本發(fā)明涉及晶硅太陽能電池制造，特別是涉及一種ibc電池及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、交叉指式背接觸(interdigitated?back?contact，ibc)電池，為將p/n結(jié)、基底與發(fā)射區(qū)的接觸電極以交指形狀做在電池背面的新型電池，其核心技術(shù)為在電池背面制備出質(zhì)量較好、成叉指狀間隔排列的p區(qū)和n區(qū)。

2、現(xiàn)有ibc電池發(fā)射極接觸電阻較大，導(dǎo)致電池的開路電壓值較低，電池的光電轉(zhuǎn)換效率不佳。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種ibc電池及其制備方法，以解決現(xiàn)有ibc電池的開路電壓值較低、光電轉(zhuǎn)換效率不佳的問題。

2、為了解決上述問題，本發(fā)明是通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

3、本發(fā)明提出了一種ibc電池的制備方法，其中，包括：

4、對(duì)硅片背面進(jìn)行擴(kuò)散摻雜處理；

5、在背面進(jìn)行擴(kuò)散摻雜處理后，對(duì)所述硅片的背面第一區(qū)域進(jìn)行激光摻雜處理，所述第一區(qū)域用于與第一柵線接觸；

6、對(duì)經(jīng)激光摻雜處理的硅片背面第二區(qū)域進(jìn)行開槽處理，形成叉指狀間隔排列的n型摻雜區(qū)域和p型摻雜區(qū)域，所述第二區(qū)域與所述第一區(qū)域不同；

7、在開槽處理后，在硅片雙面形成鈍化膜層及減反射膜層；

8、在形成所述減反射膜層后，在所述硅片背面形成與所述第一區(qū)域接觸的第一柵線，以及與所述第二區(qū)域接觸的第二柵線，制得ibc電池。

9、進(jìn)一步地，所述的制備方法中，所述激光摻雜處理的激光波長為330～380nm、脈沖長度為10～30ns、功率為550～650瓦。

10、進(jìn)一步地，所述的制備方法中，在對(duì)經(jīng)激光摻雜處理的硅片背面第二區(qū)域進(jìn)行開槽處理之前，所述方法還包括：

11、對(duì)經(jīng)激光摻雜處理的硅片進(jìn)行氧化退火處理。

12、進(jìn)一步地，所述的制備方法中，所述氧化退火處理的氧化溫度為950～1050℃、時(shí)間為60～80分鐘、氧氣流量為19000～21000sccm。

