本發(fā)明涉及微電子及封裝，尤其涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及封裝器件。

背景技術(shù)：

1、陶瓷封裝具有大功率、高可靠、氣密封裝等特點(diǎn)，在高可靠性要求的封裝領(lǐng)域必不可少。

2、隨著封裝所需求的功率越來越大，需要實(shí)現(xiàn)多個(gè)功率芯片的陶瓷封裝，現(xiàn)有技術(shù)通過將多個(gè)封裝有單個(gè)功率芯片的獨(dú)立的封裝器件拼接在一起以滿足大功率需求，但多個(gè)獨(dú)立的封裝器件制造成本更高，原材料成本也更高，且封裝一致性較差。

3、若要在同一個(gè)封裝器件內(nèi)組裝多個(gè)功率芯片，則需要封裝器件具有較大的腔體尺寸，且封裝器件中陶瓷管殼的腔體為了容納多個(gè)功率芯片，就需要長寬比更高的設(shè)計(jì)。由于陶瓷材料具有低的熱膨脹系數(shù)，而封裝器件底部的金屬往往熱膨脹系數(shù)較大，使得陶瓷管殼和金屬焊接在一起時(shí)，會(huì)因熱膨脹系數(shù)不一致而出現(xiàn)陶瓷開裂的問題，這就會(huì)限制陶瓷管殼的尺寸尤其是長寬比的增加。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供了一種封裝結(jié)構(gòu)及封裝器件，以在一個(gè)封裝器件內(nèi)實(shí)現(xiàn)大功率封裝的同時(shí)，解決陶瓷開裂的問題。

2、根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種封裝結(jié)構(gòu)，包括金屬基板以及位于所述金屬基板一側(cè)的陶瓷墻體結(jié)構(gòu)和引線；

3、所述陶瓷墻體結(jié)構(gòu)包括至少兩個(gè)腔體，所述腔體與所述金屬基板靠近所述陶瓷墻體結(jié)構(gòu)一側(cè)的表面連通，所述引線與所述陶瓷墻體結(jié)構(gòu)連接；

4、至少兩個(gè)所述腔體包括第一腔體和第二腔體，所述第一腔體和所述第二腔體沿第一方向排列，所述第一方向平行于所述金屬基板靠近所述陶瓷墻體結(jié)構(gòu)一側(cè)的表面。

5、可選的，所述陶瓷墻體結(jié)構(gòu)的長寬比大于或等于3。

6、可選的，所述第一腔體和所述第二腔體相鄰設(shè)置，所述第一腔體和所述第二腔體之間的最短距離為d1，其中，d1≤1mm。

7、可選的，所述陶瓷墻體結(jié)構(gòu)包括至少兩個(gè)陶瓷墻體，至少兩個(gè)所述陶瓷墻體包括第一陶瓷墻體和第二陶瓷墻體，所述第一陶瓷墻體和所述第二陶瓷墻體相鄰設(shè)置，且所述第一陶瓷墻體圍繞所述第一腔體設(shè)置，所述第二陶瓷墻體圍繞所述第二腔體設(shè)置；

8、所述第一陶瓷墻體和所述第二陶瓷墻體之間的最短距離小于或等于200μm。

9、可選的，所述陶瓷墻體結(jié)構(gòu)包括至少兩個(gè)陶瓷墻體，至少兩個(gè)所述陶瓷墻體包括第一陶瓷墻體和第二陶瓷墻體，所述第一陶瓷墻體和所述第二陶瓷墻體相鄰設(shè)置，且所述第一陶瓷墻體圍繞所述第一腔體設(shè)置，所述第二陶瓷墻體圍繞所述第二腔體設(shè)置；

10、所述第一陶瓷墻體包括相互連接的第一子墻體和第二子墻體，所述第一子墻體位于所述第二子墻體靠近所述第二陶瓷墻體的一側(cè)；

11、所述第二陶瓷墻體包括相互連接的第三子墻體和第四子墻體，所述第三子墻體位于所述第四子墻體靠近所述第一陶瓷墻體的一側(cè)；

12、所述第一子墻體的厚度小于所述第二子墻體的厚度，和/或，所述第三子墻體的厚度小于所述第四子墻體的厚度。

13、可選的，所述陶瓷墻體結(jié)構(gòu)包括至少兩個(gè)陶瓷墻體，至少兩個(gè)所述陶瓷墻體包括第一陶瓷墻體和第二陶瓷墻體，所述第一陶瓷墻體和所述第二陶瓷墻體相鄰設(shè)置，且所述第一陶瓷墻體圍繞所述第一腔體設(shè)置，所述第二陶瓷墻體圍繞所述第二腔體設(shè)置；

