本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體功率器件，尤其適用于GaN、GaAs、LDMOS等放大器。

背景技術(shù)：

在GaN、GaAs、LDMOS等放大器器件中，要求在滿足源漏擊穿電壓BVdss的前提下，盡可能低降低器件的源漏導(dǎo)通電阻Rds以及柵漏電容Cgd，但是往往會(huì)增加其它的極間電容Cgs和Cds。例如，在射頻LDMOS功率器件中，常采用場(chǎng)板技術(shù)來緩和上述矛盾，如圖1所示，與柵19相鄰的場(chǎng)板21設(shè)置有一肩部，該肩部在漏漂移區(qū)11上向柵19方向延伸，但是延伸的越多（即與柵重疊的越多），雖然可以減少Cgd，但是增加的寄生電容Cgs也會(huì)越多。因此急需解決Cgd與寄生電容Cgs和Cds之間的矛盾。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型目的在于提供一種半導(dǎo)體功率器件，其很好地緩解了柵漏電容Cgd與寄生電容Cgs和Cds之間的矛盾，改善了放大器器件的性能。

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的這些問題，本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案是：

一種半導(dǎo)體功率器件，包括半導(dǎo)體本體，半導(dǎo)體本體包括最下層的半導(dǎo)體襯底區(qū)、設(shè)于半導(dǎo)體襯底區(qū)上的半導(dǎo)體外延層以及最上層的半導(dǎo)體介質(zhì)層，半導(dǎo)體介質(zhì)層內(nèi)設(shè)有源、漏、柵以及從柵向漏漂移區(qū)的水平方向上依次設(shè)置的至少一個(gè)漏極場(chǎng)板，與柵相鄰的第一漏極場(chǎng)板設(shè)置有一肩部，所述肩部在漏漂移區(qū)上向柵方向延伸與柵重疊，所述肩部與柵重疊長(zhǎng)度不大于0.2um，所述柵和肩部上方設(shè)置有柵極場(chǎng)板，所述柵極場(chǎng)板接地。

優(yōu)選的，所述柵極場(chǎng)板與肩部的間距大于肩部與柵的間距。

優(yōu)選的，所述柵極場(chǎng)板的長(zhǎng)度略大于柵的長(zhǎng)度。

優(yōu)選的，所述漏極場(chǎng)板間的水平距離大于零。

相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中的方案，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是：

本實(shí)用新型通過減少場(chǎng)板與柵重疊的尺寸，并且在柵上方設(shè)置柵極場(chǎng)板，這樣可以將Cgd減少30%以上，并且寄生電容Cgs和Cds并不會(huì)明顯增加，可以大大改善放大器器件的性能。

附圖說明

下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述：

圖1為現(xiàn)有LDMOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

其中：1、半導(dǎo)體本體；11、漏漂移區(qū)；12、P型重?fù)诫s襯底區(qū)；13、P型外延層；14、P型摻雜連接或用導(dǎo)電物填充的溝槽；15、P型重?fù)诫s源區(qū)；16、P型摻雜溝道區(qū)；17、N型重?fù)诫s源區(qū)；18、N型重?fù)诫s漏區(qū)；19、柵；110、漏歐姆接觸區(qū)；111、源歐姆接觸區(qū)；21、第一漏極場(chǎng)板；22、第二漏極場(chǎng)板；3、半導(dǎo)體介質(zhì)層；31、第一金屬板；32、第二金屬板；33、第三金屬板；4、柵極場(chǎng)板。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)上述方案做進(jìn)一步說明。應(yīng)理解，這些實(shí)施例是用于說明本實(shí)用新型而不限于限制本實(shí)用新型的范圍。實(shí)施例中采用的實(shí)施條件可以根據(jù)具體廠家的條件做進(jìn)一步調(diào)整，未注明的實(shí)施條件通常為常規(guī)實(shí)驗(yàn)中的條件。

實(shí)施例：

如圖2所示，一種半導(dǎo)體功率器件，包括半導(dǎo)體本體1，半導(dǎo)體本體1包括最下層的半導(dǎo)體襯底區(qū)12、設(shè)于半導(dǎo)體襯底區(qū)12上的半導(dǎo)體外延層13以及最上層的半導(dǎo)體介質(zhì)層3，半導(dǎo)體介質(zhì)層3內(nèi)設(shè)有源、漏、柵19以及從柵19向漏漂移區(qū)的水平方向上依次設(shè)置的至少一個(gè)漏極場(chǎng)板，漏漂移區(qū)設(shè)置在漏與柵19之間，與柵19相鄰的第一漏極場(chǎng)板21設(shè)置有一肩部，肩部在漏漂移區(qū)上向柵19方向延伸與柵19重疊，肩部與柵19重疊長(zhǎng)度不大于0.2um，柵19和肩部上方設(shè)置有柵極場(chǎng)板4，柵極場(chǎng)板4接地。

本實(shí)施例以LDMOS器件為例進(jìn)行具體說明，該結(jié)構(gòu)也可以用于其他放大器件，如，GaN、GaAs等等，原理一致，因此不再另行舉例說明。

