本公開涉及光發(fā)射器，更詳細(xì)而言，涉及在inp基板上集成了電場吸收型(ea)光調(diào)制器的半導(dǎo)體激光器元件。更詳細(xì)而言，涉及由ea調(diào)制器和半導(dǎo)體光放大器(soa)以及分布反饋型(dfb)激光器構(gòu)成的光發(fā)射器。

背景技術(shù)：

1、隨著近年的視頻分發(fā)服務(wù)的普及、移動流量需求的增大，網(wǎng)絡(luò)流量爆發(fā)性地增大。在承擔(dān)網(wǎng)絡(luò)的光傳輸線路中，通過傳輸速率的高速化、低耗電化、傳輸距離的延長化而實(shí)現(xiàn)的網(wǎng)絡(luò)的低成本化成為趨勢。對于網(wǎng)絡(luò)內(nèi)使用的半導(dǎo)體調(diào)制光源而言，也要求在抑制過剩的功耗增大的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)高速化/高輸出化。

2、電場吸收型調(diào)制器集成型dfb(eadfb)激光器與直接調(diào)制型的激光器相比，具有較高的消光特性和優(yōu)異的啁啾(chirp)特性，因此到目前為止在廣泛的用途中被使用。

3、而且提出了集成了半導(dǎo)體光放大器(soa)的eadfb激光器(soa?assistedextended?reach?eadfb?laser：axel)(例如，參照非專利文獻(xiàn)1)。axel可以用作光通信中的光發(fā)射器。

4、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

5、非專利文獻(xiàn)

6、非專利文獻(xiàn)1：w?kobayashi?et?al.,“novel?approach?for?chirp?and?outputpower?compensation?applied?to?a?40-gbit/s?eadfb?laser?integrated?with?a?shortsoa,”opt.express,vol.23,no.7,pp.9533-9542,apr.2015

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、期望提高axel的制造穩(wěn)定性和在形成有axel的半導(dǎo)體芯片的端面處的充分的反射抑制效果。

2、本公開是鑒于這樣的情況而完成的，其目的在于提供一種制造穩(wěn)定性和反射抑制效果高的光發(fā)射器。

3、為了達(dá)成這樣的目的，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的光發(fā)射器，其是在一個(gè)基板上單片集成有如下構(gòu)件的光發(fā)射器：分布反饋型(dfb)激光器，具有由通過電流注入產(chǎn)生光增益的多量子阱形成的活性區(qū)域和衍射光柵；電場吸收型(ea)調(diào)制器，具有由與dfb激光器不同組成的多量子阱形成的吸收區(qū)域；半導(dǎo)體放大器(soa)，具有與dfb激光器相同組成的活性區(qū)域；彎曲波導(dǎo)，使光的傳輸方向旋轉(zhuǎn)角度θwg；以及無源波導(dǎo)，連接于soa，且具備具有比dfb激光器的振蕩波長短的帶隙波長的芯，其中，無源波導(dǎo)包括錐形區(qū)域和窄波導(dǎo)區(qū)域，錐形區(qū)域構(gòu)成為將連接于soa的無源波導(dǎo)的寬度w1轉(zhuǎn)換為窄波導(dǎo)區(qū)域的寬度w2，無源波導(dǎo)與基板的端面的法線成角度θwg，且與基板的端面相接。

4、如上所述，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，能提供制造穩(wěn)定性和反射抑制效果高的光發(fā)射器。

技術(shù)特征：

1.一種光發(fā)射器，其是在一個(gè)基板上單片集成有如下構(gòu)件的光發(fā)射器：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光發(fā)射器，還具備：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光發(fā)射器，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光發(fā)射器，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光發(fā)射器，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光發(fā)射器，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光發(fā)射器，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光發(fā)射器，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光發(fā)射器，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光發(fā)射器，其中，

技術(shù)總結(jié)
提供一種制造穩(wěn)定性和反射抑制效果高的光發(fā)射器。光發(fā)射器在一個(gè)基板上單片集成有如下構(gòu)件：分布反饋型(DFB)激光器，具有由通過電流注入產(chǎn)生光增益的多量子阱形成的活性區(qū)域和衍射光柵；電場吸收型(EA)調(diào)制器，具有由與DFB激光器不同組成的多量子阱形成的吸收區(qū)域；半導(dǎo)體放大器(SOA)，具有與DFB激光器相同組成的活性區(qū)域；彎曲波導(dǎo)，使光的傳輸方向旋轉(zhuǎn)角度θwg；以及無源波導(dǎo)，連接于SOA，且具備具有比DFB激光器的振蕩波長短的帶隙波長的芯。無源波導(dǎo)包括錐形區(qū)域和窄波導(dǎo)區(qū)域。錐形區(qū)域構(gòu)成為將連接于SOA的無源波導(dǎo)的寬度W1轉(zhuǎn)換為窄波導(dǎo)區(qū)域的寬度W2，無源波導(dǎo)與基板的端面的法線成角度θwg，且與基板的端面相接。

技術(shù)研發(fā)人員：進(jìn)藤隆彥,金澤慈,陳明晨
受保護(hù)的技術(shù)使用者：日本電信電話株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2