本申請(qǐng)涉及顯示，特別是涉及一種發(fā)光元件、顯示面板及顯示面板的制備方法。

背景技術(shù)：

1、現(xiàn)有技術(shù)中，倒裝micro?led(micro?light?emitting?diode，微型發(fā)光二極管)元件制備過程中，由于p型半導(dǎo)體層與n型半導(dǎo)體層不在同一層面，在p型半導(dǎo)體層與n型半導(dǎo)體層上制備電極后，會(huì)出現(xiàn)高度差，在轉(zhuǎn)移和焊接過程中，出現(xiàn)殘膠和虛焊的問題。

2、其次，micro?led元件在轉(zhuǎn)移和焊接過程中，非焊盤區(qū)的部分micro?led元件出現(xiàn)位置偏位以及黏附在驅(qū)動(dòng)背板上的情況。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N發(fā)光元件、顯示面板及顯示面板的制備方法，可以改善殘膠與虛焊的問題。

2、本申請(qǐng)實(shí)施例第一方面提供一種發(fā)光元件，所述發(fā)光元件生長(zhǎng)于襯底一側(cè)，所述發(fā)光元件包括：發(fā)光主體，位于所述襯底一側(cè)，包括在背離所述襯底的方向上依次層疊的第一半導(dǎo)體層、量子阱層、第二半導(dǎo)體層，所述發(fā)光主體背離所述襯底的表面設(shè)有第一凹槽，所述第一凹槽貫穿所述第二半導(dǎo)體層以及所述量子阱層而與所述第一半導(dǎo)體層連通；第一導(dǎo)電材料，填充在所述第一凹槽中；第一電極以及第二電極，設(shè)置在所述發(fā)光主體背離所述襯底一側(cè)，所述第一電極與所述第一導(dǎo)電材料電連接，所述第二電極與所述第二半導(dǎo)體層電連接。

3、進(jìn)一步地，所述發(fā)光元件還包括：絕緣層，至少部分形成在所述第二半導(dǎo)體層背離所述襯底一側(cè)，設(shè)有與所述第二半導(dǎo)體層連通的第二凹槽，所述第二凹槽中填充有第二導(dǎo)電材料，所述第二電極與所述第二導(dǎo)電材料電連接。

4、進(jìn)一步地，所述絕緣層進(jìn)一步延伸至所述第一凹槽的槽壁上。

5、其中，所述第一電極與所述第二電極的材料相同；和/或，所述第一導(dǎo)電材料與所述第二導(dǎo)電材料相同。

6、其中，所述第一電極在所述襯底上的正投影覆蓋所述第一導(dǎo)電材料在所述襯底上的正投影；和/或，所述第二電極在所述襯底上的正投影覆蓋所述第二導(dǎo)電材料在所述襯底上的正投影。

7、本申請(qǐng)實(shí)施例第二方面提供一種顯示面板，包括如上述實(shí)施例中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件以及與所述發(fā)光元件電連接的驅(qū)動(dòng)背板。

8、其中，所述驅(qū)動(dòng)背板包括：背板主體，所述背板主體的第一表面凸設(shè)有焊盤；減黏層，設(shè)置在所述背板主體的第一表面上，且圍繞所述焊盤設(shè)置。

9、其中，在所述背板主體的厚度方向上，所述焊盤凸出所述減黏層。

10、優(yōu)選地，在所述背板主體的厚度方向上，所述焊盤凸出所述減黏層的高度范圍為1um～5um；和/或，所述減黏層的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一種。

11、本申請(qǐng)實(shí)施例第三方面提供一種顯示面板的制備方法，所述方法包括：在襯底的一側(cè)形成發(fā)光主體，其中，所述發(fā)光主體包括在背離所述襯底的方向上依次層疊的第一半導(dǎo)體層、量子阱層、第二半導(dǎo)體層，所述發(fā)光主體背離所述襯底的表面設(shè)有第一凹槽，所述第一凹槽貫穿所述第二半導(dǎo)體層以及所述量子阱層而與所述第一半導(dǎo)體層連通；在所述第一凹槽中填充第一導(dǎo)電材料；在所述發(fā)光主體背離所述襯底一側(cè)形成第一電極以及第二電極，得到發(fā)光元件，其中，所述第一電極與所述第一導(dǎo)電材料電連接，所述第二電極與所述第二半導(dǎo)體層電連接。

12、其中，在所述在所述第一凹槽中填充第一導(dǎo)電材料的步驟之前，還包括：至少在所述第二半導(dǎo)體層背離所述襯底一側(cè)形成絕緣層；形成貫穿所述絕緣層的第二凹槽；在所述在所述第一凹槽中填充第一導(dǎo)電材料的步驟之后，還包括：在所述第二凹槽中填充第二導(dǎo)電材料。

13、優(yōu)選地，在所述得到發(fā)光元件之后，還包括：提供一背板主體，所述背板主體的第一表面凸設(shè)有焊盤；在所述第一表面上形成圍繞所述焊盤的減黏層，而得到驅(qū)動(dòng)背板；將所述發(fā)光元件轉(zhuǎn)移到所述驅(qū)動(dòng)背板上，并使所述第一電極、所述第二電極與所述焊盤電連接。

14、有益效果是：本申請(qǐng)?jiān)诎l(fā)光元件的第一凹槽中填充第一導(dǎo)電材料，消除了在制備第一電極時(shí)因部分凹陷產(chǎn)生的高度差，改善了現(xiàn)有技術(shù)中存在的在轉(zhuǎn)移和焊接過程中的殘膠和虛焊的問題。

技術(shù)特征：

1.一種發(fā)光元件，其特征在于，所述發(fā)光元件生長(zhǎng)于襯底一側(cè)，所述發(fā)光元件包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述發(fā)光元件還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光元件，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光元件，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光元件，其特征在于，

6.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件以及與所述發(fā)光元件電連接的驅(qū)動(dòng)背板。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)背板包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板，其特征在于，

9.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開了一種發(fā)光元件、顯示面板及顯示面板的制備方法，發(fā)光元件生長(zhǎng)于襯底一側(cè)，發(fā)光元件包括：發(fā)光主體，位于襯底一側(cè)，包括在背離襯底的方向上依次層疊的第一半導(dǎo)體層、量子阱層、第二半導(dǎo)體層，發(fā)光主體背離襯底的表面設(shè)有第一凹槽，第一凹槽貫穿第二半導(dǎo)體層以及量子阱層而與第一半導(dǎo)體層連通；第一導(dǎo)電材料，填充在第一凹槽中；第一電極以及第二電極，設(shè)置在發(fā)光主體背離襯底一側(cè)，第一電極與第一導(dǎo)電材料電連接，第二電極與第二半導(dǎo)體層電連接。通過上述設(shè)計(jì)能夠改善現(xiàn)有技術(shù)中因高度差的存在，導(dǎo)致在轉(zhuǎn)移和焊接過程中的殘膠和虛焊的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：田文亞,曹軒,林佳樺,馬澤浩,崔永豪,馮鳴鳴,王一濤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：成都辰顯光電有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30