本發(fā)明涉及微電子技術(shù)及封裝，尤其涉及一種電子器件及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、針對大功率射頻芯片以及對應(yīng)的匹配電容等無源器件，隨著功率的增加，長寬比也隨之增加。為實現(xiàn)長寬比較大的芯片以及電容等無源器件，現(xiàn)有技術(shù)中通常是將多顆小的長寬比芯片和無源器件拼接在一起。

2、但是，這種方法的不足之處在于每顆芯片都需要單獨的做芯片貼裝，存在效率低的問題。同時每顆芯片外圍都需要劃片道，也無法做到零間距緊靠在一起，這就導(dǎo)致芯片靠近處需要預(yù)留空間，進而會造成芯片成本的浪費，同時同等面積下芯片發(fā)揮不出更優(yōu)的特性。因此，高長寬比的芯片及無源器件封裝后不出現(xiàn)裂紋失效是目前急需解決的問題。

3、此外，由于大功率芯片及對應(yīng)匹配電容需要封裝在相應(yīng)的管殼里，管殼與芯片及電容等無源器件是不同材料，其熱膨脹系數(shù)也不同，那么長寬比較大的芯片及無源器件與管殼封裝后，會受到較大應(yīng)力。生產(chǎn)制造后期以及后續(xù)使用中，產(chǎn)品經(jīng)歷溫度變化會出現(xiàn)疲勞失效的斷裂情況。那么芯片與電容等無源器件的長寬比就受到了限制，因此，保證高長寬比電子器件的穩(wěn)定性以及工作性能尤為重要。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供了一種電子器件及其制備方法，以保證電子器件在在凹槽結(jié)構(gòu)位置釋放應(yīng)力，避免基板發(fā)生斷裂，進而能夠保證電子器件的穩(wěn)定性以及可靠性。

2、第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種電子器件，包括基板，所述基板包括沿第一方向延伸的第一邊緣以及沿第二方向延伸的第二邊緣，所述第一方向和所述第二方向相交且均與所述基板所在平面平行；所述第一邊緣的長度為l1，所述第二邊緣的長度為l2；其中，l1≥3*l2；

3、所述電子器件還包括位于所述基板表面的凹槽結(jié)構(gòu)，所述凹槽結(jié)構(gòu)包括至少一個凹槽，沿所述基板的厚度方向，所述凹槽貫穿至少部分所述基板；所述凹槽結(jié)構(gòu)的延伸方向與所述第一方向相交。

4、可選的，沿所述基板的厚度方向，所述凹槽的深度為h1，所述基板的厚度為h2；

5、其中，1％≤h1/h2≤90％。

6、可選的，所述基板包括相對設(shè)置的第一表面和第二表面；

7、所述凹槽結(jié)構(gòu)包括位于所述第一表面的第一凹槽結(jié)構(gòu)以及位于所述第二表面的第二凹槽結(jié)構(gòu)；

8、所述第一凹槽結(jié)構(gòu)包括至少一個第一凹槽，所述第二凹槽結(jié)構(gòu)包括至少一個第二凹槽，沿所述基板的厚度方向，所述第一凹槽和所述第二凹槽交疊。

9、可選的，沿所述基板的厚度方向，所述凹槽貫穿所述基板；沿所述凹槽結(jié)構(gòu)的延伸方向，所述凹槽未貫穿所述基板；

10、或者，沿所述基板的厚度方向，所述凹槽未貫穿所述基板；沿所述凹槽結(jié)構(gòu)的延伸方向，所述凹槽貫穿所述基板。

11、可選的，所述凹槽結(jié)構(gòu)包括一個整體凹槽，所述整體凹槽的延伸方向與所述第一方向相交；

12、或者，所述凹槽結(jié)構(gòu)包括多個分立凹槽，多個所述分立凹槽的排列方向與所述第一方向相交。

13、可選的，所述電子器件還包括位于所述基板表面的至少兩個電路設(shè)置區(qū)，所述電路設(shè)置區(qū)設(shè)置有電極結(jié)構(gòu)；

14、至少兩個所述電路設(shè)置區(qū)包括沿所述第一方向排列的第一電路設(shè)置區(qū)和第二電路設(shè)置區(qū)，且沿所述第一方向，所述第一電路設(shè)置區(qū)和所述第二電路設(shè)置區(qū)之間的最小距離為d1，其中，d1＜200μm。

15、第二方面，本發(fā)明實施例還提供了一種電子器件，包括沿第一方向排列的第一子電子器件和第二子電子器件；

16、所述第一子電子器件包括第一基板，所述第一基板包括沿所述第一方向延伸的第三邊緣；

17、所述第二子電子器件包括第二基板，所述第二基板包括沿所述第一方向延伸的第四邊緣；

18、其中，所述第三邊緣和所述第四邊緣位于同一直線上。

19、可選的，所述第一基板還包括沿第二方向延伸的第五邊緣，所述第二基板還包括沿所述第二方向延伸的第六邊緣；所述第二方向與所述第一方向相交；

20、沿所述第一方向，所述第三邊緣的延伸長度為l3，所述第四邊緣的延伸長度為l4；沿所述第二方向，所述第五邊緣的延伸長度為l5，所述第六邊緣的延伸長度為l6；

21、其中，l5＝l6，且，(l3+l4)≥3*l5。

22、可選的，所述第一子電子器件還包括位于所述第一基板表面的第三電路設(shè)置區(qū)，所述第三電路設(shè)置區(qū)設(shè)置有電極結(jié)構(gòu)；所述第二子電子器件還包括位于所述第二基板表面的第四電路設(shè)置區(qū)，所述第四電路設(shè)置區(qū)設(shè)置有電極結(jié)構(gòu)；

