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一種太陽能電池及其制備方法與流程

文檔序號(hào):40575385發(fā)布日期:2025-01-03 13:05閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種太陽能電池的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能電池的制備方法,其特征在于,步驟s5中,所述硅拋光液,按體積分?jǐn)?shù)計(jì),其原料配比為:

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種太陽能電池的制備方法,其特征在于,步驟s3中,步驟s5中,所述cmp精拋的工藝條件為:拋光盤的轉(zhuǎn)速為26-33r/min,溫度為25-30℃,拋光速率為0.8-1um/min,拋光壓力為0.8-1.2n/cm2,時(shí)間為10-20s,拋光墊選取帶絨毛的無紡布,拋光量為10-20nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能電池的制備方法,其特征在于,步驟s6中,所述處理液為水、h2o2與hcl按體積比10:1:2配制而成,水為去離子水,處理時(shí)間為150-200s;

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能電池的制備方法,其特征在于,步驟s4中,在制備所述隧穿層之后,在遂穿層的背面制備摻雜p型材料的非晶硅層,再對(duì)硅片進(jìn)行退火處理,以制得p+poly層;

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能電池的制備方法,其特征在于,步驟s3中,采用koh溶液進(jìn)行所述堿拋光,koh溶液為水與koh按體積比18-25:1配制而成;堿拋光的時(shí)間為250-350s、溫度為45-65℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能電池的制備方法,其特征在于,步驟s2中,還包括采用所述單面酸洗來去除硅片邊緣因摻雜擴(kuò)散所產(chǎn)生的繞鍍;

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能電池的制備方法,其特征在于,步驟s1中,在摻雜擴(kuò)散之前,先對(duì)硅片進(jìn)行制絨,以使硅片的表面形成絨面陷光結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能電池的制備方法,其特征在于,步驟s7中,所述背面鈍化膜還包括沉積于al2o3膜背面的背面氮化硅膜;所述正面鈍化膜為和正面氮化硅膜;所述背面鈍化膜為背面氮化硅膜。

10.一種太陽能電池,其特征在于,其采用權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的一種太陽能電池的制備方法制得。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及太陽電池技術(shù)領(lǐng)域,公開一種太陽能電池及其制備方法,該制備方法包括:摻雜擴(kuò)散,制得正面n+發(fā)射極,且n+發(fā)射極正面和硅片背面形成了PSG;單面酸洗,以去除硅片背面PSG,并保留正面PSG;堿拋光,使硅片背面形成平面形貌;在硅片背面制備隧穿層和P+Poly層;用硅拋光液CMP精拋P+Poly層,使其背面變得平整、光滑;清洗硅片后,用水、H<subgt;2</subgt;O<subgt;2</subgt;與HCl按體積比7?13:1:2配制的處理液羥基化處理P+Poly層背面;硅片鈍化,在正面制得正面鈍化膜,并在P+Poly層背面制得包含用ALD法沉積的Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;膜的背面鈍化膜;硅片金屬化。所得背面鈍化膜的SiO<subgt;x</subgt;含量少,鈍化性能好,電池效率提升。

技術(shù)研發(fā)人員:張耕,楊偉光,包杰,蔣建婷
受保護(hù)的技術(shù)使用者:泰州中來光電科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/2
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