1.一種制備micro-led芯片的方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度為28～145nm，所述第二凹槽的深度為50～300nm，
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，生長(zhǎng)所述第一n型摻雜gan層的步驟包括依次生長(zhǎng)n型重?fù)诫sgan層和n型輕摻雜gan層，所述n型重?fù)诫sgan層的摻雜濃度為5×1018～1×1019cm-3，所述n型重?fù)诫sgan層的厚度為1.5～2.5μm，所述n型輕摻雜gan層的摻雜濃度為3×1017～6×1017cm-3，所述n型輕摻雜gan層的厚度為0.3～0.5μm；
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述藍(lán)光量子阱發(fā)光層包括層疊設(shè)置的第一非摻雜gan膜層、inaga1-an勢(shì)阱層、第二非摻雜gan膜層和inbga1-bn勢(shì)壘層，其中，a為0.18～0.21，b為0.01～0.05；
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述藍(lán)光量子阱發(fā)光層、所述綠光量子阱發(fā)光層和所述紅光量子阱發(fā)光層還滿(mǎn)足以下條件中的至少之一：
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)層、所述電子阻擋層和所述第一部分空穴注入層的厚度總和為120～180nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述襯底為藍(lán)寶石襯底，所述緩沖層為氮化鋁層；
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底為n型摻雜碳化硅襯底，所述緩沖層為n型摻雜鋁氮化鎵層，所述像素柱直接形成在所述緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底的表面上；
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，還包括：
13.一種micro?led芯片，其特征在于，是利用權(quán)利要求1～12中任一項(xiàng)所述的方法制備得到的。