本公開涉及但不限于一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法。

背景技術(shù)：

1、三維芯片封裝技術(shù)，是在同一個(gè)封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)，于豎直方向上疊放了兩個(gè)以上芯片。其改善了芯片的許多性能，如尺寸、重量、速度、產(chǎn)量及耗能。然而，相關(guān)技術(shù)中的三維芯片封裝，仍存在可優(yōu)化的內(nèi)容，需要進(jìn)一步提高產(chǎn)品性能，節(jié)省成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本公開實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法，能夠提高產(chǎn)品性能，節(jié)省成本。

2、本公開實(shí)施例的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

3、本公開實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括：基底，所述基底上包括第一凹槽、第二凹槽和基底通孔；所述第一凹槽形成于所述基底的正面，所述第二凹槽形成于所述基底的背面，所述基底通孔位于所述第一凹槽和所述第二凹槽的外側(cè)；第一芯片，植入于所述第一凹槽中；第二芯片，植入于所述第二凹槽中；所述第一芯片和所述第二芯片，分別電連接至對(duì)應(yīng)的所述基底通孔，且通過所述基底通孔通信互連。

4、在一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)還包括：第一重布線層和第二重布線層；所述第一重布線層位于所述基底的正面；所述第一芯片通過所述第一重布線層，電連接至對(duì)應(yīng)的所述基底通孔；所述第二重布線層位于所述基底的背面；所述第二芯片通過所述第二重布線層，電連接至對(duì)應(yīng)的所述基底通孔。

5、在一些實(shí)施例中，所述第一芯片的正面，與所述基底的正面朝向一致，且通過導(dǎo)電凸塊電連接所述第一重布線層；所述第二芯片的正面，與所述基底的背面朝向一致，且通過導(dǎo)電凸塊電連接所述第二重布線層。

6、在一些實(shí)施例中，所述第一凹槽的底面和所述第二凹槽的底面之間的厚度，大于所述第一芯片或所述第二芯片的厚度的四分之一，且小于第一芯片或所述第二芯片的厚度的三分之一。

7、在一些實(shí)施例中，所述第一凹槽和所述第二凹槽，沿豎直方向的投影相互重合；所述第一芯片和所述第二芯片，沿豎直方向的投影相互重合。

8、在一些實(shí)施例中，所述第一芯片，通過粘合薄膜，黏接于所述第一凹槽的底面；所述第二芯片，通過粘合薄膜，黏接于所述第二凹槽的底面。

9、在一些實(shí)施例中，所述第一凹槽的內(nèi)壁和所述第一芯片的側(cè)壁之間，以及，所述第二凹槽的內(nèi)壁和所述第二芯片的側(cè)壁之間，均填充有絕緣層。

10、在一些實(shí)施例中，所述基底的數(shù)量為多個(gè)；多個(gè)所述基底沿所述豎直方向堆疊；相鄰所述基底之間，填充有塑封材料；位于不同所述基底之中且相鄰的所述芯片，相互鍵合而電連接。

11、在一些實(shí)施例中，所述粘合薄膜和所述塑封材料，均包括：樹脂和填料；其中，所述填料為氧化硅或氧化鋁。

12、在一些實(shí)施例中，所述塑封材料的填料含量，大于所述粘合薄膜的填料含量；所述塑封材料的填料體積，小于所述粘合薄膜的填料體積。

13、本公開實(shí)施例還提供了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，所述方法包括：提供基底；刻蝕所述基底的正面，形成第一凹槽；將第一芯片植入所述第一凹槽中；在所述基底中形成基底通孔；所述基底通孔，沿豎直方向貫穿所述基底，且位于所述第一凹槽的外側(cè)；刻蝕所述基底的背面，形成第二凹槽；將第二芯片植入所述第二凹槽中；將所述第一芯片和所述第二芯片，分別電連接至對(duì)應(yīng)的所述基底通孔；所述第一芯片和所述第二芯片通過所述基底通孔而通信互連。

14、在一些實(shí)施例中，將所述第一芯片和所述第二芯片，分別電連接至對(duì)應(yīng)的所述基底通孔，包括：在所述基底的正面，形成第一重布線層，將所述第一芯片電連接至對(duì)應(yīng)的所述基底通孔的一端；對(duì)所述基底的背面進(jìn)行減薄處理，暴露出所述基底通孔的另一端；在所述基底的背面，形成第二重布線層，將所述第二芯片電連接至對(duì)應(yīng)的所述基底通孔的另一端。

