本發(fā)明涉及太陽能電池，特別是涉及一種n型晶硅電池的缺陷修復(fù)方法及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、近些年來，隨著n型硅片高少子壽命、對金屬污染容忍度高、無光致硼氧衰減等優(yōu)點(diǎn)，越來越多電池廠商選擇在n型基底上制備高效的晶硅電池，例如topcon電池、hjt電池、n型bc電池等。

2、然而，在lpcvd路線下的n型晶硅電池雖然轉(zhuǎn)化效率相對p型高，但是良率卻較perc技術(shù)低，主要原因在于類交叉隱裂等缺陷問題?，F(xiàn)有研究表明，產(chǎn)生類交叉隱裂缺陷的主要原因在于硼擴(kuò)前硅片上吸附了粉塵顆粒，但是，現(xiàn)有工廠已經(jīng)無法滿足更高潔凈度的要求，從而在制備n型晶硅電池的過程中難以避免出現(xiàn)類交叉隱裂的缺陷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此，有必要針對上述問題，提供一種n型晶硅電池的缺陷修復(fù)方法及其制備方法，所述n型晶硅電池缺陷修復(fù)方法能夠針對性地修復(fù)n型晶硅電池的類交叉隱裂缺陷，且修復(fù)方法簡單、高效，能夠有效提高良率。

2、一種n型晶硅電池的缺陷修復(fù)方法，包括以下步驟：

3、對n型晶硅電池片進(jìn)行檢測，篩選出具有類交叉隱裂的缺陷電池片；

4、將所述缺陷電池片進(jìn)行預(yù)升溫處理，所述預(yù)升溫處理溫度為270℃～310℃，保溫時間為330s～430s；

5、進(jìn)行電注入處理，所述電注入處理溫度為270℃～310℃，保溫時間為2640s～3440s，電注入電流為10a～12a；

6、冷卻后完成修復(fù)。

7、在其中一個實(shí)施例中，所述預(yù)升溫處理與所述電注入處理的步驟均在盒式堆疊裝置中進(jìn)行。

8、在其中一個實(shí)施例中，所述盒式堆疊裝置至少包括n個工位，n≥2，所述預(yù)升溫處理的步驟在所述盒式堆疊裝置的第1工位上進(jìn)行，所述電注入處理的步驟在所述盒式堆疊裝置的第2～n工位上連續(xù)進(jìn)行。

9、在其中一個實(shí)施例中，所述盒式堆疊裝置至少包括9個工位，所述預(yù)升溫處理的步驟在所述盒式堆疊裝置的第1工位上進(jìn)行，所述電注入處理的步驟在所述盒式堆疊裝置的第2～9工位上連續(xù)進(jìn)行。

10、在其中一個實(shí)施例中，所述預(yù)升溫處理和所述電注入處理的步驟中，所述盒式堆疊裝置中上電極的溫度小于或等于下電極的溫度。

11、在其中一個實(shí)施例中，所述預(yù)升溫處理的步驟中，所述上電極的溫度為270℃～290℃，所述下電極的溫度為290℃～310℃；

12、及/或，所述電注入處理的步驟中，所述上電極的溫度為270℃～290℃，所述下電極的溫度為290℃～310℃。

13、在其中一個實(shí)施例中，所述電注入處理的步驟在所述盒式堆疊裝置的第2～n工位上連續(xù)進(jìn)行，且每個工位的電注入電流相同。

14、在其中一個實(shí)施例中，所述電注入處理的步驟在所述盒式堆疊裝置的第2～n工位上連續(xù)進(jìn)行，且每個工位的保溫時間相同。

15、一種n型晶硅電池的制備方法，包括以下步驟：

16、制備n型晶硅電池；

17、按照所述的缺陷修復(fù)方法對具有類交叉隱裂的缺陷電池片進(jìn)行缺陷修復(fù)。

18、在其中一個實(shí)施例中，所述n型晶硅電池選自n型topcon電池。

19、本發(fā)明提供的n型晶硅電池的缺陷修復(fù)方法，在制備n型晶硅電池片之后，通過測試將有類交叉隱裂的缺陷電池片篩選出來，先通過預(yù)升溫處理使得缺陷電池片表面的氮化硅中的氫處于相對活躍的狀態(tài)，便于鈍化的加強(qiáng)，然后通過持續(xù)的加熱和電流注入，使得氮化硅及氧化鋁中不同價態(tài)的h對缺陷電池片中類交叉隱裂的分支進(jìn)行修復(fù)，從而能夠針對性地修復(fù)類交叉隱裂缺陷。

