本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體處理設(shè)備及其具有聚焦環(huán)厚度檢測(cè)裝置的傳輸腔。
背景技術(shù):
1、一套半導(dǎo)體處理設(shè)備中通常設(shè)置多個(gè)處理腔,多個(gè)處理腔內(nèi)同時(shí)進(jìn)行半導(dǎo)體處理制程,以提高效率和產(chǎn)量。在進(jìn)行刻蝕制程時(shí),待刻蝕的基片放置在處理腔內(nèi)的基座上的靜電吸盤上,處理腔中產(chǎn)生等離子體對(duì)基片進(jìn)行刻蝕,環(huán)繞靜電吸盤設(shè)置有聚焦環(huán),以調(diào)節(jié)基片周圍的電場(chǎng)和溫度分布。聚焦環(huán)長(zhǎng)期暴露在等離子環(huán)境中,上表面易被腐蝕消耗,在消耗達(dá)到一定程度時(shí)聚焦環(huán)的厚度會(huì)下降,需要被及時(shí)替換。通常在每個(gè)處理腔內(nèi)都設(shè)置至少一套檢測(cè)裝置,以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)聚焦環(huán)的厚度變化,但是由于處理腔內(nèi)部的空間限制,檢測(cè)裝置的檢測(cè)范圍受限,往往只能監(jiān)測(cè)到局部的聚焦環(huán),監(jiān)測(cè)準(zhǔn)確性下降,而且在一套半導(dǎo)體處理設(shè)備中至少需要設(shè)置六套檢測(cè)裝置,成本高昂。此外檢測(cè)裝置需要暴露于等離子處理腔內(nèi)的等離子和各種反應(yīng)副產(chǎn)物,需要額外在暴露面設(shè)置保護(hù)層,這些都導(dǎo)致聚焦環(huán)厚度檢測(cè)裝置成本無(wú)法達(dá)到最低化。
2、這里的陳述僅提供與本發(fā)明有關(guān)的背景技術(shù),而并不必然地構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體處理設(shè)備及其具有聚焦環(huán)厚度檢測(cè)裝置的傳輸腔,降低了器件成本,減少了監(jiān)測(cè)死角,提高了監(jiān)測(cè)精準(zhǔn)度。
2、為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明提供一種傳輸腔,其用于半導(dǎo)體處理設(shè)備中,所述傳輸腔通過(guò)真空鎖連接前端模塊,所述傳輸腔連接多個(gè)處理腔,所述處理腔中設(shè)置有聚焦環(huán),所述傳輸腔包含:
3、腔體;
4、機(jī)械臂,其設(shè)置在所述腔體內(nèi),用于在所述處理腔和所述真空鎖之間傳輸基片;
5、聚焦環(huán)厚度檢測(cè)裝置,其設(shè)置在所述腔體的頂部;所述聚焦環(huán)厚度檢測(cè)裝置包含:連接所述腔體頂部的對(duì)準(zhǔn)控制組件和連接所述對(duì)準(zhǔn)控制組件的攝像組件,所述對(duì)準(zhǔn)控制組件實(shí)現(xiàn)所述攝像組件位置和朝向的調(diào)整,使得所述攝像組件依次對(duì)準(zhǔn)到所述多個(gè)處理腔內(nèi)的聚焦環(huán)。
6、所述對(duì)準(zhǔn)控制組件包含:支撐桿和接頭;所述支撐桿的一端固定連接所述腔體的頂部,所述支撐桿的另一端連接所述接頭,所述接頭分別連接所述支撐桿和所述攝像組件。
7、可選地,所述對(duì)準(zhǔn)控制組件包含第一驅(qū)動(dòng)電機(jī),所述第一驅(qū)動(dòng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)所述支撐桿升降和旋轉(zhuǎn),以實(shí)現(xiàn)所述攝像組件的升降和旋轉(zhuǎn);所述接頭實(shí)現(xiàn)所述攝像組件的俯仰。