23、沿所述第一方向，所述第三電路設(shè)置區(qū)和所述第四電路設(shè)置區(qū)之間的最小距離為d2，其中，d2＜200μm。

24、第三方面，本發(fā)明實施例還提供了一種電子器件的制備方法，包括：

25、提供基板，所述基板包括沿第一方向延伸的第一邊緣以及沿第二方向延伸的第二邊緣，所述第一方向和所述第二方向相交且均與所述基板所在平面平行；所述第一邊緣的長度為l1，所述第二邊緣的長度為l2；其中，l1≥3*l2；

26、在所述基板表面制備凹槽結(jié)構(gòu)，所述凹槽結(jié)構(gòu)包括至少一個凹槽，沿所述基板的厚度方向，所述凹槽貫穿至少部分所述基板；所述凹槽結(jié)構(gòu)的延伸方向與所述第一方向相交。

27、本發(fā)明實施例的技術(shù)方案，電子器件包括基板，基板的第一邊緣長度l1與基板的第二邊緣長度l2滿足l1≥3*l2。也就是說，電子器件為長寬比較大的大功率電子器件。進一步的，通過在電子器件基板的表面設(shè)置凹槽結(jié)構(gòu)，凹槽結(jié)構(gòu)包括至少一個凹槽，沿基板的厚度方向，凹槽貫穿至少部分基板，如此能夠保證電子器件在凹槽結(jié)構(gòu)位置釋放應(yīng)力，避免基板發(fā)生斷裂，或者即使對電子器件進行貼片、封裝或者后續(xù)使用時出現(xiàn)裂紋，可以控制裂紋僅出現(xiàn)在凹槽結(jié)構(gòu)的位置，保證裂紋位置可控，避免影響電子器件正常工作。

28、應(yīng)當(dāng)理解，本部分所描述的內(nèi)容并非旨在標識本發(fā)明的實施例的關(guān)鍵或重要特征，也不用于限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的其它特征將通過以下的說明書而變得容易理解。

技術(shù)特征：

1.一種電子器件，其特征在于，包括基板，所述基板包括沿第一方向延伸的第一邊緣以及沿第二方向延伸的第二邊緣，所述第一方向和所述第二方向相交且均與所述基板所在平面平行；所述第一邊緣的長度為l1，所述第二邊緣的長度為l2；其中，l1≥3*l2；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，沿所述基板的厚度方向，所述凹槽的深度為h1，所述基板的厚度為h2；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子器件，其特征在于，所述基板包括相對設(shè)置的第一表面和第二表面；

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，沿所述基板的厚度方向，所述凹槽貫穿所述基板；沿所述凹槽結(jié)構(gòu)的延伸方向，所述凹槽未貫穿所述基板；

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，所述凹槽結(jié)構(gòu)包括一個整體凹槽，所述整體凹槽的延伸方向與所述第一方向相交；

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，所述電子器件還包括位于所述基板表面的至少兩個電路設(shè)置區(qū)，所述電路設(shè)置區(qū)設(shè)置有電極結(jié)構(gòu)；

7.一種電子器件，其特征在于，包括沿第一方向排列的第一子電子器件和第二子電子器件；

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子器件，其特征在于，所述第一基板還包括沿第二方向延伸的第五邊緣，所述第二基板還包括沿所述第二方向延伸的第六邊緣；所述第二方向與所述第一方向相交；

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子器件，其特征在于，所述第一子電子器件還包括位于所述第一基板表面的第三電路設(shè)置區(qū)，所述第三電路設(shè)置區(qū)設(shè)置有電極而機構(gòu)；所述第二子電子器件還包括位于所述第二基板表面的第四電路設(shè)置區(qū)，所述第四電路設(shè)置區(qū)設(shè)置有電極結(jié)構(gòu)；

10.一種電子器件的制備方法，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種電子器件及其制備方法，該電子器件包括基板，所述基板包括沿第一方向延伸的第一邊緣以及沿第二方向延伸的第二邊緣，所述第一方向和所述第二方向相交且均與所述基板所在平面平行；所述第一邊緣的長度為L1，所述第二邊緣的長度為L2；其中，L1≥3*L2；所述電子器件還包括位于所述基板表面的凹槽結(jié)構(gòu)，所述凹槽結(jié)構(gòu)包括至少一個凹槽，沿所述基板的厚度方向，所述凹槽貫穿至少部分所述基板；所述凹槽結(jié)構(gòu)的延伸方向與所述第一方向相交。采用上述技術(shù)方案，通過在基板表面設(shè)置凹槽結(jié)構(gòu)，能夠保證電子器件在凹槽結(jié)構(gòu)位置釋放應(yīng)力，避免基板發(fā)生斷裂，進而能夠保證電子器件的穩(wěn)定性以及可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：楊瓊,繆嘉慶
受保護的技術(shù)使用者：蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2