本公開的實施例涉及一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置。

背景技術：

1、低溫多晶硅薄膜晶體管(low-temperature?polycrystalline?silicon?thinfilm?transistor,ltps?tft)技術已經日漸成熟，相比于非晶硅薄膜晶體管和金屬氧化物薄膜晶體管，低溫多晶硅薄膜晶體管具有更高的載流子遷移率，能夠增強采用該低溫多晶硅薄膜晶體管的顯示器件的驅動能力，以降低功耗。目前的低溫多晶硅薄膜晶體管的結構為頂柵結構(top?gate?structure)，在將低溫多晶硅薄膜晶體管用于液晶顯示面板時，需要設計遮光層對溝道區(qū)進行完全覆蓋，否則低溫多晶硅的溝道區(qū)會產生漏光的現(xiàn)象。

技術實現(xiàn)思路

1、本公開至少一實施例提供一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置，在該陣列基板中，遮光層在襯底基板上的正投影至少覆蓋第一溝道區(qū)和第一過孔結構在襯底基板上的正投影，該陣列基板通過調整遮光層的設計可以減少后續(xù)形成的顯示面板的漏電流，以提升像素電容的保持能力，從而可以改善低頻下閃爍的問題，而且還可以保證后續(xù)形成的顯示面板的開口率。

2、本公開至少一實施例提供一種陣列基板，該陣列基板包括襯底基板和層疊設置在所述襯底基板上的半導體層和遮光層，所述半導體層包括相對設置的第一分支部和第二分支部，以及連接所述第一分支部和所述第二分支部的連接部，所述第一分支部包括第一溝道區(qū)，所述第二分支部包括第二溝道區(qū)，在所述第一分支部的遠離所述襯底基板的一側具有第一過孔結構，且所述第一過孔結構在所述襯底基板上的正投影位于所述第一分支部的遠離所述連接部的端部在所述襯底基板上的正投影之內；所述遮光層在所述襯底基板上的正投影至少覆蓋所述第一溝道區(qū)和所述第一過孔結構在所述襯底基板上的正投影。

3、例如，在本公開至少一實施例提供的陣列基板中，所述第二分支部的遠離所述襯底基板的一側具有第二過孔結構，且所述第二過孔結構在所述襯底基板上的正投影位于所述第二分支部的遠離所述連接部的端部在所述襯底基板上的正投影之內，所述第二過孔結構與所述連接部之間的最小距離大于或者等于所述第一過孔結構與所述連接部之間的最小距離。

4、例如，在本公開至少一實施例提供的陣列基板中，所述第二過孔結構在所述襯底基板上的正投影位于所述遮光層在所述襯底基板上的正投影之外。

5、例如，在本公開至少一實施例提供的陣列基板中，所述襯底基板上設置有多個薄膜晶體管，所述遮光層的對應于不同的所述薄膜晶體管的部分相互間隔，所述遮光層的對應于同一個所述薄膜晶體管的所述第一溝道區(qū)和所述第二溝道區(qū)的部分為一個整體結構。

6、例如，在本公開至少一實施例提供的陣列基板中，所述第一分支部和所述第二分支部均沿第一方向延伸，所述連接部沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸，所述第一分支部、所述第二分支部和所述連接部圍設形成開口區(qū)域，所述遮光層覆蓋至少部分所述開口區(qū)域。

7、例如，本公開至少一實施例提供的陣列基板還包括設置在所述半導體層的遠離所述襯底基板的一側的第一金屬層，所述第一金屬層包括在所述第二方向上延伸的柵線，所述柵線包括第一柵極和第二柵極，所述第一柵極在所述襯底基板上的正投影和所述第一溝道區(qū)在所述襯底基板上的正投影交疊，所述第二柵極在所述襯底基板上的正投影和所述第二溝道區(qū)在所述襯底基板上的正投影交疊。

8、例如，在本公開至少一實施例提供的陣列基板中，在所述第一方向上所述遮光層和所述連接部之間具有間隙。

9、例如，在本公開至少一實施例提供的陣列基板中，所述襯底基板上設置有多個薄膜晶體管，所述遮光層的對應于不同的所述薄膜晶體管的部分相互間隔，所述遮光層的對應于同一個所述薄膜晶體管的所述第一溝道區(qū)和所述第二溝道區(qū)的部分分別為第一子遮光部和第二子遮光部，且所述第一子遮光部和所述第二子遮光部相互間隔。

10、例如，在本公開至少一實施例提供的陣列基板中，所述第一過孔結構在所述襯底基板上的正投影位于所述第一子遮光部在所述襯底基板上的正投影內，所述第二過孔結構在所述襯底基板上的正投影位于所述第二子遮光部在所述襯底基板上的正投影之外。

11、本公開至少一實施例還提供一種顯示面板，該顯示面板包括相對設置的第一基板和第二基板，其中，所述第一基板包括襯底基板和層疊設置在所述襯底基板上的半導體層和遮光層；所述第二基板包括黑矩陣；所述半導體層包括相對設置的第一分支部和第二分支部，以及連接所述第一分支部和所述第二分支部的連接部，所述第一分支部包括第一溝道區(qū)，所述第二分支部包括第二溝道區(qū)，在所述第一分支部的遠離所述襯底基板的一側具有第一過孔結構，且所述第一過孔結構在所述襯底基板上的正投影位于所述第一分支部的遠離所述連接部的端部在所述襯底基板上的正投影之內；所述遮光層在所述襯底基板上的正投影位于所述黑矩陣在所述襯底基板上的正投影之內，且至少覆蓋所述第一溝道區(qū)和所述第一過孔結構在所述襯底基板上的正投影。

