(cè)面。

所述邊緣圖案313提供各種的益處。例如，所述邊緣圖案313在單粒化期間提供保護(hù)給所述基板310(例如，在單?；陂g防止或減低所述介電層114的碎裂)。例如，在單?；陂g(例如，在步驟290，并且沿著圖7的單粒化線)，所述切割可能發(fā)生只穿過被形成在所述鋸開區(qū)域313'的導(dǎo)電材料，并且因此未接觸所述介電層114。再者，所述所產(chǎn)生的邊緣圖案313可被利用作為一電磁的屏蔽(例如，在一種其中所述邊緣圖案313接地的配置中)。相對于圖1-圖3K的邊緣圖案113，圖6-圖7的邊緣圖案313可以完全地構(gòu)成所述基板310的外圍(或是橫向的)側(cè)面，其提供強(qiáng)化的電磁的屏蔽。

如同在此關(guān)于其它的范例實施方式所論述的，所述中央圖案111以及所述邊緣圖案313的第一部分(或是頂端)的露出的表面可以是與所述介電層114的對應(yīng)的表面共平面的，但并非必要是如此的。類似地，所述導(dǎo)電貫孔112以及所述邊緣圖案313的第二部分(或是底端)的露出的表面可以是與所述介電層114的對應(yīng)的表面共平面的，但并非必要是如此的。一種其中所述導(dǎo)體的表面相對于所述介電層114的對應(yīng)的表面凹陷的范例實施方式被展示在圖7。所述導(dǎo)體的任一個(例如，所述中央圖案111、所述邊緣圖案313的第一部分、所述邊緣圖案313的第二部分、及/或所述導(dǎo)電貫孔112)都可以替代地從所述介電層114的對應(yīng)的表面來延伸。

在另一范例的實施方式中，相對于圖4-圖5的范例的半導(dǎo)體裝置200，所述邊緣圖案的一第一部分可包括一比所述邊緣圖案的一第二部分較小的寬度(例如，橫向或水平的寬度)。此一個例子被展示在圖8-圖9。

圖8是描繪根據(jù)本揭露內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體裝置400的橫截面圖。所述范例的半導(dǎo)體裝置400例如可以與在此關(guān)于圖1-圖7所展示及論述的范例的半導(dǎo)體裝置100、200及/或300共享任一個或是所有的特征。圖9是描繪一種制造圖8的范例的半導(dǎo)體裝置400的方法的各種特點的橫截面圖。所述范例的方法例如可以與在此關(guān)于圖2-圖3K所展示及論述的范例的方法200、與在此關(guān)于圖5所展示及論述的范例的方法、及/或與在此關(guān)于圖7所展示及論述的范例的方法、等等共享任一個或是所有的特征。以下的討論將會主要聚焦在與在此所提出的其它范例實施方式的差異。

在圖4中所示且/或如同通過在圖2-圖3K及圖5中所示的范例的方法制造的范例的半導(dǎo)體裝置200中，所述邊緣圖案213完全地延伸在所述基板110的第一(或頂端)側(cè)面至所述基板110的第二(或是底部)側(cè)面之間。所述范例的邊緣圖案213包括一第一(或是頂端)部分213a以及一第二(或是底部)部分213b，其中所述第一部分213a的寬度(例如，一橫向或水平的寬度)大于所述第二部分213b的寬度(例如，一橫向或水平的寬度)。然而，所述范例的半導(dǎo)體裝置400包括一邊緣圖案413，其中一第一(或是頂端)部分413a具有一寬度(例如，一橫向或水平的寬度)小于一第二(或是底部)部分413b的寬度。

所述范例的邊緣圖案413例如可以包括一第一部分413a。如同圖1的范例的半導(dǎo)體裝置100的邊緣圖案113，所述邊緣圖案413的第一部分413a例如可以是被形成為一和所述中央圖案111相同的第一導(dǎo)電層的部分。例如，參照回圖2，步驟210可包括形成所述中央圖案111以及所述邊緣圖案413的第一部分413a。所述邊緣圖案413的第一部分413a例如可以具有一和所述中央圖案111相同的厚度(例如，在圖8-圖9中的垂直距離)，且/或可包括和所述中央圖案111相同的材料。

