本實(shí)用新型涉及天線結(jié)構(gòu)領(lǐng)域，特別是一種適合于雙頻復(fù)合卡賽格倫（Cassegrain）天線饋源結(jié)構(gòu)及卡塞格倫天線。

背景技術(shù)：

卡賽格倫（Cassegrain）天線是高增益的超高頻天線之一，通常其由三部分組成，即主反射器、副反射器和輻射源（饋源）。其中主反射器為旋轉(zhuǎn)拋物面，副反射面為旋轉(zhuǎn)雙曲面。在結(jié)構(gòu)上，雙曲面的一個(gè)焦點(diǎn)與拋物面的焦點(diǎn)重合，雙曲面焦軸與拋物面的焦軸重合，而輻射源位于雙曲面的另一焦點(diǎn)上，其由副反射器對(duì)輻射源發(fā)出的電磁波進(jìn)行的一次反射，將電磁波反射到主反射器上，然后再經(jīng)主反射器反射后獲得相應(yīng)方向的平面波波束，以實(shí)現(xiàn)定向發(fā)射?？ㄙ惛駛惥哂叙伨€短，饋源靈活，低旁瓣，高分辨率，幅相特性優(yōu)異的特點(diǎn)，因此廣泛應(yīng)用于遠(yuǎn)距離通信和高分辨率雷達(dá)探測(cè)系統(tǒng)中。傳統(tǒng)的卡賽格倫天線只工作在單一頻率，當(dāng)前卡賽格倫天線的饋源結(jié)構(gòu)大多是針對(duì)單一頻率工作模式設(shè)計(jì)，但是當(dāng)要求天線向多功能（一副天線代替多副甚至很多天線、適應(yīng)電磁兼容要求）發(fā)展時(shí)，當(dāng)前的卡賽格倫天線饋源結(jié)構(gòu)就很難實(shí)現(xiàn)相應(yīng)功能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的發(fā)明目的在于：針對(duì)當(dāng)前卡賽格倫天線的饋源結(jié)構(gòu)大多是針對(duì)單一頻率工作模式設(shè)計(jì)的問(wèn)題，提供一種可以工作在雙頻模式下的用于卡賽格倫天線復(fù)合饋源結(jié)構(gòu)。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為：

一種雙頻復(fù)合卡賽格倫天線饋源結(jié)構(gòu)，包括圍繞一虛軸均勻設(shè)置的至少兩個(gè)低頻饋源，及，沿該虛軸均勻設(shè)置的至少兩個(gè)高頻饋源；

所述高頻饋源被所述低頻饋源包圍設(shè)置。

優(yōu)選的，所述低頻饋源、高頻饋源數(shù)量相同或不同。如所述低頻饋源為兩個(gè)、三個(gè)、四個(gè)，甚至八個(gè)。

優(yōu)選的，所述低頻饋源頂端為向虛軸傾斜的斜面。

優(yōu)選的，所述斜面的傾斜角度為0度~80度。

優(yōu)選的，所述低頻饋源截面為規(guī)則多邊形，或，為具有特定弧度的圓環(huán)。

一些實(shí)施例中，所述低頻饋源在靠近虛軸的部分留有設(shè)置高頻饋源的凹陷口。

優(yōu)選的，所述高頻饋源包括介質(zhì)部、波導(dǎo)部以及過(guò)渡部。

優(yōu)選的，所述過(guò)渡部為階梯型或圓錐形漸變結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的，所述介質(zhì)部材料為聚四氟乙烯、陶瓷、硫化鋅、石英或其他常見(jiàn)天線介質(zhì)材料。

優(yōu)選的，所述低頻饋源和高頻饋源的底端采用波導(dǎo)法蘭盤與相應(yīng)收發(fā)支路連接。

本發(fā)明同時(shí)提供一種雙頻復(fù)合卡賽格倫天線，所述天線的饋源采用如上所述的饋源結(jié)構(gòu)，天線中，所述饋源結(jié)構(gòu)中的虛軸為主反射面及副反射面的焦軸。

綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型提供了一種用于卡賽格倫天線的雙頻饋源結(jié)構(gòu)，其通過(guò)沿一虛軸同時(shí)均勻設(shè)置高頻饋源和低頻饋源，可以使得應(yīng)用本結(jié)構(gòu)的卡賽格倫天線同時(shí)可以具有高頻、低頻的信號(hào)收發(fā)功能。

附圖說(shuō)明

圖1a是本實(shí)用新型一具體實(shí)施例中饋源結(jié)構(gòu)截面示意圖。

圖1b是本實(shí)用新型另一具體實(shí)施例中饋源結(jié)構(gòu)截面示意圖。

圖1c是本實(shí)用新型又一具體實(shí)施例中饋源結(jié)構(gòu)截面示意圖。

圖2為本實(shí)用新型具體實(shí)施例中高頻饋源結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本實(shí)用新型具體實(shí)施例中低頻饋源結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本實(shí)用新型中提供的天線示意圖。

圖中標(biāo)記：1-副反射面，2-主反射面，3-高頻饋源，311-介質(zhì)部，312-波導(dǎo)部，313-過(guò)渡部，314、412-波導(dǎo)法蘭盤，4-低頻饋源，411-低頻饋源本體。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作詳細(xì)的說(shuō)明。

