技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，公開了一種GaAs?HBT器件結(jié)構(gòu)，由下至上依次包括：GaAs襯底、N?GaAs集電區(qū)層、N?InGaP集電區(qū)層、空間隔離層、P?GaAs基區(qū)層、N?InGaP發(fā)射區(qū)層、N?GaAs發(fā)射區(qū)層、N+?InZGa1?ZAs帽層，由N?InGaP集電區(qū)層和P?GaAs基區(qū)層形成的第一異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)中間插入有空間隔離層，由P?GaAs基區(qū)層和N?InGaP發(fā)射區(qū)層形成第二異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，在保證電流增益β和提高工藝可靠度的同時(shí)，減小GaAs?HBT開啟電壓Voffset，使單個(gè)HBT器件同時(shí)滿足微波放大器和高速開關(guān)的應(yīng)用成為可能。

技術(shù)研發(fā)人員：陳一峰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：成都海威華芯科技有限公司
文檔號(hào)碼：201720337215
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.31
技術(shù)公布日：2017.10.17