本發(fā)明涉及復合材料，尤其涉及一種電磁波吸收材料及其制備方法。

背景技術：

1、石墨烯被認為是一種典型的二維層狀材料，由于優(yōu)良的物理和化學性質，使其成為理想的輕量級電磁波(emw)吸收體。盡管設計不同類別的石墨烯基復合電磁波吸波體已經相當成熟，但其高昂的價格使它的應用受限，亟待開發(fā)實用的吸收劑以解決日益嚴峻的電磁污染問題。在可替代的二維材料候選中，作為過渡金屬硫化物(tmds)的典型代表，mos2的層狀結構因其許多有趣的特性而被大量研究。2015年，ning等首次報道了水熱法制備的mos2納米片的電磁波吸收特性。隨后，一些mos2基復合吸收劑被陸續(xù)報道，包括mos2和半導體材料、導電材料以及鐵磁性材料的復合。良好的介電損耗能力和阻抗匹配特性使mos2被視作一種新型的電磁波吸收劑。

2、由于過渡金屬元素和硫族元素之間的配位模式不同，tmds通常有多種存在形成，對于mos2來說，在結構上通常呈現(xiàn)兩相，即具有六角形配位的2h相和具有八面體配位的1t相，這取決于mo原子周圍的6個s原子位置。材料的晶體相結構在決定其物理、化學和電子性能方面起著至關重要的作用，因此可以通過操縱mos2的晶體結構來調整其固有特性。2h-mos2的活性點位僅在邊緣處，因此電子傳輸特性較差，這限制了其在催化和電化學領域的應用，幸運的是這些問題可以通過將其轉化為1t相得到解決。1t-mos2具有優(yōu)異的電子、光學和機械性能。通過精確剪裁1t-mos2納米片的尺寸，以及合理組合1t-mos2納米片和其他功能材料，可以得到獨特晶相結構的新型界面材料。考慮到1t相的優(yōu)越性能，mos2的相調控有望成為一種有效提高電磁波吸收性能的方法。

3、由于1t-mos2的亞穩(wěn)定性，一般在自然界中很難獲得，因此很多研究致力于2h-mos2定向調控生成1t-mos2技術，包括元素摻雜，溫度調控，壓力調控，應力調控，等離子/電子轟擊誘導，氣體分子誘導等。雖然取得了較大的成效，然而在眾多用以改善mos2中1t相的比例方法中，存在著成本高，操作步驟復雜等問題。此外，由于范德華力的存在，層狀mos2易團聚堆疊，導致較大的死體積，會限制電磁波的響應。

4、因此，如何提供一種成本低、制備方法簡單且電磁波吸收性能優(yōu)異的電磁波吸收材料成為了本領域技術人員亟需解決的問題。

技術實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本發(fā)明提供了一種電磁波吸收材料及其制備方法，其目的是解決現(xiàn)有1t-mos2材料的制備方法復雜、成本高且電磁波吸收性能差的技術問題。

2、為了達到上述目的，本發(fā)明采用如下技術方案：

3、本發(fā)明提供了一種電磁波吸收材料的制備方法，包括以下步驟：

4、將cu2o粉末、鉬酸銨、硫脲和水混合后進行反應即得電磁波吸收材料。

5、進一步的，所述cu2o粉末與鉬酸銨的摩爾比為3～4：0.25～1。

6、進一步的，所述鉬酸銨和硫脲的mo/s摩爾比為1：2～8。

7、進一步的，所述鉬酸銨與水的摩爾體積比為0.25～1mmol：100～200ml。

8、進一步的，所述反應的溫度為160～240℃，反應的時間為20～30h。

9、本發(fā)明還提供了上述制備方法所制備的電磁波吸收材料。

10、經由上述的技術方案可知，與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果如下：

11、本發(fā)明制備的電磁波吸收材料，是采用簡單的水熱法制備的mos2包覆空心cu9s5立方體的核殼復合結構，是在酸環(huán)境中，大量的nh4+插入至mos2層間，使其具有高1-t相占比。此外，將mos2納米片的自模板生長機制應用于cu2-xs空心盒子表面負載，避免了mos2的過渡團聚問題；

12、由于空心結構的優(yōu)良特性，在較低的質量填充濃度下即可形成導電網絡，再加之偶極子極化和界面極化等多個介電損耗機制，使得本發(fā)明所制備的電磁波吸收材料具有優(yōu)良的電磁波吸收特性。

技術特征：

1.一種電磁波吸收材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述鉬酸銨和硫脲的mo/s摩爾比為1：2～8。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述鉬酸銨與水的摩爾體積比為0.25～1mmol：100～200ml。

4.根據權利要求1或3所述的制備方法，其特征在于，所述反應的溫度為160～240℃，反應的時間為20～30h。

5.權利要求1～4任一項制備方法所制備的電磁波吸收材料。

技術總結
本發(fā)明屬于復合材料技術領域，本發(fā)明提供了一種電磁波吸收材料及其制備方法。該方法包括以下步驟：將Cu<subgt;2</subgt;O粉末、鉬酸銨、硫脲和水混合后進行反應即得電磁波吸收材料。在本發(fā)明中，利用堿離子插層的原理，通過簡單的水熱法制備出了一種高1T相占比的電磁波吸收材料，將MoS<subgt;2</subgt;納米片的自模板生長機制應用于Cu<subgt;2?x</subgt;S空心盒子表面負載，避免了MoS<subgt;2</subgt;的過渡團聚問題。本發(fā)明制備的電磁波吸收材料具有良好的介電損耗和阻抗性能，是一種優(yōu)異的輕量級電磁波吸收體。

技術研發(fā)人員：魏世丞,黃威,王博,王玉江,梁義
受保護的技術使用者：中國人民解放軍陸軍裝甲兵學院
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/26