再者，所述范例的邊緣圖案413例如可以包括一第二部分413b。所述第二部分413b例如可以是被形成為一和所述導(dǎo)電貫孔112相同的第二導(dǎo)電層的部分。例如，參照回圖2，步驟220可包括形成所述導(dǎo)電貫孔112以及所述邊緣圖案413的第二部分413b。所述邊緣圖案413的第二部分413b例如可以具有一和所述導(dǎo)電貫孔112相同的厚度(例如，在圖8-圖9中的垂直距離)，且/或可包括和所述導(dǎo)電貫孔112相同的材料。

在圖8-圖9所示的例子中，所述邊緣圖案413的第一部分413a的寬度(例如，橫向的寬度)可以是小于所述第二部分413b的寬度(例如，橫向的寬度)。于是，在所述單?；?例如，在步驟290，并且沿著在圖9的鋸開區(qū)域413'中的單?；€(標(biāo)示為“鋸開”))之后，所述邊緣圖案413的第一部分413a將會比所述邊緣圖案413的第二部分413b延伸一段較小的距離到所述基板410的內(nèi)部中。

如同所述邊緣圖案413的第一部分413a，所述邊緣圖案413的第二部分413b可以完全地延伸圍繞所述基板410的周邊。例如，所述邊緣圖案413可以完全地構(gòu)成所述基板410的外圍(或是橫向的)側(cè)面。

所述邊緣圖案413提供各種的益處。例如，所述邊緣圖案413在單?；陂g提供保護(hù)給所述基板410(例如，在單?；陂g防止或減低所述介電層114的碎裂)。例如，在單粒化期間(例如，在步驟290，并且沿著圖9的鋸開區(qū)域413a的單粒化線(標(biāo)示為“鋸開”))，所述切割可能發(fā)生只穿過被形成在所述鋸開區(qū)域413a的導(dǎo)電材料，并且因此未接觸所述介電層114。再者，所述邊緣圖案413可被利用作為一電磁的屏蔽(例如，在一種其中所述邊緣圖案413接地的配置中)。如同圖4-圖5的邊緣圖案213，圖8-圖9的邊緣圖案413可以完全地構(gòu)成所述基板410的外圍(或是橫向的)側(cè)面，其提供強(qiáng)化的電磁的屏蔽。

如同在此關(guān)于其它的范例實施方式所論述的，所述中央圖案111以及所述邊緣圖案413的第一部分413a的露出的表面可以是與所述介電層114的對應(yīng)的表面共平面的，但并非必要是如此的。類似地，所述導(dǎo)電貫孔112以及所述邊緣圖案413的第二部分413b的露出的表面可以是與所述介電層114的對應(yīng)的表面共平面的，但并非必要是如此的。一種其中所述導(dǎo)體的表面相對于所述介電層114的對應(yīng)的表面凹陷的例子被展示在圖9。所述導(dǎo)體的任一個(例如，所述中央圖案111、所述邊緣圖案413的第一部分413a、所述邊緣圖案413的第二部分413b、及/或所述導(dǎo)電貫孔112)都可以替代地從所述介電層114的對應(yīng)的表面來延伸。

如同在此論述的，一邊緣圖案可以連接至接地或是其它參考電壓。一般而言，一邊緣圖案可以耦接至所述半導(dǎo)體裝置的任何信號。在各種的范例實施方式中，在此論述的半導(dǎo)體裝置(例如，半導(dǎo)體裝置100、200、300、400等等)的任一個都可包括一將所述中央圖案電連接至所述邊緣圖案的連接圖案。此種實施方式的許多例子現(xiàn)在將會加以提出。

圖10是描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體裝置500的橫截面圖。所述范例的半導(dǎo)體裝置500例如可以與在此關(guān)于圖1-圖9所展示及論述的范例的半導(dǎo)體裝置100、200、300及/或400共享任一個或是所有的特征。圖11及圖12是描繪一種制造圖10的范例的半導(dǎo)體裝置500的方法的各種特點的橫截面圖。所述范例的方法例如可以與在此關(guān)于圖2-圖3K所展示及論述的范例的方法200共享任一個或是所有的特征。以下的討論將會主要聚焦在與在此所提出的其它范例實施方式的差異。尤其，以下的討論將會主要聚焦在所述范例的半導(dǎo)體裝置500及制造其的方法、與在此關(guān)于圖1-圖3K所展示及論述的范例的半導(dǎo)體裝置100及制造其餓方法之間的差異上。

