本發(fā)明涉及l(fā)ed和光通訊，具體涉及一種減少晶圓壓傷劃傷的厚質(zhì)軟金屬剝離工藝。

背景技術(shù)：

1、在led光電器件領(lǐng)域中，制備發(fā)光二極管的電極引出工藝為：先通過涂膠+顯影工藝，將晶圓的底層pn結(jié)露出，再通過蒸鍍工藝制作導(dǎo)電金屬層(al)，蒸鍍工藝完成以后，某些特種工藝的蒸鍍金屬比光刻膠(pr)的厚度厚，導(dǎo)致了整張晶圓完全被金屬層覆蓋，需要將光刻膠及光刻膠以上蒸鍍的金屬剝離掉。傳統(tǒng)的剝離工藝為厚質(zhì)軟質(zhì)金屬電極剝離技術(shù)，該技術(shù)是將藍(lán)膜膠帶粘附在晶圓正面，晶圓背面用真空吸盤吸牢固，通過藍(lán)膜膠帶的粘附力將部分pr和待剝離的金屬通過外力作用撕掉，如果撕掉的過程中有靜電擊穿，或者是重復(fù)性壓傷，均會(huì)影響最終產(chǎn)品的導(dǎo)電性能及良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對(duì)現(xiàn)有軟質(zhì)金屬剝離工藝中出現(xiàn)的單片機(jī)臺(tái)固有的剝離工藝會(huì)對(duì)產(chǎn)品的電極產(chǎn)生劃傷的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種減少晶圓壓傷劃傷的厚質(zhì)軟金屬剝離工藝，該工藝可以在進(jìn)行電極引出的剝離中，最大限度的保證最小的金屬劃傷和壓傷，減少良率的損失，提高產(chǎn)品導(dǎo)電性能。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案如下：

3、一種減少晶圓壓傷劃傷的厚質(zhì)軟金屬剝離工藝，該工藝針對(duì)已涂覆光刻膠且經(jīng)曝光、顯影并制備有厚質(zhì)軟金屬膜層的晶圓進(jìn)行金屬剝離處理，所述金屬剝離處理是將晶圓先置于剝離單元進(jìn)行金屬剝離；該方法具體包括如下步驟：

4、(1)將晶圓置于剝離單元承片臺(tái)上，使用高壓去膠噴嘴向晶圓中心進(jìn)行高壓噴灑藥液，該藥液破壞厚質(zhì)軟金屬膜層，從而在晶圓中心打開一個(gè)小的窗口；

5、(2)采用剝離單元中的常壓去膠噴嘴，向步驟(1)撕裂的窗口內(nèi)噴入藥液，保持晶圓以較低的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，使得晶圓的金屬膜層和光刻膠的夾層之間充入一定量的藥液；

6、(3)采用剝離單元中的高壓去膠噴嘴噴酒藥液進(jìn)行金屬膜層的剝離，其中：噴射壓力10-15mpa，晶圓轉(zhuǎn)動(dòng)速度為800-2000r/min，高壓去膠噴嘴從晶圓的中心向邊緣處作擺臂剝離動(dòng)作，實(shí)現(xiàn)金屬膜層的剝離與光刻膠去除；

7、進(jìn)一步地，本發(fā)明所述厚質(zhì)軟金屬膜層為鋁、金、鎳、銀和鉻中的一種或幾種，厚度為1-5μm。

8、所述剝離單元包括去膠腔體，去膠腔體內(nèi)設(shè)有可旋轉(zhuǎn)承片臺(tái)以及安裝在同一擺臂上的高壓去膠噴嘴和常壓去膠噴嘴；其中：所述常壓去膠噴嘴的噴射方向垂直于晶圓表面，所述高壓去膠噴嘴的噴射方向與晶圓垂直方向的夾角為10-30°。

