本申請(qǐng)涉及光伏，特別是涉及一種太陽(yáng)能電池制備方法、太陽(yáng)能電池及光伏組件。

背景技術(shù)：

1、交叉指式背接觸電池(interdigitated?back?contact，ibc)又稱全背電極接觸晶硅太陽(yáng)電池，其正面無(wú)柵線，背面正負(fù)金屬柵線呈指狀交叉排列。由于這種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)避免了金屬柵線電極對(duì)光線的遮擋，并且ibc電池的前背表面均采用金字塔結(jié)構(gòu)和抗反射層，能夠最大程度地利用入射光，相比現(xiàn)有的發(fā)射極和背面鈍化電池(passivated?emitter?andrear?cell，perc)電池光學(xué)損失小，光電轉(zhuǎn)換效率高。

2、但是，現(xiàn)有的ibc電池的制備過(guò)程中，需要通過(guò)硼擴(kuò)動(dòng)作在膜層上形成p區(qū)和n區(qū)，流程復(fù)雜，加工困難，ibc電池生產(chǎn)成本高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N太陽(yáng)能電池制備方法、太陽(yáng)能電池及光伏組件，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中的ibc電池制備過(guò)程涉及硼擴(kuò)散等擴(kuò)散工序，制備復(fù)雜，生產(chǎn)成本高的問(wèn)題。

2、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N太陽(yáng)能電池制備方法，包括：

3、在單晶硅襯底的背面沉積硅基氧化物和含磷的多晶硅膜層得到第一中間產(chǎn)物；

4、根據(jù)預(yù)先設(shè)置的隧穿結(jié)圖形對(duì)所述第一中間產(chǎn)物的背面執(zhí)行隧穿結(jié)動(dòng)作得到第二中間產(chǎn)物，其中，所述隧穿結(jié)圖形用于供隧穿結(jié)設(shè)備在所述第一中間產(chǎn)物的背面開n區(qū)和p區(qū)；

5、在所述第二中間產(chǎn)物的背面沉積所述硅基氧化物和含氮的多晶硅膜層得到第三中間產(chǎn)物；

6、在所述第三中間產(chǎn)物的背面沉積氮化硅膜層得到第四中間產(chǎn)物；

7、根據(jù)所述第四中間產(chǎn)物燒結(jié)制備太陽(yáng)能電池。

8、可選的，本申請(qǐng)?zhí)峁┑奶?yáng)能電池制備還包括：

9、在所述單晶硅襯底的背面沉積所述硅基氧化物得到第一沉積結(jié)果；

10、在所述第一沉積結(jié)果的背面沉積所述含磷的多晶硅膜層得到所述第一中間產(chǎn)物。

11、可選的，本申請(qǐng)?zhí)峁┑奶?yáng)能電池制備還包括：

12、通過(guò)低壓化學(xué)氣相沉積將所述硅基氧化物沉積到所述單晶硅襯底的背面得到所述第一沉積結(jié)果。

13、可選的，本申請(qǐng)?zhí)峁┑奶?yáng)能電池制備還包括：

14、根據(jù)預(yù)先設(shè)置的第一激光圖形在所述第一中間產(chǎn)物的背面執(zhí)行激光開膜動(dòng)作得到第一開膜結(jié)果，其中，所述第一激光圖形用于供激光發(fā)射設(shè)備在所述第一中間產(chǎn)物的背面開n區(qū)；

15、在所述第一開膜結(jié)果的背面沉積氮化硅膜層得到第五中間產(chǎn)物；

16、根據(jù)預(yù)先設(shè)置的第二激光圖形在所述第五中間產(chǎn)物的背面執(zhí)行激光開膜動(dòng)作得到所述第二中間產(chǎn)物，其中，所述第二激光圖形用于供所述激光發(fā)射設(shè)備在所述第五中間產(chǎn)物的背面開p區(qū)。

17、可選的，本申請(qǐng)?zhí)峁┑奶?yáng)能電池制備還包括：

18、根據(jù)預(yù)先設(shè)置的第一網(wǎng)版印刷圖形在所述第一中間產(chǎn)物的背面執(zhí)行隧穿結(jié)動(dòng)作得到第一開膜結(jié)果，其中，所述第一網(wǎng)版印刷圖形用于供隧穿結(jié)設(shè)備在所述第一中間產(chǎn)物的背面開n區(qū)；

19、在所述第一開膜結(jié)果的背面沉積氮化硅膜層得到第六中間產(chǎn)物；

20、根據(jù)預(yù)先設(shè)置的第二網(wǎng)版印刷圖形在所述第六中間產(chǎn)物的背面執(zhí)行隧穿結(jié)動(dòng)作得到所述第二中間產(chǎn)物，其中，所述第二網(wǎng)版印刷圖形用于供所述隧穿結(jié)設(shè)備在所述第五中間產(chǎn)物的背面開p區(qū)。

21、可選的，本申請(qǐng)?zhí)峁┑奶?yáng)能電池制備還包括：

22、根據(jù)預(yù)先設(shè)置的第三激光圖形在所述第四中間產(chǎn)物的背面執(zhí)行激光開膜動(dòng)作獲取激光開膜后的第四中間產(chǎn)物，其中，所述第三激光圖形用于供所述激光發(fā)射設(shè)備在所述第四中間產(chǎn)物的背面形成氮化硅隔離區(qū)。

