本實用新型涉及石墨烯應(yīng)用領(lǐng)域，更具體說涉及一種新型的集高透明、高導(dǎo)電功能為一體的石墨烯銀納米纖維復(fù)合膜。

背景技術(shù)：

光學(xué)透明和導(dǎo)電的電極被廣泛應(yīng)用于光電器件，如光伏（PV）或太陽能電池，發(fā)光二極管，有機光電探測器和各種顯示裝置。在這些應(yīng)用中，電極材料必須具有非常高的光透過率和低的表面電阻（或高的導(dǎo)電性）。在這些器件中比較常用的透明導(dǎo)電氧化物（TCO）包括（a）銦錫氧化物（ITO），這是用于有機太陽能電池和發(fā)光二極管，和（b）Al摻雜的ZnO，采用非晶硅太陽能電池。有一些材料正在考慮替代這些透明導(dǎo)電氧化物TCO，如單壁碳納米管（CNT），石墨烯與金屬或金屬納米線（NW）。本實用新型的目的就在于克服了現(xiàn)有技術(shù)制備的導(dǎo)電復(fù)合膜所存在的不足之處，提供一種具有高透光率、高導(dǎo)電的復(fù)合膜。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種石墨烯銀納米纖維復(fù)合膜，其制備方便，具有良好的結(jié)構(gòu)完整性、高強度、光電特性好、環(huán)境穩(wěn)定性和表面光潔度高。

為了達(dá)成上述目的，本實用新型的解決方案是：

一種石墨烯銀納米纖維復(fù)合膜，其包括依次層疊的石墨烯層、銀納米纖維層、PET基底層。

進(jìn)一步，石墨烯層厚度為0.335nm～100nm，銀納米纖維層厚度為1nm～100nm，PET基底層厚度為1nm～100nm。

進(jìn)一步，石墨烯層為單層石墨烯制成，厚度為0.335nm～100nm，銀納米導(dǎo)電纖維層厚度20～80nm，PET基底層厚度為1nm～100nm。

采用上述結(jié)構(gòu)后，本實用新型制備的石墨烯薄膜，覆蓋和保護(hù)金屬納米線，本實用新型的石墨烯銀納米纖維復(fù)合膜具有良好的結(jié)構(gòu)完整性、高強度、光電特性好、環(huán)境穩(wěn)定性和表面光潔度高，可適用于光電器件中。

附圖說明

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為了進(jìn)一步解釋本實用新型的技術(shù)方案，下面通過具體實施例來對本實用新型進(jìn)行詳細(xì)闡述。

請參見圖1所示，本實用新型的一種石墨烯銀納米纖維復(fù)合膜包括依次層疊的石墨烯層1、銀納米纖維層2、PET基底層3。其中，石墨烯層1厚度可為0.335nm～100nm，銀納米纖維層厚度可為1nm～100nm，PET基底層厚度可為1nm～100nm。

作為一種優(yōu)選的實施方式，石墨烯層為單層石墨烯制成，厚度為0.335nm～100nm。

作為一種優(yōu)選的實施方式，銀納米導(dǎo)電纖維層厚度20～80nm。

作為一種優(yōu)選的實施方式，PET基底層厚度為1nm～100nm。

本實用新型可采用超聲波噴霧裝置形氣溶膠或霧化法制備石墨烯/納米纖維復(fù)合膜，這種方法本質(zhì)上減少了金屬納米線之間的接觸電阻，和金屬納米線和石墨材料之間的接觸電阻。本實用新型制備的石墨烯薄膜，覆蓋和保護(hù)金屬納米線，本實用新型的石墨烯銀納米纖維復(fù)合膜具有良好的結(jié)構(gòu)完整性、高強度、光電特性好、環(huán)境穩(wěn)定性和表面光潔度高，可適用于光電器件中。

上述實施例僅用來進(jìn)一步說明本實用新型的墨烯納米纖維透明導(dǎo)電復(fù)合膜，但本實用新型并不局限于實施例，凡是依據(jù)本實用新型的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均落入本實用新型技術(shù)方案的保護(hù)范圍內(nèi)。