所述范例的半導(dǎo)體裝置500包括一邊緣圖案513。此種邊緣圖案513例如可以與在此關(guān)于圖1-3所展示及論述的范例的半導(dǎo)體裝置100的邊緣圖案113共享任一個或是所有的特征。例如，如同所述邊緣圖案113，所述邊緣圖案513可包括一被形成在所述鋸開區(qū)域513'中的導(dǎo)電層(如同在圖11中所示)的在此種區(qū)域于單?；陂g被鋸開之后的剩余物。

所述范例的半導(dǎo)體裝置500還包括一連接圖案515(或是多個連接圖案515)，其延伸并且電連接在所述中央圖案111與邊緣圖案513之間。在一范例的實施方式中，所述中央圖案111、連接圖案515、以及邊緣圖案513可以在一相同的導(dǎo)電層形成操作中(例如，在圖2-圖3K的范例的方法200的步驟210)加以形成。如同在圖10-12中所示，所述連接圖案515(或是其部分)可以水平地延伸在所述中央圖案111與所述邊緣圖案513之間。

例如，所述中央圖案111、連接圖案515、以及邊緣圖案513可包括一相同的厚度(例如，在圖10-11中的一垂直的厚度)，且/或由一種相同的材料所做成的。盡管所述中央圖案111、連接圖案515、以及邊緣圖案513在圖10-圖11中為了舉例說明的清楚起見，在此種組件連接之處是以離散的區(qū)段被呈現(xiàn)，但是此種組件可被形成為單一連續(xù)的(或是一體的)部件。

圖12展示一范例的面板510'的半導(dǎo)體裝置的俯視圖，其中被形成在所述鋸開區(qū)域513'中的導(dǎo)體通過具有一數(shù)組或格子形式的連接圖案515來耦接至所述中央圖案。盡管未被展示，但是所述連接圖案515可包括一系列位在所述半導(dǎo)體裝置100的每一個的整個周邊周圍的導(dǎo)體，并且其延伸在所述中央圖案111(例如，所述中央圖案111的一外部的部分)與所述鋸開區(qū)域513'的導(dǎo)體之間，例如作為連接所述中央圖案111至所述鋸開區(qū)域513'(或是邊緣圖案513)的輻條(spoke)。

如圖所示，所述邊緣圖案513可以通過所述連接圖案515、中央圖案111、以及導(dǎo)電貫孔112來電耦接至一互連結(jié)構(gòu)150。在一范例的實施方式中，此種互連結(jié)構(gòu)150(或是復(fù)數(shù)個類似連接的互連結(jié)構(gòu)150)可以是接地的，例如用以強(qiáng)化由所述邊緣圖案513所提供的電磁干擾保護(hù)。

另一范例實施方式被展示在圖13-圖14中。圖13是描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體裝置的橫截面圖。所述范例的半導(dǎo)體裝置600例如可以與在此關(guān)于圖1-圖12所展示及論述的范例的半導(dǎo)體裝置100、200、300、400及/或500共享任一個或是所有的特征。圖14是描繪一種制造圖13的范例的半導(dǎo)體裝置600的方法的各種特點的橫截面圖。所述范例的方法例如可以與在此關(guān)于圖2-3所展示及論述的范例的方法200共享任一個或是所有的特征。以下的討論將會主要聚焦在與在此所提出的其它范例實施方式的差異。尤其，以下的討論將會主要聚焦在所述范例的半導(dǎo)體裝置600與在此關(guān)于圖4所展示及論述的范例的半導(dǎo)體裝置200之間、以及在其個別的制造方法之間的差異上。

所述范例的半導(dǎo)體裝置600包括一邊緣圖案613。此種邊緣圖案613例如可以與在此關(guān)于圖4-5所展示及論述的范例的半導(dǎo)體裝置200的邊緣圖案213共享任一個或是所有的特征。例如，如同所述邊緣圖案213，所述邊緣圖案613可包括一被形成在所述鋸開區(qū)域613'中的導(dǎo)電層(如同在圖14中所示)的在此種區(qū)域于單粒化期間被鋸開之后的剩余物。