為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

實(shí)施例1：如圖1c、圖2、圖3所示，本實(shí)施例提供一種用于雙頻復(fù)合卡賽格倫天線饋源結(jié)構(gòu)，其包括圍繞一虛軸均勻設(shè)置的四個(gè)低頻饋源4，及，沿該虛軸均勻設(shè)置的四個(gè)高頻饋源3；高頻饋源3被低頻饋源4包圍設(shè)置，同時(shí)高頻饋源3和低頻饋源4均獨(dú)立工作，通過(guò)與后端獨(dú)立的高頻、低頻收發(fā)支路對(duì)應(yīng)連接形成相應(yīng)的和差波束，實(shí)現(xiàn)對(duì)目標(biāo)的探測(cè)追蹤。

實(shí)際應(yīng)用中，低頻饋源4、高頻饋源3數(shù)量可以相同或不同。比如低頻饋源4數(shù)量可以是兩個(gè)、三個(gè)、四個(gè)，甚至八個(gè)，而同時(shí)，其高頻饋源3的數(shù)量可以是四個(gè)或者五個(gè)，或者其他數(shù)量；同時(shí)，低頻饋源4截面（具體的是低頻饋源本體411的截面）可以是規(guī)則多邊形，比如正方形、矩形、三角形、菱形，也可以是如圖1a所示的具有特定弧度的圓環(huán)，圖1a、圖1b及圖1c分別給出了不同饋源結(jié)構(gòu)的截面圖。

由于在卡賽格倫天線中，饋源總是設(shè)置在負(fù)反射面1的虛焦點(diǎn)位置（即相位中心），而要想天線系統(tǒng)達(dá)到最佳增益，副反射面1邊緣要有一定的照射錐削，就需要使用高方向性饋源，讓主瓣能量均勻照射到副反射面1上，經(jīng)過(guò)二次輻射，通過(guò)主反射面2（拋物線面）以平面波的形式輻射到自由空間中，滿足最佳增益時(shí)的幾何光路，使能量得到最大程度的利用。為了滿足系統(tǒng)要求，本實(shí)施例中高頻饋源3選擇低副瓣、高增益、良好的方向圖等化性的介質(zhì)棒天線作為饋源，具體應(yīng)用中，高頻饋源3包括介質(zhì)部311、波導(dǎo)部312以及過(guò)渡部313，而過(guò)渡部313可以為階梯型或圓錐形漸變結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例中，介質(zhì)材料可以選擇聚四氟乙烯，以增加單元天線增益，減小波束寬度，當(dāng)然該介質(zhì)材料也可以是聚四氟乙烯、陶瓷、硫化鋅、石英或其他常見(jiàn)天線介質(zhì)材料。

考慮到兩種饋源的復(fù)合形式，高頻饋源3和低頻饋源4相互之間需形成最小干擾，避免外圍低頻饋源影響內(nèi)圍高頻饋源3；同時(shí)，由于受到系統(tǒng)尺寸的限制，應(yīng)用本饋源結(jié)構(gòu)時(shí)，天線的主反射面2和副反射面1尺寸均優(yōu)選采用高頻段設(shè)計(jì)，而此時(shí)，對(duì)于低頻段的饋源來(lái)說(shuō)，副反射面1的尺寸會(huì)略顯小，從而會(huì)產(chǎn)生繞射，但是若增大副反射面1尺寸則會(huì)使得副反的遮擋變大，從而影響整個(gè)天線系統(tǒng)的效率和增益，因而在本實(shí)施例中低頻饋源4采用斜切面的喇叭天線形式，即，低頻饋源頂端4為向虛軸傾斜的斜面。具體的，所述斜面的傾斜角度可以設(shè)置在0度~80度之間的任意值,比如10度、25度，45度、60度、75度、80度，其中優(yōu)選采用45度。這種結(jié)構(gòu)形式能有效避免由于失焦引起的能量繞射，使饋源能量集中照向副反射面1上，從而可以使得采用具有斜面頂端的饋源結(jié)構(gòu)的卡賽格倫天線的副反射面1可以相對(duì)于采用不具有斜面頂端的饋源結(jié)構(gòu)的卡賽格倫天線的負(fù)反射面1更小。

為了進(jìn)一步的縮小饋源截面積，在一些實(shí)施例中，如圖1c所示，低頻饋源4在靠近虛軸的部分留有設(shè)置高頻饋源3的凹陷口，而高頻饋源3設(shè)置在該凹陷口內(nèi)使得該結(jié)構(gòu)與圖1b所示的實(shí)施例相比，結(jié)構(gòu)更加緊湊。

同時(shí)，低頻饋源4和高頻饋源3的底端選擇采用波導(dǎo)法蘭盤（314、412）與相應(yīng)收發(fā)支路連接，具體的，各個(gè)饋源可以采用單獨(dú)的波導(dǎo)法蘭盤與對(duì)應(yīng)低頻收發(fā)支路連接，也可以如圖2、圖3所示，低頻饋源和高頻饋源均各自采用一個(gè)統(tǒng)一的波導(dǎo)法蘭盤314、412與對(duì)應(yīng)低頻或高頻收發(fā)支路連接。

實(shí)施例2：如圖4所示，本實(shí)施例提供一種應(yīng)用了實(shí)施例1所提供的饋源結(jié)構(gòu)的雙頻復(fù)合卡賽格倫天線，所述天線的饋源采用如上所述的饋源結(jié)構(gòu)，天線中，所述饋源結(jié)構(gòu)中的虛軸為主反射面2及副反射面1的焦軸。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。