12、例如，在本公開至少一實施例提供的顯示面板中，所述第二分支部的遠離所述連接部的端部對應第二過孔結構，所述第二過孔結構相對于所述第一過孔結構更遠離所述連接部。

13、例如，在本公開至少一實施例提供的顯示面板中，所述遮光層的材料包括導電金屬，所述黑矩陣在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第二過孔結構在所述襯底基板上的正投影，且所述第二過孔結構在所述襯底基板上的正投影位于所述遮光層在所述襯底基板上的正投影之外。

14、例如，在本公開至少一實施例提供的顯示面板中，所述第一基板上設置有多個薄膜晶體管，所述遮光層的對應于不同的所述薄膜晶體管的部分相互間隔，所述遮光層的對應于同一個所述薄膜晶體管的所述第一溝道區(qū)和所述第二溝道區(qū)的部分為一個整體結構。

15、例如，在本公開至少一實施例提供的顯示面板中，所述第一分支部和所述第二分支部均沿第一方向延伸，所述連接部沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸，所述第一分支部、所述第二分支部和所述連接部圍設形成開口區(qū)域，所述遮光層覆蓋至少部分所述開口區(qū)域。

16、例如，在本公開至少一實施例提供的顯示面板中，所述第一基板還包括設置在所述半導體層的遠離所述襯底基板的一側的第一金屬層，所述第一金屬層包括在所述第二方向上延伸的柵線，所述柵線包括第一柵極和第二柵極，所述第一柵極在所述襯底基板上的正投影和所述第一溝道區(qū)在所述襯底基板上的正投影交疊，所述第二柵極在所述襯底基板上的正投影和所述第二溝道區(qū)在所述襯底基板上的正投影交疊。

17、例如，在本公開至少一實施例提供的顯示面板中，所述第一柵極在所述襯底基板上的正投影在所述黑矩陣在所述襯底基板上的正投影之內，所述第二柵極在所述襯底基板上的正投影在所述黑矩陣在所述襯底基板上的正投影之內。

18、例如，在本公開至少一實施例提供的顯示面板中，在所述第一方向上所述遮光層和所述連接部之間具有間隙。

19、例如，在本公開至少一實施例提供的顯示面板中，所述遮光層的對應所述第一分支部的部分的靠近所述連接部的邊緣在所述襯底基板上的正投影與所述黑矩陣的對應所述第一分支部的部分的靠近所述連接部的邊緣在所述襯底基板上的正投影交疊。

20、例如，在本公開至少一實施例提供的顯示面板中，所述遮光層的對應所述第一分支部的部分的最遠離所述連接部的邊緣在所述襯底基板上的正投影和所述黑矩陣的對應所述第一分支部的部分的最遠離所述連接部的邊緣在所述襯底基板上的正投影相交疊。

21、例如，在本公開至少一實施例提供的顯示面板中，所述遮光層的遠離所述連接部的邊在所述襯底基板上的正投影包括位于所述第一過孔結構的遠離所述連接部的一側的第一部分和位于所述第二過孔結構的遠離所述連接部的一側的第二部分，所述第二部分在所述襯底基板上的正投影位于所述黑矩陣的最遠離所述第二過孔結構的邊在所述襯底基板上的正投影之內。

22、例如，在本公開至少一實施例提供的顯示面板中，所述第一基板上設置有多個薄膜晶體管，所述遮光層的對應于不同的所述薄膜晶體管的部分相互間隔，所述遮光層的對應于同一個所述薄膜晶體管的所述第一溝道區(qū)和所述第二溝道區(qū)的部分分別為第一子遮光部和第二子遮光部，且所述第一子遮光部和所述第二子遮光部相互間隔。

23、例如，在本公開至少一實施例提供的顯示面板中，所述第一過孔結構在所述襯底基板上的正投影位于所述第一子遮光部在所述襯底基板上的正投影內，所述第二過孔結構在所述襯底基板上的正投影位于所述第二子遮光部在所述襯底基板上的正投影之外。

24、例如，在本公開至少一實施例提供的顯示面板中，所述第二分支部的遠離所述連接部的端部對應第二過孔結構，所述第二過孔結構和所述連接部之間的最大距離等于所述第一過孔結構和所述連接部之間的最大距離。

25、例如，在本公開至少一實施例提供的顯示面板中，所述遮光層的材料包括非導電遮光材料，所述黑矩陣在所述襯底基板上的正投影和所述遮光層在所述襯底基板上的正投影均覆蓋所述第二過孔結構在所述襯底基板上的正投影。

26、例如，在本公開至少一實施例提供的顯示面板中，所述第一基板上設置有多個薄膜晶體管，所述遮光層的對應于不同的所述薄膜晶體管的部分相互間隔，所述遮光層的對應于同一個所述薄膜晶體管的所述第一溝道區(qū)和所述第二溝道區(qū)的部分為整體結構或者為相互間隔的結構。

27、本公開至少一實施例還提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述任一實施例所述的陣列基板，或者如上任一實施例所述的顯示面板。