本申請涉及晶圓清洗領(lǐng)域，特別是涉及一種晶圓清洗方法。

背景技術(shù)：

1、在晶圓制造流程中，拋光后清洗對產(chǎn)片潔凈度水平起到關(guān)鍵影響。晶圓清洗主要是去除晶圓表面在進(jìn)行化學(xué)機械拋光(cmp)后殘留的研磨液以及自然氧化層。該研磨液主要包括堿性溶劑、緩沖劑、研磨膠粒等。

2、在現(xiàn)有技術(shù)中，常見的拋光后清洗方法主要有兩種：槽式清洗和單片刷洗。單片刷洗具有工藝時間短、清洗效果更優(yōu)、破片量少等優(yōu)點，尤其在制作300mm尺寸的晶圓后逐漸成為拋光后清洗的主要方式。

3、單片刷洗的常規(guī)工藝流程包括：晶圓潤濕、sc1(氨水、雙氧水以及水的混合物)刷洗、diw(去離子水)清洗、dhf(氫氟酸)和dio3(臭氧去離子水)交替清洗，其中，通過sc1刷洗步驟去除殘留的研磨液，通過dhf和dio3交替清洗去除表面的金屬污染及自然氧化層。然而sc1刷洗的效果受前制程影響明顯，不同批次和摻雜類型的晶圓表面性質(zhì)差異較大，以及殘留研磨液的清洗難度不同，拋光后清洗的顆粒效果往往會存在較大的差異，并影響后續(xù)工藝的進(jìn)行及最終晶圓產(chǎn)品的良率。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請實施例提供了一種晶圓清洗方法，以至少解決相關(guān)技術(shù)中晶圓上殘留研磨液的清洗效果差的問題。

2、第一方面，本申請實施例提供了一種晶圓清洗方法，用于對拋光后的晶圓表面進(jìn)行清洗，包括：

3、采用第一預(yù)設(shè)濃度的氫氟酸對所述晶圓表面噴淋第一預(yù)設(shè)時間；

4、在刷洗腔中對噴淋之后的所述晶圓表面進(jìn)行刷洗；

5、在清洗腔中對刷洗之后的所述晶圓表面進(jìn)行清洗。

6、在其中的一些實施例中，在刷洗腔中對噴淋之后的所述晶圓表面進(jìn)行刷洗包括：

7、采用diw對所述噴淋之后的晶圓表面進(jìn)行噴淋，在所述晶圓表面形成保護水膜；

8、將具有保護水膜的所述晶圓放入到所述刷洗腔中進(jìn)行刷洗。

9、在其中的一些實施例中，所述第一預(yù)設(shè)濃度在3000ppm至10000ppm之間。

10、在其中的一些實施例中，所述第一預(yù)設(shè)時間在5s至30s之間。

11、第二方面，本申請實施例還提供了一種晶圓清洗方法，用于對拋光后的晶圓表面進(jìn)行清洗，包括：

12、采用第一預(yù)設(shè)濃度的氫氟酸和第二預(yù)設(shè)濃度的dio3對所述晶圓表面進(jìn)行交替噴淋；

13、在刷洗腔中對噴淋之后的所述晶圓表面進(jìn)行刷洗；

14、在清洗腔中對刷洗之后的所述晶圓表面進(jìn)行清洗。

15、在其中的一些實施例中，在刷洗腔中對噴淋之后的所述晶圓表面進(jìn)行刷洗包括：

16、采用diw對所述噴淋之后的晶圓表面進(jìn)行噴淋，在所述晶圓表面形成保護水膜；

17、將具有保護水膜的所述晶圓放入到所述刷洗腔中進(jìn)行刷洗。

18、在其中的一些實施例中，所述第一預(yù)設(shè)濃度在3000ppm至10000ppm之間。

19、在其中的一些實施例中，每次采用第一預(yù)設(shè)濃度的氫氟酸的噴淋時間在5s至30s之間。

20、在其中的一些實施例中，所述第二預(yù)設(shè)濃度在20ppm至30ppm之間。

21、在其中的一些實施例中，每次采用第二預(yù)設(shè)濃度的dio3的噴淋時間在10s至15s之間。

22、在其中的一些實施例中，在采用第一預(yù)設(shè)濃度的氫氟酸和第二預(yù)設(shè)濃度的dio3對所述晶圓表面進(jìn)行交替噴淋之前，所述方法還包括：

23、采用sc1對所述晶圓表面進(jìn)行噴淋第二預(yù)設(shè)時間。

24、在其中的一些實施例中，所述第二預(yù)設(shè)時間在5s至20s之間。

25、相比于現(xiàn)有技術(shù)，本申請實施例提供的一種晶圓清洗方法，通過氫氟酸、氫氟酸和dio3交替噴淋等方式有效去除晶圓表面大顆粒及金屬、堿性研磨液基質(zhì)并減薄晶圓表面氧化層，減少金屬及研磨液對刷子的污染，便于微米級的研磨膠粒的暴露和去除，以實現(xiàn)延長刷子的使用壽命，以及提高刷洗效率和改善顆粒水平，并提高拋光后晶圓清洗步驟針對不同產(chǎn)品的工藝結(jié)果穩(wěn)定性。

26、本申請的一個或多個實施例的細(xì)節(jié)在以下附圖和描述中提出，以使本申請的其他特征、目的和優(yōu)點更加簡明易懂。

技術(shù)特征：

1.一種晶圓清洗方法，用于對拋光后的晶圓表面進(jìn)行清洗，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓清洗方法，其特征在于，在刷洗腔中對噴淋之后的所述晶圓表面進(jìn)行刷洗包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓清洗方法，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)濃度在3000ppm至10000ppm之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓清洗方法，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)時間在5s至30s之間。

5.一種晶圓清洗方法，用于對拋光后的晶圓表面進(jìn)行清洗，其特征在于，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓清洗方法，其特征在于，在刷洗腔中對噴淋之后的所述晶圓表面進(jìn)行刷洗包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓清洗方法，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)濃度在3000ppm至10000ppm之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓清洗方法，其特征在于，每次采用第一預(yù)設(shè)濃度的氫氟酸的噴淋時間在5s至30s之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓清洗方法，其特征在于，所述第二預(yù)設(shè)濃度在20ppm至30ppm之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓清洗方法，其特征在于，每次采用第二預(yù)設(shè)濃度的dio3的噴淋時間在10s至15s之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓清洗方法，其特征在于，在采用第一預(yù)設(shè)濃度的氫氟酸和第二預(yù)設(shè)濃度的dio3對所述晶圓表面進(jìn)行交替噴淋之前，所述方法還包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶圓清洗方法，其特征在于，所述第二預(yù)設(shè)時間在5s至20s之間。

技術(shù)總結(jié)
本申請涉及一種晶圓清洗方法，用于對拋光后的晶圓表面進(jìn)行清洗，其中，該晶圓清洗方法包括：采用第一預(yù)設(shè)濃度的氫氟酸對所述晶圓表面噴淋第一預(yù)設(shè)時間；在刷洗腔中對噴淋之后的所述晶圓表面進(jìn)行刷洗；在清洗腔中對刷洗之后的所述晶圓表面進(jìn)行清洗。通過本申請，解決了現(xiàn)有技術(shù)中晶圓殘留研磨液的清洗效果差的問題，提高了晶圓殘留研磨液的清洗效果。

技術(shù)研發(fā)人員：朱桐桐,周飛,柴廣明,仰庶
受保護的技術(shù)使用者：盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2