9、所述高壓去膠噴嘴為針狀噴嘴，所述常壓去膠噴嘴為柱狀噴嘴。

10、上述步驟(1)采用高壓去膠噴嘴噴灑藥液過程中，高壓去膠噴嘴的射流對(duì)準(zhǔn)晶圓中心，晶圓保持靜止，藥液噴射時(shí)間0.1-3s，藥液的壓力3-15mpa。該過程在晶圓中心打開一個(gè)小的窗口，藥液的壓力與瞬時(shí)開窗噴射時(shí)間要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用情況在調(diào)節(jié)區(qū)間內(nèi)尋找最優(yōu)的平衡參數(shù)，已達(dá)到最優(yōu)的開窗效果。

11、上述步驟(2)采用常壓去膠噴嘴噴射藥液過程中，噴射時(shí)間5-30s，晶圓轉(zhuǎn)速50-500r/min。

12、上述步驟(3)采用高壓去膠噴嘴噴射藥液過程中，噴射時(shí)間10-100s。

13、進(jìn)一步地，步驟(3)進(jìn)行金屬膜層剝離后的晶圓可再置于清洗單元進(jìn)行晶圓清洗和晶圓甩干；所述晶圓清洗是將晶圓置于清洗單元承片臺(tái)上，使用噴嘴從晶圓一側(cè)邊緣向另一側(cè)邊緣擺動(dòng)并噴灑清洗液(去離子水或其他清洗液)，以達(dá)到更充分的清洗效果；所述晶圓甩干是將晶圓置于清洗單元承片臺(tái)上，使用噴嘴從晶圓一側(cè)邊緣向另一側(cè)邊緣擺動(dòng)并噴灑氮?dú)?，采用高轉(zhuǎn)速長時(shí)間轉(zhuǎn)動(dòng)方式將晶圓甩干。

14、所述清洗單元包括清洗腔體，清洗腔體內(nèi)設(shè)有可旋轉(zhuǎn)承片臺(tái)以及分別安裝在兩個(gè)擺臂上的兩個(gè)柱狀噴嘴；其中：一個(gè)柱狀噴嘴用于噴灑清洗液，另一個(gè)柱狀噴嘴用于噴灑氮?dú)猓瑑蓚€(gè)柱狀噴嘴的噴射方向均垂直于晶圓表面。

15、優(yōu)選地，噴灑清洗液過程中，晶圓轉(zhuǎn)速300r/min-1000r/min，噴灑時(shí)間10-60s，清洗液流量500-1000ml/min。

16、優(yōu)選地，晶圓甩干過程中，向晶圓正面氮?dú)鈬姙?，晶圓轉(zhuǎn)動(dòng)速度為1000-2000r/min，正面噴灑氮?dú)饬髁?0-50l/min，時(shí)間20-60s。

17、本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和有益效果如下：

18、1、本發(fā)明采用高壓去膠噴嘴噴射高壓藥液的方式，通過藥液的溶膠能力和高高壓作用力，最大程度的避免晶圓靜電擊穿效應(yīng)，

19、2、本發(fā)明在剝離軟質(zhì)金屬電極時(shí)，采用傾斜高壓去膠噴嘴+中心破窗+二次剝離的工藝，達(dá)到軟質(zhì)金屬(如鋁電極)的無劃傷無靜電擊穿的效果。