23、可選的，本申請(qǐng)?zhí)峁┑奶?yáng)能電池制備還包括：

24、對(duì)所述第四中間產(chǎn)物進(jìn)行正負(fù)電極漿料的絲網(wǎng)印刷，得到絲網(wǎng)印刷中間產(chǎn)物；

25、對(duì)所述絲網(wǎng)印刷中間產(chǎn)物燒結(jié)制備所述太陽(yáng)能電池。

26、第二方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N太陽(yáng)能電池，通過(guò)第一方面任一一種太陽(yáng)能電池制備方法制備得到，包括：?jiǎn)尉Ч枰r底和位于所述單晶硅襯底的背面膜層結(jié)構(gòu)；

27、所述背面膜層結(jié)構(gòu)包括：依次層疊設(shè)置的硅基氧化物膜層、含磷的多晶硅膜層、第一氮化硅膜層、含氮的多晶硅膜層、第二氮化硅膜層和絲網(wǎng)印刷膜層。

28、可選的，本申請(qǐng)?zhí)峁┑奶?yáng)能電池中，第一氮化硅膜層厚度為5nm至60nm；

29、所述第二氮化硅膜層厚度為50nm至120nm。

30、第三方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N光伏組件，包括若干個(gè)本申請(qǐng)所述的太陽(yáng)能電池。

31、本申請(qǐng)?zhí)峁┑奶?yáng)能電池制備方法中，通過(guò)在襯底的背面兩次沉積硅基氧化物和多晶硅膜層，并根據(jù)預(yù)設(shè)的激光圖形，通過(guò)隧穿結(jié)方式得到第二中間產(chǎn)物，由于能夠通過(guò)沉積和隧穿結(jié)方式在單晶硅襯底開出p區(qū)和n區(qū)，避免了現(xiàn)有硼擴(kuò)散的加工工藝，簡(jiǎn)化了太陽(yáng)能電池生產(chǎn)工藝，簡(jiǎn)化了太陽(yáng)能電池生產(chǎn)工藝，降低了太陽(yáng)能電池生產(chǎn)成本。

32、上述說(shuō)明僅是本申請(qǐng)?zhí)峁┑募夹g(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本申請(qǐng)的技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本申請(qǐng)的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉本申請(qǐng)的具體實(shí)施方式。

技術(shù)特征：

1.一種太陽(yáng)能電池制備方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在單晶硅襯底的背面沉積硅基氧化物和含磷的多晶硅膜層得到第一中間產(chǎn)物包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述單晶硅襯底的背面沉積硅基氧化物得到第一沉積結(jié)果包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述隧穿結(jié)圖形為激光圖形，所述根據(jù)預(yù)先設(shè)置的隧穿結(jié)圖形對(duì)所述第一中間產(chǎn)物的背面執(zhí)行隧穿結(jié)動(dòng)作得到第二中間產(chǎn)物包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述隧穿結(jié)圖形為網(wǎng)版印刷圖形，所述根據(jù)預(yù)先設(shè)置的隧穿結(jié)圖形對(duì)所述第一中間產(chǎn)物的背面執(zhí)行隧穿結(jié)動(dòng)作得到第二中間產(chǎn)物包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第三中間產(chǎn)物的背面沉積氮化硅膜層得到第四中間產(chǎn)物之后，所述根據(jù)所述第四中間產(chǎn)物燒結(jié)制備太陽(yáng)能電池之前，還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，根據(jù)所述第四中間產(chǎn)物燒結(jié)制備太陽(yáng)能電池包括：

8.一種太陽(yáng)能電池，其特征在于，由權(quán)利要求1-7任一所述的太陽(yáng)能電池制備方法制備得到，包括：?jiǎn)尉Ч枰r底和位于所述單晶硅襯底的背面膜層結(jié)構(gòu)；

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述第一氮化硅膜層厚度為5nm至60nm；

10.一種光伏組件，其特征在于，包括若干個(gè)權(quán)利要求8-9中任一所述的太陽(yáng)能電池。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┝颂?yáng)能電池制備方法、太陽(yáng)能電池及光伏組件。方法，包括：在單晶硅襯底的背面沉積硅基氧化物和含磷的多晶硅膜層得到第一中間產(chǎn)物；根據(jù)預(yù)先設(shè)置的隧穿結(jié)圖形對(duì)所述第一中間產(chǎn)物的背面執(zhí)行隧穿結(jié)動(dòng)作得到第二中間產(chǎn)物，其中，所述隧穿結(jié)圖形用于供隧穿結(jié)設(shè)備在所述第一中間產(chǎn)物的背面開N區(qū)和P區(qū)；在所述第二中間產(chǎn)物的背面沉積所述硅基氧化物和含氮的多晶硅膜層得到第三中間產(chǎn)物；在所述第三中間產(chǎn)物的背面沉積氮化硅膜層得到第四中間產(chǎn)物；根據(jù)所述第四中間產(chǎn)物燒結(jié)制備太陽(yáng)能電池。由于能夠通過(guò)沉積和隧穿結(jié)方式在單晶硅襯底開出P區(qū)和N區(qū)，避免了現(xiàn)有硼擴(kuò)散的加工工藝，簡(jiǎn)化了太陽(yáng)能電池生產(chǎn)工藝。

技術(shù)研發(fā)人員：沈杰,張尋尋,章康平,王建明,劉培培,介雷,姚川朋,周靜,李銘偉,金浩,劉凱,石劍,周錦鳳,李家棟,周小寶,劉汪利,胥星星,劉駿,孫亞楠,蔡敬國(guó),鄭勝,馮維敏
受保護(hù)的技術(shù)使用者：一道新能源科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2