所述范例的半導(dǎo)體裝置600還包括一連接圖案615(或是多個連接圖案615)，其延伸并且電連接在所述中央圖案111與所述邊緣圖案613之間。在一范例的實施方式中，所述中央圖案111、連接圖案615、以及邊緣圖案613(或是其一第一部分613a)可以在一相同的導(dǎo)電層形成操作中(例如，在圖2-圖3K的范例的方法200的步驟210)加以形成。如同在圖13-14中所示，所述連接圖案615(或是其部分)可以水平地延伸在所述中央圖案111與所述邊緣圖案613之間。此還描繪在圖12中。

例如，所述中央圖案111、連接圖案615、以及邊緣圖案613(或是其一第一部分613a)可包括一相同的厚度(例如，在圖13-14中一垂直的厚度)，且/或是由一種相同的材料所做成的。盡管所述中央圖案111、連接圖案615、以及邊緣圖案613(或是其一第一部分613a)在圖13-圖14中為了舉例說明的清楚起見，在此種組件連接之處是以離散的區(qū)段被呈現(xiàn)，但是此種組件可被形成為單一連續(xù)的(或是一體的)部件。

如圖所示，所述邊緣圖案613可以通過所述連接圖案615、中央圖案111、以及導(dǎo)電貫孔112來電耦接至一互連結(jié)構(gòu)150。在一范例的實施方式中，此種互連結(jié)構(gòu)150(或是多個類似連接的互連結(jié)構(gòu)150)可以是接地的，例如用以強(qiáng)化由所述邊緣圖案613所提供的電磁干擾保護(hù)。

另一范例實施方式被展示在圖15-16中。圖15是描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體裝置的橫截面圖。所述范例的半導(dǎo)體裝置700例如可以與在此關(guān)于圖1-圖14所展示及論述的范例的半導(dǎo)體裝置100、200、300、400、500及/或600共享任一個或是所有的特征。圖16是描繪一種制造圖15的范例的半導(dǎo)體裝置700的方法的各種特點的橫截面圖。所述范例的方法例如可以與在此關(guān)于圖2-3所展示及論述的范例的方法200共享任一個或是所有的特征。以下的討論將會主要聚焦在與在此所提出的其它范例實施方式的差異。尤其，以下的討論將會主要聚焦在所述范例的半導(dǎo)體裝置700與在此關(guān)于圖6所展示及論述的范例的半導(dǎo)體裝置300之間、以及在其個別的制造方法之間的差異上。

所述范例的半導(dǎo)體裝置700包括一邊緣圖案713。此種邊緣圖案713例如可以與在此關(guān)于圖6-7所展示及論述的范例的半導(dǎo)體裝置300的邊緣圖案313共享任一個或是所有的特征。例如，如同所述邊緣圖案313，所述邊緣圖案713可包括一被形成在所述鋸開區(qū)域713'中的導(dǎo)電層的在此種區(qū)域于單粒化期間被鋸開之后的剩余物。

所述范例的半導(dǎo)體裝置700亦包括一連接圖案715(或是多個連接圖案715)，其延伸并且電連接在所述中央圖案111與所述邊緣圖案713之間。在一范例的實施方式中，所述中央圖案111、連接圖案715、以及邊緣圖案713(或是其一第一部分)可以在一相同的導(dǎo)電層形成操作中(例如，在圖2-圖3K的范例的方法200的步驟210)加以形成。如同在圖15-圖16中所示，所述連接圖案715(或是其部分)可以水平地延伸在所述中央圖案111與所述邊緣圖案713之間。此還描繪在圖12中。

例如，所述中央圖案111、連接圖案715、以及邊緣圖案713(或是其一第一部分)可包括一相同的厚度(例如，在圖15-圖16中的一垂直的厚度)，且/或是由一相同的材料所做成的。盡管所述中央圖案111、連接圖案715、以及邊緣圖案713(或是其的一第一部分)在圖15-圖16中為了舉例說明的清楚起見，在此種組件連接之處是以離散的區(qū)段被呈現(xiàn)，但是此種組件可被形成為單一連續(xù)的(或是一體的)部件。