技術(shù)特征：

1.一種減少晶圓壓傷劃傷的厚質(zhì)軟金屬剝離工藝，其特征在于：該工藝針對(duì)已涂覆光刻膠且經(jīng)曝光、顯影并制備有厚質(zhì)軟金屬膜層的晶圓進(jìn)行金屬剝離處理，所述金屬剝離處理是將晶圓先置于剝離單元進(jìn)行金屬剝離；該方法具體包括如下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少晶圓壓傷劃傷的厚質(zhì)軟金屬剝離工藝，其特征在于：所述厚質(zhì)軟金屬膜層為鋁、金、鎳、銀和鉻中的一種或幾種，厚度為1-5μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少晶圓壓傷劃傷的厚質(zhì)軟金屬剝離工藝，其特征在于：所述剝離單元包括去膠腔體，去膠腔體內(nèi)設(shè)有可旋轉(zhuǎn)承片臺(tái)以及安裝在同一擺臂上的高壓去膠噴嘴和常壓去膠噴嘴；其中：所述常壓去膠噴嘴的噴射方向垂直于晶圓表面，所述高壓去膠噴嘴的噴射方向與晶圓垂直方向的夾角為10-30°。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的減少晶圓壓傷劃傷的厚質(zhì)軟金屬剝離工藝，其特征在于：所述高壓去膠噴嘴為針狀噴嘴，所述常壓去膠噴嘴為柱狀噴嘴。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少晶圓壓傷劃傷的厚質(zhì)軟金屬剝離工藝，其特征在于：步驟(1)采用高壓去膠噴嘴噴灑藥液過程中，高壓去膠噴嘴的射流對(duì)準(zhǔn)晶圓中心，晶圓保持靜止，藥液噴射時(shí)間0.1-3s，藥液的壓力3-15mpa。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少晶圓壓傷劃傷的厚質(zhì)軟金屬剝離工藝，其特征在于：步驟(2)采用常壓去膠噴嘴噴射藥液過程中，噴射時(shí)間5-30s，晶圓轉(zhuǎn)速50-500r/min；步驟(3)采用高壓去膠噴嘴噴射藥液過程中，噴射時(shí)間10-100s。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少晶圓壓傷劃傷的厚質(zhì)軟金屬剝離工藝，其特征在于：步驟(3)進(jìn)行金屬膜層剝離后的晶圓再置于清洗單元進(jìn)行晶圓清洗和晶圓甩干；所述晶圓清洗是將晶圓置于清洗單元承片臺(tái)上，使用噴嘴從晶圓一側(cè)邊緣向另一側(cè)邊緣擺動(dòng)并噴灑清洗液，以達(dá)到更充分的清洗效果；所述晶圓甩干是將晶圓置于清洗單元承片臺(tái)上，使用噴嘴從晶圓一側(cè)邊緣向另一側(cè)邊緣擺動(dòng)并噴灑氮?dú)猓捎酶咿D(zhuǎn)速長時(shí)間轉(zhuǎn)動(dòng)方式將晶圓甩干。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的減少晶圓壓傷劃傷的厚質(zhì)軟金屬剝離工藝，其特征在于：所述清洗單元包括清洗腔體，清洗腔體內(nèi)設(shè)有可旋轉(zhuǎn)承片臺(tái)以及分別安裝在兩個(gè)擺臂上的兩個(gè)柱狀噴嘴；其中：一個(gè)柱狀噴嘴用于噴灑清洗液，另一個(gè)柱狀噴嘴用于噴灑氮?dú)?，兩個(gè)柱狀噴嘴的噴射方向均垂直于晶圓表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的減少晶圓壓傷劃傷的厚質(zhì)軟金屬剝離工藝，其特征在于：晶圓清洗進(jìn)行噴灑清洗液過程中，晶圓轉(zhuǎn)速300r/min-1000r/min，噴灑時(shí)間10-60s，清洗液流量500-1000ml/min。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的減少晶圓壓傷劃傷的厚質(zhì)軟金屬剝離工藝，其特征在于：晶圓甩干過程中，向晶圓正面氮?dú)鈬姙?，晶圓轉(zhuǎn)動(dòng)速度為1000-2000r/min，正面噴灑氮?dú)饬髁?0-50l/min，時(shí)間20-60s。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種減少晶圓壓傷劃傷的厚質(zhì)軟金屬剝離工藝，屬于LED和光通訊技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：(1)將晶圓置于剝離單元，使用高壓去膠噴嘴向晶圓中心進(jìn)行高壓噴灑藥液，在晶圓中心打開一個(gè)小的窗口；(2)采用常壓去膠噴嘴向撕裂的窗口內(nèi)噴入藥液，保持晶圓以較低的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，使得晶圓的金屬膜層和光刻膠的夾層之間充入一定量的藥液；(3)采用高壓去膠噴嘴噴酒藥液進(jìn)行金屬膜層的剝離。該工藝可以在進(jìn)行電極引出的剝離中，最大限度的保證最小的金屬劃傷和壓傷，減少良率的損失，提高產(chǎn)品導(dǎo)電性能。

技術(shù)研發(fā)人員：李孝令,樸勇男,王冬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：沈陽芯源微電子設(shè)備股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2