20、因此，在目前工廠潔凈度達(dá)不到更高要求的情況下，只需要在n型晶硅電池片的原有制備工藝基礎(chǔ)上，再增加一步電注入處理即可對類交叉隱裂缺陷進(jìn)行針對性修復(fù)，從而能夠有效提高n型晶硅電池的良率，且修復(fù)方法簡單，效率高。

技術(shù)特征：

1.一種n型晶硅電池的缺陷修復(fù)方法，其特征在于，包括以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的n型晶硅電池的缺陷修復(fù)方法，其特征在于，所述預(yù)升溫處理與所述電注入處理的步驟均在盒式堆疊裝置中進(jìn)行。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的n型晶硅電池的缺陷修復(fù)方法，其特征在于，所述盒式堆疊裝置至少包括n個工位，n≥2，所述預(yù)升溫處理的步驟在所述盒式堆疊裝置的第1工位上進(jìn)行，所述電注入處理的步驟在所述盒式堆疊裝置的第2～n工位上連續(xù)進(jìn)行。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的n型晶硅電池的缺陷修復(fù)方法，其特征在于，所述盒式堆疊裝置至少包括9個工位，所述預(yù)升溫處理的步驟在所述盒式堆疊裝置的第1工位上進(jìn)行，所述電注入處理的步驟在所述盒式堆疊裝置的第2～9工位上連續(xù)進(jìn)行。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的n型晶硅電池的缺陷修復(fù)方法，其特征在于，所述預(yù)升溫處理和所述電注入處理的步驟中，所述盒式堆疊裝置中上電極的溫度小于或等于下電極的溫度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的n型晶硅電池的缺陷修復(fù)方法，其特征在于，所述預(yù)升溫處理的步驟中，所述上電極的溫度為270℃～290℃，所述下電極的溫度為290℃～310℃；

7.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的n型晶硅電池的缺陷修復(fù)方法，其特征在于，所述電注入處理的步驟在所述盒式堆疊裝置的第2～n工位上連續(xù)進(jìn)行，且每個工位的電注入電流相同。

8.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的n型晶硅電池的缺陷修復(fù)方法，其特征在于，所述電注入處理的步驟在所述盒式堆疊裝置的第2～n工位上連續(xù)進(jìn)行，且每個工位的保溫時間相同。

9.一種n型晶硅電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的n型晶硅電池的制備方法，其特征在于，所述n型晶硅電池選自n型topcon電池。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種N型晶硅電池的缺陷修復(fù)方法，包括：對N型晶硅電池片進(jìn)行檢測，篩選出具有類交叉隱裂的缺陷電池片；將缺陷電池片進(jìn)行預(yù)升溫處理，預(yù)升溫處理溫度為270℃～310℃，保溫時間為330s～430s；進(jìn)行電注入處理，電注入處理溫度為270℃～310℃，保溫時間為2640s～3440s，電注入電流為10A～12A；冷卻后完成修復(fù)。本發(fā)明還提供N型晶硅電池的制備方法。本發(fā)明提供的N型晶硅電池的缺陷修復(fù)方法，在目前工廠潔凈度達(dá)不到更高要求的情況下，只需在N型晶硅電池片的原有制備工藝基礎(chǔ)上，再增加一步電注入處理即可對類交叉隱裂缺陷進(jìn)行針對性修復(fù)，從而能夠有效提高N型晶硅電池的良率，且修復(fù)方法簡單，效率高。

技術(shù)研發(fā)人員：王文睿,席祥虎,李奇,陳偉康,任勇,陳德爽
受保護(hù)的技術(shù)使用者：橫店集團(tuán)東磁股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/26