1.一種led芯片，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述外延層包括層疊設(shè)置的p型半導(dǎo)體層、多量子阱層、n型半導(dǎo)體層，所述n型半導(dǎo)體層設(shè)置在靠近所述臺(tái)面的一側(cè)；
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述側(cè)面與所述臺(tái)面之間呈夾角設(shè)置，所述夾角的范圍為90°～110°。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的led芯片，其特征在于，所述中間介質(zhì)層的折射率與所述多量子阱層的折射率相同或者接近相同；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的led芯片，其特征在于，所述發(fā)光臺(tái)的發(fā)射光的波長(zhǎng)為450～480nm，所述中間金屬層為材料為ag，所述側(cè)面產(chǎn)生等離激元的波長(zhǎng)為450nm；或者
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的led芯片，其特征在于，還包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的led芯片，其特征在于，所述第二電極層包括多個(gè)第一金屬觸點(diǎn)，所述第一金屬觸點(diǎn)在所述驅(qū)動(dòng)背板上的正投影與所述發(fā)光臺(tái)在所述驅(qū)動(dòng)背板上的正投影一一對(duì)應(yīng)；
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的led芯片，其特征在于，所述第一電極層為ito層；
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的led芯片，其特征在于，所述中間介質(zhì)層和所述中間金屬層自所述側(cè)面延伸并覆蓋于所述臺(tái)面上，所述第一電極層設(shè)置在所述中間介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述驅(qū)動(dòng)基板的一側(cè)表面；所述中間介質(zhì)層和所述中間金屬層在對(duì)應(yīng)所述臺(tái)面位置處設(shè)置有過(guò)孔并暴露出所述臺(tái)面，所述第一電極層填充所述過(guò)孔。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的led芯片，其特征在于，所述中間金屬層和所述中間介質(zhì)層自所述側(cè)面延伸并覆蓋于所述臺(tái)面上，所述led芯片還包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的led芯片，其特征在于，還包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的led芯片，其特征在于，所述第二遮光部在靠近所述驅(qū)動(dòng)背板一側(cè)的表面與所述p型半導(dǎo)體在遠(yuǎn)離所述驅(qū)動(dòng)背板一側(cè)的表面平齊；
13.一種led芯片的制備方法，其特征在于，所述方法包括：
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述生長(zhǎng)外延層，包括：
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述在所述外延層上形成間隔設(shè)置的多個(gè)發(fā)光臺(tái)，包括：
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，在所述發(fā)光臺(tái)上依次生長(zhǎng)中間金屬層和中間介質(zhì)層，方法包括：
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述中間金屬層和所述中間介質(zhì)層自所述側(cè)面延伸并覆蓋于所述臺(tái)面上，所述方法還包括：
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
21.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1～12中任一項(xiàng)所述的led芯片或如權(quán)利要求13～20中任一項(xiàng)所述的方法制備的led芯片。