技術(shù)特征：

1.一種半導體器件(100)，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體器件(100)，其中

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體器件(100)，其中

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體器件(100)，所述半導體器件(100)還包括：

6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的半導體器件(100)，其中

7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的半導體器件(100)，其中

8.根據(jù)從屬于權(quán)利要求4的權(quán)利要求7所述的半導體器件(100)，其中

9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的半導體器件(100)，其中

10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的半導體器件(100)，其中

11.根據(jù)權(quán)利要求2或從屬于權(quán)利要求2的權(quán)利要求3至10中任一項所述的半導體器件(100)，還包括：

12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的半導體器件(100)，其中

13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的半導體器件(100)，所述半導體器件(100)包括：

14.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的半導體器件(100)，其中

15.一種用于制造半導體器件(100)的方法，所述方法包括：

技術(shù)總結(jié)
半導體器件(100)包括具有頂側(cè)(10)的半導體器件主體(1)、在頂側(cè)上的主電極(2)和柵電極(3)。半導體主體包括第一導電類型的漂移層(11)、第二導電類型的第一基區(qū)(12)、第一導電類型的第二基區(qū)(13)、第一導電類型的第一接觸區(qū)(14)和第二導電類型的第二接觸區(qū)(15)。第二基區(qū)具有比漂移層更大的摻雜濃度。第一接觸區(qū)鄰接第一基區(qū)和頂側(cè)。第二接觸區(qū)鄰接第二基區(qū)和頂側(cè)。主電極與第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)電接觸。在第一橫向方向上，柵電極的至少一部分布置在第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)之間。在關(guān)斷的情況下，在第二基區(qū)(13)中誘導空穴反轉(zhuǎn)溝道以提取空穴。

技術(shù)研發(fā)人員：G·古普塔
受保護的技術(shù)使用者：日立能源有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2