本實(shí)用新型的LDMOS器件的結(jié)構(gòu)如圖3所示，其包括半導(dǎo)體本體1，半導(dǎo)體本體1包括最下層的P型重?fù)诫s襯底12、設(shè)于P型重?fù)诫s襯底12上的P型外延層13以及最上層的半導(dǎo)體介質(zhì)層3，P型外延層13與半導(dǎo)體介質(zhì)層3之間形成有P型重?fù)诫s源區(qū)15、P型摻雜溝道區(qū)16、N型摻雜漏漂移區(qū)11和N型重?fù)诫s漏區(qū)18，其中P型重?fù)诫s源區(qū)15和P型摻雜溝道區(qū)16相連的位置上形成有N型重?fù)诫s源區(qū)17。P型重?fù)诫s源區(qū)15和P型重?fù)诫s襯底之間設(shè)置有P型摻雜連接或用導(dǎo)電物填充的溝槽14，這一溝槽14內(nèi)的P型摻雜或者導(dǎo)電物與P形重?fù)诫s襯底相接觸。源歐姆接觸區(qū)111設(shè)于P型重?fù)诫s源區(qū)和N型重?fù)诫s源區(qū)17的上表面，漏歐姆接觸區(qū)110設(shè)于N型重?fù)诫s漏區(qū)18上表面。

半導(dǎo)體介質(zhì)層3內(nèi)設(shè)有沿P型摻雜溝道區(qū)16延伸的柵19以及從柵19向漏漂移區(qū)11的水平方向上依次設(shè)置的二個(gè)漏極場(chǎng)板，依次命名為第一漏極場(chǎng)板21、第二漏極場(chǎng)板22，二個(gè)漏極場(chǎng)板均位于半導(dǎo)體本體的漏漂移區(qū)11的上方，與柵19相鄰的第一漏極場(chǎng)板21設(shè)置有一肩部，該肩部在漏漂移區(qū)上11向柵19方向延伸與柵19重疊，漏歐姆接觸區(qū)110的上方連接金屬板，本實(shí)用新型實(shí)施例中給出了三層堆疊的金屬板，依次為第一金屬板31、第二金屬板32和第三金屬板33。

為了盡可能的減少寄生電容Cgs，第一場(chǎng)板21與柵19重疊部分的尺寸越小越好，在本實(shí)施例中第一場(chǎng)板21的肩部與柵19重疊部分的長(zhǎng)度不大于0.2um。

然而重疊部分的尺寸變小后，電容Cgd會(huì)變大，這是不希望看到的，為了降低Cgd，本實(shí)用新型在柵19和第一漏極場(chǎng)板21的肩部上方設(shè)置有柵極場(chǎng)板4，柵極場(chǎng)板4由導(dǎo)電金屬制成，柵極場(chǎng)板4上設(shè)置有連接位置，通過該連接位置接地，柵極場(chǎng)板4與肩部的間距大于肩部與柵19的間距，一般的，肩部與柵19的間距都小于0.3um，所以，柵極場(chǎng)板4與肩部的間距大于0.3um即可。

優(yōu)選的，柵極場(chǎng)板4的長(zhǎng)度最好略大于柵19的長(zhǎng)度，為了減少寄生電容，柵極場(chǎng)板4的厚度越薄越好。

為了降低柵極場(chǎng)板4的制作成本，柵極場(chǎng)板4與第一金屬板31的制程可以相同，即由一塊金屬板通過光刻蝕的方法制作成柵極場(chǎng)板4與第一金屬板31。

其余與柵19不相鄰的漏極場(chǎng)板（第二漏極場(chǎng)板22）均為水平條狀，第一漏極場(chǎng)板21與第二漏極場(chǎng)板22之間的水平距離均大于零，第二場(chǎng)板22與漏漂移區(qū)11間的距離B大于第一漏極場(chǎng)板21水平延伸部分與漏漂移區(qū)11間的距離A。

另外，柵19與第一漏極場(chǎng)板21，第一漏極場(chǎng)板21與柵極場(chǎng)板4間均沉積由氧化層，如此可進(jìn)一步降低場(chǎng)板所產(chǎn)生的寄生電容（Cds）。

第一漏極場(chǎng)板21、第二漏極場(chǎng)板22可接正負(fù)電壓，也可以接地。而在普通的具有單個(gè)場(chǎng)板的LDMOS器件中，場(chǎng)板一般只接地，而本實(shí)用新型中漏極場(chǎng)板的連接方法更為靈活。

需要注意的是，本實(shí)施方式僅以2個(gè)漏極場(chǎng)板作為舉例加以說明，然而于現(xiàn)實(shí)應(yīng)用中，該漏極場(chǎng)板的數(shù)量可以視應(yīng)用環(huán)境做調(diào)整，一般情況下只要漏極場(chǎng)板數(shù)量大于2塊，且其設(shè)置方式為以水平方向往漂移延伸，在水平方向有一間距，與漂移區(qū)的距離有一高度差。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本實(shí)用新型的上述具體實(shí)施方式僅僅用于示例性說明或解釋本實(shí)用新型的原理，而不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限制。因此，在不偏離本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。此外，本實(shí)用新型所附權(quán)利要求旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求范圍和邊界、或者這種范圍和邊界的等同形式內(nèi)的全部變化和修改例。