14、所述第一陶瓷墻體包括相互連接的第一子墻體和第二子墻體，所述第一子墻體位于所述第二子墻體靠近所述第二陶瓷墻體的一側(cè)；

15、所述第二陶瓷墻體包括相互連接的第三子墻體和第四子墻體，所述第三子墻體位于所述第四子墻體靠近所述第一陶瓷墻體的一側(cè)；

16、所述第一子墻體和所述第三子墻體為同一子墻體結(jié)構(gòu)。

17、可選的，所述陶瓷墻體結(jié)構(gòu)包括至少兩個(gè)陶瓷墻體，至少兩個(gè)所述陶瓷墻體和至少兩個(gè)所述腔體對應(yīng)設(shè)置；

18、所述封裝結(jié)構(gòu)包括至少兩個(gè)所述引線，至少兩個(gè)所述引線和至少兩個(gè)所述陶瓷墻體對應(yīng)連接；

19、所述引線包括第一子引線和第二子引線，所述第一子引線和所述第二子引線分別位于所述陶瓷墻體的相對兩側(cè)，且所述第一子引線和所述第二子引線的排列方向與所述第一方向相交。

20、可選的，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括封裝蓋板，所述封裝蓋板位于所述陶瓷墻體結(jié)構(gòu)背離所述金屬基板的一側(cè)，且所述封裝蓋板覆蓋所述腔體。

21、可選的，所述陶瓷墻體結(jié)構(gòu)包括至少兩個(gè)陶瓷墻體，至少兩個(gè)所述陶瓷墻體和至少兩個(gè)所述腔體對應(yīng)設(shè)置；

22、至少兩個(gè)所述陶瓷墻體的高度相同。

23、根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種封裝器件，包括第一方面所述的任一封裝結(jié)構(gòu)和電子元件，所述電子元件位于所述腔體內(nèi)，且所述電子元件與所述引線電連接。

24、本發(fā)明實(shí)施例提供的封裝結(jié)構(gòu)及封裝器件，通過在同一金屬基板上設(shè)置陶瓷墻體結(jié)構(gòu)，形成至少兩個(gè)腔體，獲得整體長寬比例較大的封裝結(jié)構(gòu)，在一個(gè)封裝結(jié)構(gòu)中可實(shí)現(xiàn)多個(gè)電子元件的陶瓷封裝，滿足大功率多電子元件的組合封裝的同時(shí)，還可降低單個(gè)腔體的長寬比，保證單個(gè)腔體的長寬比不會(huì)過大，從而解決陶瓷墻體結(jié)構(gòu)與金屬基板熱膨脹系數(shù)不匹配而出現(xiàn)開裂的問題。此外，本發(fā)明實(shí)施例提供的封裝結(jié)構(gòu)，多個(gè)電子元件可封裝在同一個(gè)金屬基板上，集成度更高，成本更低，裝配的一致性更好。

25、應(yīng)當(dāng)理解，本部分所描述的內(nèi)容并非旨在標(biāo)識(shí)本發(fā)明的實(shí)施例的關(guān)鍵或重要特征，也不用于限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的其它特征將通過以下的說明書而變得容易理解。

技術(shù)特征：

1.一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括金屬基板以及位于所述金屬基板一側(cè)的陶瓷墻體結(jié)構(gòu)和引線；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，

10.一種封裝器件，其特征在于，包括權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu)和電子元件，所述電子元件位于所述腔體內(nèi)，且所述電子元件與所述引線電連接。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種封裝結(jié)構(gòu)及封裝器件。其中，封裝結(jié)構(gòu)包括金屬基板以及位于金屬基板一側(cè)的陶瓷墻體結(jié)構(gòu)和引線，陶瓷墻體結(jié)構(gòu)包括至少兩個(gè)腔體，腔體與金屬基板靠近陶瓷墻體結(jié)構(gòu)一側(cè)的表面連通，引線與陶瓷墻體結(jié)構(gòu)連接，至少兩個(gè)腔體包括第一腔體和第二腔體，第一腔體和第二腔體沿第一方向排列，第一方向平行于金屬基板靠近陶瓷墻體結(jié)構(gòu)一側(cè)的表面。本發(fā)明實(shí)施例提供的封裝結(jié)構(gòu)及封裝器件，通過在同一金屬基板上設(shè)置至少兩個(gè)獨(dú)立的腔體，滿足大功率多電子元件的組合封裝的同時(shí)，還可降低單個(gè)腔體的長寬比，解決陶瓷墻體結(jié)構(gòu)與金屬基板熱膨脹系數(shù)不匹配而出現(xiàn)開裂的問題，且集成度更高，成本更低，裝配的一致性更好。

技術(shù)研發(fā)人員：楊瓊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2