如圖所示，所述邊緣圖案713可以通過所述連接圖案715、中央圖案111、以及導(dǎo)電貫孔112來電耦接至一互連結(jié)構(gòu)150。在一范例的實施方式中，此種互連結(jié)構(gòu)150(或是多個類似連接的互連結(jié)構(gòu)150)可以是接地的，例如是用以強(qiáng)化由所述邊緣圖案713所提供的電磁干擾保護(hù)。

另一范例實施方式被展示在圖17-18中。圖17是描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體裝置的橫截面圖。所述范例的半導(dǎo)體裝置800例如可以與在此關(guān)于圖1-圖16所展示及論述的范例的半導(dǎo)體裝置100、200、300、400、500、600及/或700共享任一個或是所有的特征。圖18是描繪一種制造圖17的范例的半導(dǎo)體裝置800的方法的各種特點的橫截面圖。所述范例的方法例如可以與在此關(guān)于圖2-3所展示及論述的范例的方法200共享任一個或是所有的特征。以下的討論將會主要聚焦在與在此所提出的其它范例實施方式的差異。尤其，以下的討論將會主要聚焦在所述范例的半導(dǎo)體裝置800與在此關(guān)于圖8所展示及論述的范例的半導(dǎo)體裝置400之間、以及在其個別的制造方法之間的差異上。

所述范例的半導(dǎo)體裝置800包括一邊緣圖案813。此種邊緣圖案813例如可以與在此關(guān)于圖8-圖9所展示及論述的范例的半導(dǎo)體裝置400的邊緣圖案413共享任一個或是所有的特征。例如，如同所述邊緣圖案413，所述邊緣圖案813可包括一被形成在所述鋸開區(qū)域813'(如同在圖18中所示)中的導(dǎo)電層的在此種區(qū)域于單?；陂g被鋸開之后的剩余物。

所述范例的半導(dǎo)體裝置800還包括一連接圖案815(或是多個連接圖案815)，其延伸并且電連接在所述中央圖案111與所述邊緣圖案813之間。在一范例的實施方式中，所述中央圖案111、連接圖案815、以及邊緣圖案813(或是其一第一部分813a)可以在一相同的導(dǎo)電層形成操作中(例如，在圖2-圖3的范例的方法200的步驟210)加以形成。如同在圖17-18中所示，所述連接圖案815(或是其部分)可以水平地延伸在所述中央圖案111與所述邊緣圖案813之間。此也描繪在圖12中。

例如，所述中央圖案111、連接圖案815、以及邊緣圖案813(或是其一第一部分813a)可包括一相同的厚度(例如，在圖17-圖18中的一垂直的厚度)，且/或是由一相同的材料所做成的。盡管所述中央圖案111、連接圖案815、以及邊緣圖案813(或是其一第一部分813a)在圖17-18中為了舉例說明的清楚起見，在此種組件連接之處是以離散的區(qū)段被呈現(xiàn)，但是此種組件可被形成為單一連續(xù)的(或是一體的)部件。

如圖所示，所述邊緣圖案813可以通過所述連接圖案815、中央圖案111、以及導(dǎo)電貫孔112來電耦接至一互連結(jié)構(gòu)150。在一范例的實施方式中，此種互連結(jié)構(gòu)150(或是多個類似連接的互連結(jié)構(gòu)150)可以是接地的，例如是用以強(qiáng)化由所述邊緣圖案813所提供的電磁干擾保護(hù)。

總之，此實用新型內(nèi)容的各種特點提供一種具有強(qiáng)化的邊緣保護(hù)的薄型半導(dǎo)體裝置、以及一種制造其的方法。例如且在無限制下，此實用新型內(nèi)容的各種特點提供一種包括一具有一邊緣保護(hù)的區(qū)域的基板的薄型半導(dǎo)體裝置、以及一種制造其的方法。盡管先前的內(nèi)容已經(jīng)參考某些特點及例子來加以敘述，但是將會被熟習(xí)此項技術(shù)者理解到可以做成各種的改變，并且等同物可加以取代，而不脫離本揭露內(nèi)容的范疇。此外，可以做成許多修改以將一特定的情況或材料調(diào)適至本揭露內(nèi)容的教示，而不脫離其范疇。因此，所欲的是本實用新型內(nèi)容不受限于所揭露的特定的例子，而是本實用新型內(nèi)容將會包含落入所附的權(quán)利要求書的范疇內(nèi)的所有的例子。