本實用新型涉及LED芯片技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種大功率GaN基LED芯片技術(shù)。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(即LED)是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化成光能的一種半導(dǎo)體器件，是新一代光源。LED具有體積小、耗電量低、使用壽命長、發(fā)光效率高、發(fā)熱量低、環(huán)保節(jié)能、堅固耐用等諸多優(yōu)點，應(yīng)用領(lǐng)域十分廣闊。目前，LED已在背光源、交通燈、在屏幕顯示、汽車、裝飾照明等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，并隨著技術(shù)的不斷的發(fā)展與成熟，LED將有望成為第四代照明光源。而氮化鎵(GaN)及其化合物是繼鍺(Ge)、硅(Si)和砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)之后重要的第三代半導(dǎo)體材料，基于GaN基的LED的發(fā)展目前被公認為是光電子科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域的重大成就，是發(fā)展固態(tài)照明、實現(xiàn)人類照明革命性的光源，具有十分廣闊的應(yīng)用前景。

目前，GaN基LED芯片是電光轉(zhuǎn)換效率及出光率還需要進一步提高，如何系統(tǒng)地設(shè)計一個性能良好的大功率LED芯片是一個很有價值的研究課題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決以上的問題，本實用新型提供一種大功率GaN基LED芯片。

本實用新型公開了一種大功率GaN基LED芯片，包括襯底、在所述的襯底上依次設(shè)置N型GaN層、量子阱層、P型GaN層，在所述的P型GaN層上方設(shè)置電流擴散層，在所述的電流擴散層上設(shè)置埋覆層，在所述的埋覆層上方設(shè)置電流阻擋層，在所述的電流阻擋層上方設(shè)置PAD電極。

進一步地，所述的埋覆層為金屬導(dǎo)電薄膜層，厚度為2000A～3000A。

進一步地，所述的電流阻擋層為二氧化硅涂覆層。

實施本實用新型的一種大功率GaN基LED芯片，具有以下有益的技術(shù)效果：

實施本實用新型的技術(shù)方案的一種大功率GaN基LED芯片，提高了LED芯片整體出光效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實用新型的實施例一種大功率GaN基LED芯片的剖面圖；

圖2為本實用新型的實施例一種大功率GaN基LED芯片的PAD電極結(jié)構(gòu)的局部放大圖。

圖3為現(xiàn)有技術(shù)實施例一種大功率GaN基LED芯片的剖面圖

具體實施方式

下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

請參閱圖1、圖2，本實用新型的實施例，一種大功率GaN基LED芯片100，包括襯底8、在襯底8上依次設(shè)置的N型GaN層7、量子阱層6、P型GaN層1，P型GaN層1上方為電流擴散層2，電流擴散層2上設(shè)置埋覆層3，埋覆層3上方設(shè)置電流阻擋層4，在電流阻擋層4上方設(shè)置PAD電極5。

埋覆層3為金屬導(dǎo)電薄膜層，其厚度為2000A～3000A。

電流阻擋層4為二氧化硅涂覆層。

下面進一步說明如下：

請參閱圖3，較之于現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型提出的一種大功率GaN基LED芯片技術(shù)方案，是在晶體表面鍍一層鏡面鋁的薄膜(埋覆層)，然后鋁的薄膜(埋覆層)上加鍍二氧化硅來進行電流阻擋，最后在二氧化硅上做上PAD電極，這樣既能把電極下方的電流擴展開，同時鏡面鋁的薄膜(埋覆層)對發(fā)光形成反射，讓光在電極和晶體表面之間，震蕩后從側(cè)面出光，以提升整體的出光效率。

經(jīng)實踐證實，本實用新型優(yōu)點在于：

在晶體表面鍍一層鏡面鋁的薄膜(埋覆層)，鏡面鋁的薄膜(埋覆層)對發(fā)光形成反射，讓光在PAD電極和晶體表面之間，震蕩后從側(cè)面出光，以提升整體的出光效率。

實施本實用新型的一種大功率GaN基LED芯片，具有以下有益的技術(shù)效果：

實施本實用新型的技術(shù)方案的一種大功率GaN基LED芯片，提高了LED芯片整體出光效率。

以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。