13、進(jìn)一步地，所述的制備方法中，所述鈍化層為氧化鋁層，所述減反射膜層為氮化硅層。

14、進(jìn)一步地，所述的制備方法中，在對(duì)硅片背面進(jìn)行擴(kuò)散摻雜處理之前，所述方法還包括：

15、對(duì)所述硅片進(jìn)行堿拋處理；

16、在硅片雙面形成鈍化膜層及減反射膜層之前，所述方法還包括：

17、對(duì)開槽處理后的硅片進(jìn)行鏈?zhǔn)剿嵯醇爸平q處理。

18、進(jìn)一步地，所述的制備方法中，在對(duì)硅片背面進(jìn)行擴(kuò)散摻雜處理之前，所述方法還包括：

19、對(duì)所述硅片進(jìn)行制絨處理；

20、在硅片雙面形成鈍化膜層及減反射膜層之前，所述方法還包括：

21、對(duì)激光開槽后的硅片進(jìn)行鏈?zhǔn)剿嵯醇皦A拋處理。

22、進(jìn)一步地，所述的制備方法中，對(duì)硅片背面進(jìn)行擴(kuò)散摻雜處理，包括：

23、對(duì)n型硅片背面進(jìn)行硼擴(kuò)散摻雜處理；

24、或者

25、對(duì)p型硅片背面進(jìn)行磷擴(kuò)散摻雜處理。

26、進(jìn)一步地，所述的制備方法中，激光摻雜處理后的硅片方阻為40～80歐姆。

27、本發(fā)明還提出了一種ibc電池，其中，由上述的方法制備得到。

28、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例包括以下優(yōu)點(diǎn)：

29、本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)硅片背面進(jìn)行擴(kuò)散摻雜處理；在背面進(jìn)行擴(kuò)散摻雜處理后，對(duì)硅片的背面第一區(qū)域進(jìn)行激光摻雜處理，第一區(qū)域用于與第一柵線接觸；對(duì)經(jīng)激光摻雜處理的硅片背面第二區(qū)域進(jìn)行開槽處理，形成叉指狀間隔排列的n型摻雜區(qū)域和p型摻雜區(qū)域，第二區(qū)域與所述第一區(qū)域不同；在開槽處理后，在硅片雙面形成鈍化膜層及減反射膜層；在形成減反射膜層后，在硅片背面形成與第一區(qū)域接觸的第一柵線，以及與第二區(qū)域接觸的第二柵線，制得ibc電池。通過對(duì)經(jīng)擴(kuò)散摻雜處理的硅片背面與第一柵線接觸的第一區(qū)域進(jìn)行激光摻雜處理，可以對(duì)該第一區(qū)域進(jìn)行高濃度摻雜，而在光吸收區(qū)域進(jìn)行低濃度輕摻雜，實(shí)現(xiàn)在輕摻雜區(qū)和高摻雜區(qū)的交界處獲得1個(gè)橫向n+/n高低結(jié)或p+/p高低結(jié)，而在電極柵線下獲得1個(gè)n+/p結(jié)或p+/n結(jié)，可以降低發(fā)射極接觸電阻和發(fā)射區(qū)暗飽和電流，提升填充因子、短路電流和開路電壓，從而提高電池的轉(zhuǎn)換效率，因而解決了現(xiàn)有ibc電池的開路電壓值較低、光電轉(zhuǎn)換效率不佳的問題。

30、應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本申請(qǐng)。

技術(shù)特征：

1.一種ibc電池的制備方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述激光摻雜處理的激光波長為330～380nm、脈沖長度為10～30ns、功率為550～650瓦。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在對(duì)經(jīng)激光摻雜處理的硅片背面第二區(qū)域進(jìn)行開槽處理之前，所述方法還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述氧化退火處理的氧化溫度為950～1050℃、時(shí)間為60～80分鐘、氧氣流量為19000～21000sccm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述鈍化層為氧化鋁層，所述減反射膜層為氮化硅層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在對(duì)硅片背面進(jìn)行擴(kuò)散摻雜處理之前，所述方法還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在對(duì)硅片背面進(jìn)行擴(kuò)散摻雜處理之前，所述方法還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，對(duì)硅片背面進(jìn)行擴(kuò)散摻雜處理，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，激光摻雜處理后的硅片方阻為40～80歐姆。

10.一種ibc電池，其特征在于，由權(quán)利要求1～9中所述的方法制備得到。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種IBC電池及其制備方法，其中，本發(fā)明實(shí)施例通過對(duì)經(jīng)擴(kuò)散摻雜處理的硅片背面與第一柵線接觸的第一區(qū)域進(jìn)行激光摻雜處理，可以對(duì)該第一區(qū)域進(jìn)行高濃度摻雜，而在光吸收區(qū)域進(jìn)行低濃度輕摻雜，實(shí)現(xiàn)在輕摻雜區(qū)和高摻雜區(qū)的交界處獲得1個(gè)橫向n+/n高低結(jié)或p+/p高低結(jié)，而在電極柵線下獲得1個(gè)n+/p結(jié)或p+/n結(jié)，可以降低發(fā)射極接觸電阻和發(fā)射區(qū)暗飽和電流，提升填充因子、短路電流和開路電壓，從而提高電池的轉(zhuǎn)換效率，因而解決了現(xiàn)有IBC電池的開路電壓值較低、光電轉(zhuǎn)換效率不佳的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：舒華富,王建明,李家棟,張敏,章康平,介雷,周小寶,劉汪利,胥星星,劉駿,孫亞楠,姚川朋,蔡敬國,劉培培,周錦鳳,鄭勝,石劍,馮維敏,沈杰,周雯,張尋尋,劉凱,吳菲菲,陳正方
受保護(hù)的技術(shù)使用者：一道新能源科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23