8、可選地,所述對(duì)準(zhǔn)控制組件包含第二驅(qū)動(dòng)電機(jī),所述第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)所述支撐桿升降,以實(shí)現(xiàn)所述攝像組件的升降;所述接頭采用萬(wàn)象接頭,以實(shí)現(xiàn)所述攝像組件的旋轉(zhuǎn)和俯仰。
9、所述對(duì)準(zhǔn)控制組件包含密封防護(hù)組件,所述密封防護(hù)組件包含:彈性包覆層和密封組件,所述彈性包覆層包覆住所述支撐桿和接頭,所述密封組件分別連接所述彈性包覆層和所述腔體的頂部。
10、所述彈性包覆層的材料采用聚合物材料。
11、所述密封組件包含:密封環(huán)、磁流體密封裝置和波紋管,所述密封環(huán)套設(shè)在所述支撐桿上,所述磁流體密封裝置套設(shè)在所述密封環(huán)上,所述波紋管分別連接所述磁流體密封裝置和所述腔體的頂部。
12、所述對(duì)準(zhǔn)控制組件包含:磁懸浮軌道,所述磁懸浮軌道設(shè)置在所述腔體的頂部,所述攝像組件可沿所述磁懸浮軌道移動(dòng),并拍攝多個(gè)所述處理腔內(nèi)的聚焦環(huán)。
13、所述攝像組件為單目攝像機(jī)或雙目攝像機(jī)。
14、所述腔體的側(cè)壁上具有多個(gè)第一基片傳輸口,所述傳輸腔通過(guò)所述第一基片傳輸口連接所述處理腔,所述第一基片傳輸口的周圍設(shè)置至少一個(gè)參考定位標(biāo)志。
15、所述聚焦環(huán)厚度檢測(cè)裝置包含:控制器,所述控制器電路連接所述對(duì)準(zhǔn)控制組件和所述攝像組件,所述控制器控制所述對(duì)準(zhǔn)控制組件實(shí)現(xiàn)所述攝像組件的升降、旋轉(zhuǎn)和俯仰,并控制所述攝像組件對(duì)所述處理腔中的所述聚焦環(huán)的圖像進(jìn)行拍攝,以計(jì)算聚焦環(huán)的厚度。
16、本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體處理設(shè)備,包含:
17、前端模塊;
18、所述的傳輸腔;
19、至少一個(gè)真空鎖,其一端連接所述前端模塊,另一端連接所述傳輸腔;
20、多個(gè)處理腔,其分別連接所述傳輸腔。
21、所述處理腔包含:
22、真空反應(yīng)腔,所述真空反應(yīng)腔的側(cè)壁上具有第二基片傳輸口,所述第二基片傳輸口連接所述傳輸腔上的所述第一基片傳輸口;
23、基座,其設(shè)置在所述真空反應(yīng)腔內(nèi)部;
24、靜電吸盤,其設(shè)置在所述基座上,用于放置基片;
25、聚焦環(huán),其環(huán)繞所述靜電吸盤,用于調(diào)節(jié)基片周圍的電場(chǎng)和溫度分布;
26、覆蓋環(huán),其環(huán)繞所述聚焦環(huán),用于支撐所述聚焦環(huán);
27、舉升裝置,其設(shè)置在所述聚焦環(huán)下方,用于舉升所述聚焦環(huán)。
28、本發(fā)明將聚焦環(huán)厚度檢測(cè)裝置設(shè)置在傳輸腔中,聚焦環(huán)厚度檢測(cè)裝置中的攝像組件可以升降、旋轉(zhuǎn)和俯仰,或者平移,因此僅在傳輸腔中設(shè)置一套聚焦環(huán)厚度檢測(cè)裝置即可同時(shí)監(jiān)測(cè)與傳輸腔相連的多個(gè)處理腔內(nèi)的聚焦環(huán)的厚度,極大地降低了器件成本。通過(guò)旋轉(zhuǎn)或平移攝像組件,可以令攝像組件更準(zhǔn)確地對(duì)準(zhǔn)不同的處理腔內(nèi)的聚焦環(huán),極大地減少了拍攝死角,擴(kuò)展了拍攝角度范圍,通過(guò)攝像組件的升降和俯仰,可以從不同拍攝高度和不同拍攝角度來(lái)拍攝聚焦環(huán)的圖片,通過(guò)將不同高度不同角度拍攝的多張圖片進(jìn)行疊加處理和綜合判斷聚焦環(huán)表面損耗情況,提高了準(zhǔn)確性,通過(guò)攝像組件的俯仰,可以選擇性地拍攝聚焦環(huán)的近端圖像和遠(yuǎn)端圖像,通過(guò)對(duì)比同一個(gè)聚焦環(huán)的不同部位的厚度,能夠更加全面且準(zhǔn)確地判斷聚焦環(huán)的損耗程度,進(jìn)一步提升監(jiān)測(cè)精準(zhǔn)度。
