本公開涉及半導(dǎo)體，涉及但不限于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。

背景技術(shù)：

1、芯片封裝完成后，需要通過注塑將封裝完成后的芯片進行包裹，從而對芯片進行保護。由于芯片與基板之間直接通過焊球或其他焊接凸點連接，間隙較小，連接點之間間隔距離也較小，因此，塑封料在填充時空氣不易排出，容易出現(xiàn)封裝結(jié)構(gòu)不可靠的問題。

2、相關(guān)技術(shù)中，為了便于在注塑過程中有利于氣體的排出，會在封裝基板上設(shè)置氣孔，從而在注塑過程中，隨著塑封料的填充，氣體自基板上的氣孔排出，提高塑封料流體的填充效果。

3、然而，氣孔的存在導(dǎo)致刻蝕形成鍵合焊指(bond?finger，bf)時容易出現(xiàn)由于刻蝕量無法有效把控，而過刻蝕的問題，從而導(dǎo)致形成的鍵合焊指靠近氣孔的一端寬度較小，影響后續(xù)的打線過程。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本公開實施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。

2、第一方面，本公開實施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，所述方法包括：

3、提供基板；所述基板表面至少形成有多個初始連接結(jié)構(gòu)、以及位于所述多個初始連接結(jié)構(gòu)之間的至少一個排氣孔；

4、至少在所述初始連接結(jié)構(gòu)靠近所述排氣孔的一端的頂表面和底表面上分別形成補充結(jié)構(gòu)；

5、刻蝕所述初始連接結(jié)構(gòu)和所述補充結(jié)構(gòu)，形成連接結(jié)構(gòu)；

6、其中，所述連接結(jié)構(gòu)靠近和遠離所述排氣孔的一端分別具有第一寬度和第二寬度；所述第一寬度大于或等于所述第二寬度。

7、在一些實施例中，所述補充結(jié)構(gòu)延伸至所述初始連接結(jié)構(gòu)的頂表面和底表面之外。

8、在一些實施例中，位于同一所述初始連接結(jié)構(gòu)頂表面和底表面的所述補充結(jié)構(gòu)沿所述初始連接結(jié)構(gòu)呈軸對稱。

9、在一些實施例中，所述補充結(jié)構(gòu)包括一層補充層；至少在所述初始連接結(jié)構(gòu)靠近所述排氣孔的一端的頂表面和底表面上，分別形成補充結(jié)構(gòu)，包括：

10、在所述初始連接結(jié)構(gòu)靠近所述排氣孔的一端的頂表面和底表面電鍍金屬材料，形成所述補充層；

11、其中，所述金屬材料與所述初始連接結(jié)構(gòu)的材料相同。

12、在一些實施例中，所述補充結(jié)構(gòu)包括多層補充層；所述補充層的層數(shù)隨所述初始連接結(jié)構(gòu)與所述排氣孔之間的距離的增大而逐漸減小。

13、在一些實施例中，多層所述補充層呈階梯狀；至少在所述初始連接結(jié)構(gòu)靠近所述排氣孔的一端的頂表面和底表面上，分別形成補充結(jié)構(gòu)，包括：

14、在所述初始連接結(jié)構(gòu)的頂表面和底表面依次形成第一層補充層和至少一層初始補充層；

15、沿靠近所述初始連接結(jié)構(gòu)的方向，由外至內(nèi)依次圖案化所述初始補充層，形成至少一層所述補充層；所述補充層和所述第一層補充層形成階梯狀的多層所述補充層；其中，每一層所述補充層暴露出其下方的所述補充層的兩端。

16、在一些實施例中，刻蝕所述初始連接結(jié)構(gòu)和所述補充結(jié)構(gòu)，形成連接結(jié)構(gòu)，包括：

17、采用濕法刻蝕技術(shù)，刻蝕所述初始連接結(jié)構(gòu)和所述補充結(jié)構(gòu)，至少去除部分所述補充結(jié)構(gòu)，形成所述連接結(jié)構(gòu)。

18、在一些實施例中，所述提供基板，包括：

19、提供初始基板；

20、在所述初始基板上形成多個所述初始連接結(jié)構(gòu)；

21、刻蝕所述初始基板，形成貫穿所述初始基板的至少一個所述排氣孔，以形成所述基板。

22、在一些實施例中，每一層所述補充層的寬度為所述初始連接結(jié)構(gòu)寬度的10％～20％。

23、第二方面，本公開實施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

24、基板，包括多個連接結(jié)構(gòu)；

25、至少一個排氣孔，貫穿所述基板，且設(shè)置于所述連接結(jié)構(gòu)之間；

26、其中，所述連接結(jié)構(gòu)靠近和遠離所述排氣孔的一端分別具有第一寬度和第二寬度；所述第一寬度大于或等于所述第二寬度。

27、本公開實施例提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法包括：提供基板；基板表面至少形成有多個初始連接結(jié)構(gòu)、以及位于多個初始連接結(jié)構(gòu)之間的至少一個排氣孔；至少在初始連接結(jié)構(gòu)靠近排氣孔的一端的頂表面和底表面上分別形成補充結(jié)構(gòu)；刻蝕初始連接結(jié)構(gòu)和補充結(jié)構(gòu)，形成連接結(jié)構(gòu)；其中，連接結(jié)構(gòu)靠近和遠離排氣孔的一端分別具有第一寬度和第二寬度；第一寬度大于或等于第二寬度。本公開實施例中，由于在初始連接結(jié)構(gòu)靠近排氣孔的一端形成了補充結(jié)構(gòu)，補充結(jié)構(gòu)可以彌補刻蝕初始連接結(jié)構(gòu)形成連接結(jié)構(gòu)的過刻蝕現(xiàn)象，如此，可以使得最終形成的連接結(jié)構(gòu)靠近排氣孔一端和遠離排氣孔一端的寬度大致相同，從而不會影響后續(xù)的打線過程，提高了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的可靠性。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述補充結(jié)構(gòu)延伸至所述初始連接結(jié)構(gòu)的頂表面和底表面之外。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，位于同一所述初始連接結(jié)構(gòu)頂表面和底表面的所述補充結(jié)構(gòu)沿所述初始連接結(jié)構(gòu)呈軸對稱。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述補充結(jié)構(gòu)包括一層補充層；至少在所述初始連接結(jié)構(gòu)靠近所述排氣孔的一端的頂表面和底表面上，分別形成補充結(jié)構(gòu)，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述補充結(jié)構(gòu)包括多層補充層；所述補充層的層數(shù)隨所述初始連接結(jié)構(gòu)與所述排氣孔之間的距離的增大而逐漸減小。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，多層所述補充層呈階梯狀；至少在所述初始連接結(jié)構(gòu)靠近所述排氣孔的一端的頂表面和底表面上，分別形成補充結(jié)構(gòu)，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，刻蝕所述初始連接結(jié)構(gòu)和所述補充結(jié)構(gòu)，形成連接結(jié)構(gòu)，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供基板，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的方法，其特征在于，每一層所述補充層的寬度為所述初始連接結(jié)構(gòu)寬度的10％～20％。

10.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開實施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法包括：提供基板；基板表面至少形成有多個初始連接結(jié)構(gòu)、以及位于多個初始連接結(jié)構(gòu)之間的至少一個排氣孔；至少在初始連接結(jié)構(gòu)靠近排氣孔的一端的頂表面和底表面上分別形成補充結(jié)構(gòu)；刻蝕初始連接結(jié)構(gòu)和補充結(jié)構(gòu)，形成連接結(jié)構(gòu)；其中，連接結(jié)構(gòu)靠近和遠離排氣孔的一端分別具有第一寬度和第二寬度；第一寬度大于或等于第二寬度。

技術(shù)研發(fā)人員：金榮奎
受保護的技術(shù)使用者：長鑫存儲技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9