15、在一些實(shí)施例中，將所述第一芯片植入所述第一凹槽中，包括：將所述第一芯片，通過粘合薄膜，黏接于所述第一凹槽的底面；在所述第一凹槽的內(nèi)壁和所述第一芯片的側(cè)壁之間，填充絕緣層；

16、在一些實(shí)施例中，將所述第二芯片植入所述第二凹槽中，包括：將所述第二芯片，通過粘合薄膜，黏接于所述第二凹槽的底面；在所述第二凹槽的內(nèi)壁和所述第二芯片的側(cè)壁之間，填充絕緣層。

17、在一些實(shí)施例中，將所述第一芯片和所述第二芯片，分別電連接至對(duì)應(yīng)的所述基底通孔之后，所述形成方法還包括：對(duì)所述基底進(jìn)行劃片工藝；將所述基底與基板熱壓鍵合；其中，熱壓鍵合的位置依照所述基底通孔的位置；通過注塑成型工藝，形成包圍所述基底的塑封材料。

18、在一些實(shí)施例中，所述基底的數(shù)量為多個(gè)；將所述基底與所述基板熱壓鍵合，包括：將第一個(gè)所述基底與所述基板熱壓鍵合；將其余所述芯片依次堆疊于第一個(gè)所述基底之上，并將相鄰所述基底熱壓鍵合。

19、由此可見，本公開實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括：基底、第一芯片和第二芯片?；咨习ǖ谝话疾邸⒌诙疾酆突淄?。第一凹槽形成于基底的正面，第二凹槽形成于基底的背面，基底通孔位于第一凹槽和第二凹槽的外側(cè)。第一芯片植入于第一凹槽中，第二芯片，植入于第二凹槽中。第一芯片和第二芯片，分別電連接至對(duì)應(yīng)的基底通孔，且通過基底通孔通信互連。這樣，第一芯片和第二芯片，通過基底通孔，實(shí)現(xiàn)了垂直的通信互連(即三維封裝互連)，也即，不需要貫穿芯片形成通孔便實(shí)現(xiàn)了芯片間通信互連。從而，一方面，不需要在芯片中為通孔及通孔附近的koz(排除區(qū)域)預(yù)留面積，可以減小芯片的尺寸，提高dpw(晶圓可切割晶粒數(shù))；另一方面，可以簡(jiǎn)化工藝，節(jié)省成本。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)還包括：第一重布線層和第二重布線層；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一凹槽的底面和所述第二凹槽的底面之間的厚度，大于所述第一芯片或所述第二芯片的厚度的四分之一，且小于第一芯片或所述第二芯片的厚度的三分之一。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一凹槽的內(nèi)壁和所述第一芯片的側(cè)壁之間，以及，所述第二凹槽的內(nèi)壁和所述第二芯片的側(cè)壁之間，均填充有絕緣層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基底的數(shù)量為多個(gè)；

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述粘合薄膜和所述塑封材料，均包括：樹脂和填料；其中，所述填料為氧化硅或氧化鋁。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，

11.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的形成方法，其特征在于，將所述第一芯片和所述第二芯片，分別電連接至對(duì)應(yīng)的所述基底通孔，包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的形成方法，其特征在于，

14.根據(jù)權(quán)利要求11至13任一項(xiàng)所述的形成方法，其特征在于，將所述第一芯片和所述第二芯片，分別電連接至對(duì)應(yīng)的所述基底通孔之后，所述形成方法還包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的形成方法，其特征在于，所述基底的數(shù)量為多個(gè)；

技術(shù)總結(jié)
本公開實(shí)施例公開了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括：基底、第一芯片和第二芯片?；咨习ǖ谝话疾?、第二凹槽和基底通孔。第一凹槽形成于基底的正面，第二凹槽形成于基底的背面，基底通孔位于第一凹槽和第二凹槽的外側(cè)。第一芯片植入于第一凹槽中，第二芯片，植入于第二凹槽中。第一芯片和第二芯片，分別電連接至對(duì)應(yīng)的基底通孔，且通過基底通孔通信互連。

技術(shù)研發(fā)人員：王彪
受保護(hù)的技術(shù)使用者：長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6