1.一種傳輸腔,其用于半導(dǎo)體處理設(shè)備中,所述傳輸腔通過(guò)真空鎖連接前端模塊,所述傳輸腔連接多個(gè)處理腔,所述處理腔中設(shè)置有聚焦環(huán),其特征在于,所述傳輸腔包含:
2.如權(quán)利要求1所述的傳輸腔,其特征在于,所述對(duì)準(zhǔn)控制組件包含:支撐桿和接頭;所述支撐桿的一端固定連接所述腔體的頂部,所述支撐桿的另一端連接所述接頭,所述接頭分別連接所述支撐桿和所述攝像組件。
3.如權(quán)利要求2所述的傳輸腔,其特征在于,所述對(duì)準(zhǔn)控制組件包含第一驅(qū)動(dòng)電機(jī),所述第一驅(qū)動(dòng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)所述支撐桿升降和旋轉(zhuǎn),以實(shí)現(xiàn)所述攝像組件的升降和旋轉(zhuǎn);所述接頭實(shí)現(xiàn)所述攝像組件的俯仰。
4.如權(quán)利要求2所述的傳輸腔,其特征在于,所述對(duì)準(zhǔn)控制組件包含第二驅(qū)動(dòng)電機(jī),所述第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)所述支撐桿升降,以實(shí)現(xiàn)所述攝像組件的升降;所述接頭采用萬(wàn)象接頭,以實(shí)現(xiàn)所述攝像組件的旋轉(zhuǎn)和俯仰。
5.如權(quán)利要求3或4所述的傳輸腔,其特征在于,所述對(duì)準(zhǔn)控制組件包含密封防護(hù)組件,所述密封防護(hù)組件包含:彈性包覆層和密封組件,所述彈性包覆層包覆住所述支撐桿和接頭,所述密封組件分別連接所述彈性包覆層和所述腔體的頂部。
6.如權(quán)利要求5所述的傳輸腔,其特征在于,所述彈性包覆層的材料采用聚合物材料。
7.如權(quán)利要求5所述的傳輸腔,其特征在于,所述密封組件包含:密封環(huán)、磁流體密封裝置和波紋管,所述密封環(huán)套設(shè)在所述支撐桿上,所述磁流體密封裝置套設(shè)在所述密封環(huán)上,所述波紋管分別連接所述磁流體密封裝置和所述腔體的頂部。
8.如權(quán)利要求1所述的傳輸腔,其特征在于,所述對(duì)準(zhǔn)控制組件包含:磁懸浮軌道,所述磁懸浮軌道設(shè)置在所述腔體的頂部,所述攝像組件可沿所述磁懸浮軌道移動(dòng),并拍攝多個(gè)所述處理腔內(nèi)的聚焦環(huán)。
9.如權(quán)利要求1所述的傳輸腔,其特征在于,所述攝像組件為單目攝像機(jī)或雙目攝像機(jī)。
10.如權(quán)利要求1所述的傳輸腔,其特征在于,所述腔體的側(cè)壁上具有多個(gè)第一基片傳輸口,所述傳輸腔通過(guò)所述第一基片傳輸口連接所述處理腔,所述第一基片傳輸口的周圍設(shè)置至少一個(gè)參考定位標(biāo)志。
11.如權(quán)利要求1-10中任意一項(xiàng)所述的傳輸腔,其特征在于,所述聚焦環(huán)厚度檢測(cè)裝置包含:控制器,所述控制器電路連接所述對(duì)準(zhǔn)控制組件和所述攝像組件,所述控制器控制所述對(duì)準(zhǔn)控制組件實(shí)現(xiàn)所述攝像組件的升降、旋轉(zhuǎn)和俯仰,并控制所述攝像組件對(duì)所述處理腔中的所述聚焦環(huán)的圖像進(jìn)行拍攝,以計(jì)算聚焦環(huán)的厚度。
12.一種半導(dǎo)體處理設(shè)備,其特征在于,包含:
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體處理設(shè)備,其特征在于,所述處理腔包含: